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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
BYP60A05 Diotec Semiconductor BYP60A05 2.4700
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ECAD 6607 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 压接 DO-208AA 标准 DO-208 下载 符合ROHS3标准 不适用 可根据要求提供REACH信息 2721-BYP60A05TR 8541.10.0000 1 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.1V@60A 1.5微秒 50V时为100μA -50℃~200℃ 60A -
BCM846BS Diotec Semiconductor BCM846BS 0.0976
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ECAD 4883 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 BCM846 200毫W SOT-363 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 2796-BCM846BSTR 8541.21.0000 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 2 NPN(双) 200mV@500μA,10mA 200@2mA,5V 250兆赫
ZMY160 Diotec Semiconductor ZMY160 0.0764
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ECAD 5 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY160TR 8541.10.0000 5,000 75V时为1μA 160伏 110欧姆
SM513-CT Diotec Semiconductor SM513-CT 0.2965
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ECAD 6216 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 SM513 标准 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-SM513-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1300伏 1.1V@1A 1.5微秒 1.3V时为5μA -50℃~175℃ 1A -
MMBTRA106SS Diotec Semiconductor MMBTRA106SS 0.0298
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ECAD 4424 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBTRA106 200毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MMBTRA106SSTR 8541.10.0000 3,000 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 - 80@10mA,5V 200兆赫 4.7欧姆 47欧姆
MM1Z4740A Diotec Semiconductor MM1Z4740A 0.1033
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ECAD 2781 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 1W SOD-123F(单模) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM1Z4740ATR 8541.10.0000 3,000 1.2V@200mA 7V时为10μA 10V 7欧姆
ZMM4.3R13 Diotec Semiconductor ZMM4.3R13 0.0304
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ECAD 6217 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W SOD-80C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMM4.3R13TR 8541.10.0000 10,000 1μA@1V 4.3V 75欧姆
MURF2060CT Diotec Semiconductor 穆尔夫2060CT 0.5320
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ECAD 6847 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 标准 ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-MURF2060CT 8541.10.0000 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 10A 2V@10A 50纳秒 600V时为1μA -50℃~175℃
SMS260 Diotec Semiconductor 短信260 0.1493
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ECAD 6964 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 肖特基 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SMS260TR 8541.10.0000 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 700毫伏@2安 500μA@60V -50℃~150℃ 2A -
ZMY130B Diotec Semiconductor ZMY130B 0.0913
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ECAD 5219 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 2796-ZMY130BTR 8541.10.0000 5,000 60V时为1μA 130伏 90欧姆
GBU12D-T Diotec Semiconductor GBU12D-T 1.5875
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ECAD 1026 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBU 标准 GBU 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-GBU12D-T 8541.10.0000 1,000 1V@12A 5μA@200V 8.4A 单相 200V
MM1Z4753A Diotec Semiconductor MM1Z4753A 0.1033
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ECAD 8551 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 1W SOD-123F(单模) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM1Z4753ATR 8541.10.0000 3,000 1.2V@200mA 27V时为5μA 36V 50欧姆
SK56SMC Diotec Semiconductor SK56SMC 0.1431
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ECAD 3820 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SK56SMCTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 680 毫伏 @ 5 安 60V时为150μA -50℃~150℃ 5A -
DI040N03PT Diotec Semiconductor DI040N03PT 0.2062
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ECAD 7621 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN MOSFET(金属O化物) 8-QFN (3x3) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-DI040N03PTTR 8541.29.0000 5,000 N沟道 30V 40A(温度) 4.5V、10V 7毫欧@15A,10V 2.5V@250μA 12nC@4.5V ±20V 1120pF@15V - 25W(温度)
MMBTRC104SS-AQ Diotec Semiconductor MMBTRC104SS-AQ 0.0371
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ECAD 2431 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W SOT-23 (TO-236) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-MMBTRC104SS-AQTR 8541.21.0000 3,000 - 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@500μA,10mA 80@10mA,5V 200兆赫 47k欧姆 47k欧姆
ES1F Diotec Semiconductor ES1F 0.1339
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ECAD 5022 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 分段阅读_第2796章 8541.10.0000 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 300伏 1.3V@1A 25纳秒 300V时为5μA -50℃~150℃ 1A -
ZPD2B7 Diotec Semiconductor ZPD2B7 0.0225
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ECAD 1844年 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 分段阅读_第2796章 8541.10.0000 10,000 2.7V 75欧姆
MM3Z2V7 Diotec Semiconductor MM3Z2V7 0.0304
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ECAD 603 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F 300毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM3Z2V7TR 8541.10.0000 3,000 1V@10mA 1V时为120μA 2.7V 85欧姆
ST1G Diotec Semiconductor ST1G 0.0195
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ECAD 3851 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ST1GTR 8541.10.0000 10,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.1V@1A 1.5微秒 5μA@400V -50℃~150℃ 1A -
MMBTRA101SS Diotec Semiconductor MMBTRA101SS 0.0298
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ECAD 9442 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBTRA101 200毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MMBTRA101SSTR 8541.21.0000 3,000 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 - 30@10mA,5V 200兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
SM5404-CT Diotec Semiconductor SM5404-CT 0.5172
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ECAD 第434章 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 SM5404 标准 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-SM5404-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.2V@3A 1.5微秒 5μA@400V -50℃~175℃ 3A -
MMBT4401 Diotec Semiconductor MMBT4401 0.0230
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ECAD 6593 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-MMBT4401TR EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600毫安 100nA(ICBO) NPN 750mV@50mA、500mA 100@150mA,1V 250兆赫
MMSZ5239B Diotec Semiconductor 彩信Z5239B 0.0304
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ECAD 18 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 500毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-MMSZ5239BTR 8541.10.0000 3,000 900毫伏@10毫安 7V时为3μA 9.1V 10欧姆
SMZ56 Diotec Semiconductor SMZ56 0.0772
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ECAD 1067 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 2W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SMZ56TR 8541.10.0000 5,000 1μA@28V 56V 25欧姆
MMFTN6001 Diotec Semiconductor MMFTN6001 0.0276
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ECAD 138 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MMFTN6001TR 8541.21.0000 3,000 N沟道 60V 440mA(塔) 4.5V、10V 2欧姆@500mA,10V 2V@250μA ±20V 23.3pF@25V - 530毫W(塔)
DI2A8N03PWK2-AQ Diotec Semiconductor DI2A8N03PWK2-AQ 0.2014
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ECAD 9463 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-UDFN 裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 1W(塔) 6-QFN (2x2) - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR 8541.29.0000 4,000 2 N 沟道 30V 2.8A(塔) 72毫欧@2A,4.5V 1.2V@250μA 6.8nC@4.5V 387pF@15V 标准
SB860-3G Diotec Semiconductor SB860-3G 0.2930
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ECAD 7967 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 结合 肖特基 结合 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-SB860-3GTR 8541.10.0000 1,250人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 550毫伏@8安 50μA@60V -50℃~150℃ 8A -
KYW35A6 Diotec Semiconductor KYW35A6 2.2504
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ECAD 500 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 通孔 DO-208AA 标准 DO-208 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-KYW35A6 8541.10.0000 500 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@35A 1.5微秒 100 µA @ 600 V -50℃~175℃ 35A -
GBI15J Diotec Semiconductor GBI15J 0.7669
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ECAD 14 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBI 标准 GBI 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-GBI15J 8541.10.0000 500 1.1V@7.5A 5μA@600V 3.2A 单相 600伏
2BZX84C3V0 Diotec Semiconductor 2BZX84C3V0 0.0363
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ECAD 8996 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-2BZX84C3V0TR 8541.10.0000 3,000 1对共阳极 1V时为10μA 3V 95欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库