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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DI2A8N03PWK2-AQ | 0.2014 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-UDFN 裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 1W(塔) | 6-QFN (2x2) | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 N 沟道 | 30V | 2.8A(塔) | 72毫欧@2A,4.5V | 1.2V@250μA | 6.8nC@4.5V | 387pF@15V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB860-3G | 0.2930 | ![]() | 7967 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | 结合 | 肖特基 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SB860-3GTR | 8541.10.0000 | 1,250人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 550毫伏@8安 | 50μA@60V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KYW35A6 | 2.2504 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-KYW35A6 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@35A | 1.5微秒 | 100 µA @ 600 V | -50℃~175℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI15J | 0.7669 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBI | 标准 | GBI | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBI15J | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@7.5A | 5μA@600V | 3.2A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C3V0 | 0.0363 | ![]() | 8996 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-2BZX84C3V0TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对共阳极 | 1V时为10μA | 3V | 95欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P2500W | 1.2943 | ![]() | 2437 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | P600,屁股 | P2500 | 雪崩 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-P2500WTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.1V@25A | 1.5微秒 | 10μA@1600V | -55℃~175℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS30S | 0.2099 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-269AA,4-BESOP | 肖特基 | 4-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-CS30STR | 8541.10.0000 | 1,500人 | 700毫伏@1安 | 500μA@60V | 1A | 单相 | 60V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 彩信Z5240B | 0.0304 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMSZ5240BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 8V时为3μA | 10V | 17欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2D | 0.0450 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-S2DTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.15V@2A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5061 | 0.0331 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 标准 | DO15/DO204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-1N5061TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@2A | 1.5微秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3X-CT | 1.0475 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S3X-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1800伏 | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 1.8V时为5μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B380R | 0.4500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-圆形,WOG | 标准 | 沃格 | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 1V@1A | 800V时为5μA | 2A | 单相 | 800V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD18B | 0.0225 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD18BTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100nA@14V | 18V | 18欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 彩信Z5231B | 0.0304 | ![]() | 3175 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 彩信Z5231B | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMSZ5231BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 5μA@2V | 5.1V | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK810-3G | 0.2612 | ![]() | 2698 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | DO-214AB(SMC) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SK810-3GTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100V | 770 毫伏 @ 5 安 | -50℃~150℃ | 8A | 250pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846C | 0.0182 | ![]() | 1120 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC846CTR | EAR99 | 8541.21.0000 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 420@2mA,5V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SW | 0.0314 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 电池组54 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BAT54SWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 30V | 200毫安 | 650 毫伏 @ 100 毫安 | 5纳秒 | 3μA@30V | 125℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 巴夫99L | 0.0249 | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-BAV99LTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100V | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK1030D2 | 0.5691 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK1030D2 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 550毫伏@10安 | 30V时为120μA | -50℃~150℃ | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDB13HS-AQ | 0.0753 | ![]() | 8344 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SDB13HS-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 470 毫伏 @ 1 安 | 30V时为200μA | -40℃~125℃ | 1A | 30pF@10V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI110N04PQ | 0.7238 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | DI110N04 | MOSFET(金属O化物) | 8-QFN (5x6) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI110N04PQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | N沟道 | 40V | 110A(温度) | 4.5V、10V | 2.5毫欧@23A,10V | 2.5V@250μA | 48nC@10V | ±20V | 2980pF@25V | - | 45W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM4.7 | 0.0230 | ![]() | 第532章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM4.7TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 1V时为500nA | 4.7V | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD11 | 0.0211 | ![]() | 1305 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-ZPD11TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 8.5V时为100nA | 11伏 | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMC9B1 | 0.0688 | ![]() | 9620 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | Quadro MicroMelf | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-ZMC9B1TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 9.1V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK26 | 0.0648 | ![]() | 5283 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-SK26TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 500μA@60V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US1J-AQ | 0.0724 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-US1J-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@1.5A | 75纳秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PT800D-CT | 1.2563 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | PT800D | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-PT800D-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@8A | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858A-AQ | 0.0236 | ![]() | 8625 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC858A-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 125@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY20 | 0.0986 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 2W | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZY20TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@10V | 20V | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGL34G | 0.0602 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-RGL34GTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@500mA | 150纳秒 | 5μA@400V | -50℃~175℃ | 500毫安 | - |

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