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离散半导体产品（（3563）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
BC559C Diotec Semiconductor BC559C 0.0241
RFQ
 ECAD 9257 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 500兆 到92 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BC559CTR 8541.21.0000 4,000 30 V 100 ma 15NA PNP 650mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 150MHz
B125D Diotec Semiconductor B125D 0.2179
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.300英寸，7.62mm） 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 不适用 2721-B125d 8541.10.0000 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 250 V 1 a 单相 250 v
BC338-40 Diotec Semiconductor BC338-40 0.0328
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 625兆 到92 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BC338-40TR 8541.21.0000 4,000 25 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50mA，500mA 250 @ 100mA，1V 100MHz
B250C7000A Diotec Semiconductor B250C7000A 1.6490
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip 标准 4-sip 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-B250C7000A 8541.10.0000 500 1 V @ 5 A 5 µA @ 600 V 4.8 a 单相 600 v
BYP60A3 Diotec Semiconductor BYP60A3 1.2263
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-208AA 标准 DO-208 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BYP60A3TR 8541.10.0000 12,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.1 V @ 60 A 1.5 µs 100 µA @ 300 V -50°C 200°C 60a -
FE1B Diotec Semiconductor fe1b -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 标准 DO-15（do-204ac） 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-fe1btr 8541.10.0000 4,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 980 mv @ 1 a 50 ns 2 µA @ 100 V -50°C〜175°C 1a -
GBU6A-T Diotec Semiconductor gbu6a-t 0.3371
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-GBU6A-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V 4.2 a 单相 50 V
UF5403 Diotec Semiconductor UF5403 0.1198
RFQ
 ECAD 1928年 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-201aa，do-27，轴向 标准 DO-201-201 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-UF5403TR 8541.10.0000 1,700 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 300 V -50°C〜175°C 3a -
HV1.5 Diotec Semiconductor HV1.5 0.0873
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204ac，do-41，轴向 标准 DO-41/DO-204AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-HV1.5Tr 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1500 v 3 V @ 500 MA 400 ns 3 µA @ 1500 V -50°C〜150°C 500mA -
FT2000KB Diotec Semiconductor FT2000KB 0.8577
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-FT2000KB 8541.10.0000 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 960 mv @ 20 a 200 ns 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 20a -
FX2000D Diotec Semiconductor FX2000D 0.7526
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 P600，轴向 标准 P600 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-FX2000DTR 8541.10.0000 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 940 mv @ 20 a 200 ns 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 20a -
GBU12J-T Diotec Semiconductor GBU12J-T 1.5875
RFQ
 ECAD 6608 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-GBU12J-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 12 A 5 µA @ 600 V 8.4 a 单相 600 v
DB25-005 Diotec Semiconductor DB25-005 3.6936
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 底盘安装 5平方英尺，DB-35 标准 DB-35 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-DB25-005 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 a 三期 50 V
DB15-12 Diotec Semiconductor DB15-12 5.0182
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 底盘安装 5平方英尺，DB-35 标准 DB-35 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-DB15-12 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 1200 V 25 a 三期 1.2 kV
BY6 Diotec Semiconductor by6 1.6347
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 轴向 标准 轴向 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BY6TR 8541.10.0000 2,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 6000 v 6 V @ 1 A 1.5 µs 1 µA @ 6000 V -50°C〜150°C 1a -
GBU10J-T Diotec Semiconductor GBU10J-T 1.4897
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-GBU10J-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 5 A 5 µA @ 600 V 7 a 单相 600 v
ZPD24B Diotec Semiconductor ZPD24B 0.0225
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -50°C〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-ZPD24BTR 8541.10.0000 10,000 100 na @ 18 V 24 V 28欧姆
SBT1840-3G Diotec Semiconductor SBT1840-3G 0.6797
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-SBT1840-3G 8541.10.0000 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 535 mv @ 18 a 100 µA @ 40 V -50°C〜150°C 18a -
ZPY100 Diotec Semiconductor ZPY100 0.0986
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-41，轴向 1.3 w DO-41/DO-204AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-ZPY100TR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 50 V 100 v 60欧姆
BY880-100 Diotec Semiconductor BY880-100 0.2526
RFQ
 ECAD 9637 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-201aa，do-27，轴向 标准 DO-201-201 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BY880-100TR 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 8 A 1.5 µs 5 µA @ 100 V -50°C〜175°C 8a -
ZPD5B1 Diotec Semiconductor ZPD5B1 0.0225
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -50°C〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-ZPD5B1TR 8541.10.0000 10,000 100 NA @ 800 mV 5.1 v 30欧姆
DB25-12 Diotec Semiconductor DB25-12 5.0182
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 底盘安装 5平方英尺，DB-35 标准 DB-35 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-DB25-12 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 1200 V 25 a 三期 1.2 kV
B380C1500A Diotec Semiconductor B380C1500A 0.9390
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip 标准 4-sip 下载 rohs3符合条件 不适用 2721-B380C1500A 8541.10.0000 500 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V 1.8 a 单相 800 v
KYW35A4 Diotec Semiconductor KYW35A4 2.0875
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 通过洞 DO-208AA 标准 DO-208 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-KYW35A4 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 35 A 1.5 µs 100 µA @ 400 V -50°C〜175°C 35a -
GBU8B-T Diotec Semiconductor gbu8b-t 0.4087
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-GBU8B-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 8 A 5 µA @ 100 V 5.6 a 单相 100 v
FT2000AG Diotec Semiconductor FT2000AG 0.9187
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-FT2000AG 8541.10.0000 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 960 mv @ 20 a 200 ns 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 20a -
BY16 Diotec Semiconductor by16 2.7273
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 轴向 标准 轴向 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-BY16TR 8541.10.0000 2,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 16000 v 15 V @ 300 MA 1.5 µs 1 µA @ 16000 V -50°C〜150°C 300mA -
PT800M Diotec Semiconductor PT800M 0.5122
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-PT800M 8541.10.0000 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 8a -
DBI25-08A Diotec Semiconductor DBI25-08A 7.1371
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 -50°C〜175°C（TJ） 通过洞 5-sip 标准 DBI 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-DBI25-08A 8541.10.0000 15 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 40 a 三期 800 v
PT800A Diotec Semiconductor PT800A 0.5122
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-PT800A 8541.10.0000 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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