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离散半导体产品（（3563）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
RA258	0.3583	RFQ	4386	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	RA		标准		RA	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-RA258Tr	8541.10.0000	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 80 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	25a	-
RA252	0.3717	RFQ	10	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	RA		标准		RA	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-RA252TR	8541.10.0000	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 80 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	25a	-
Zy5.6	0.0986	RFQ	10	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-41，轴向			2 w	DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-zy5.6tr	8541.10.0000	5,000							3 µA @ 500 mV						5.6 v	1欧姆
到550-100	0.0897	RFQ	32	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-BY550-100TR	8541.10.0000	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1 V @ 5 A	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-50°C〜175°C	5a	-
KBPC10/15/2500WP	2.5227	RFQ	640	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC WP		标准		KBPC WP	下载	rohs3符合条件	不适用	2721-KBPC10/15/2500WP	8541.10.0000	160					1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
KBPC10/15/2501WP	2.5227	RFQ	2	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC WP		标准		KBPC WP	下载	rohs3符合条件	不适用	2721-KBPC10/15/2501WP	8541.10.0000	160					1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v
SB830	0.3306	RFQ	8661	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-SB830TR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		550 mv @ 8 a		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	8a	-
SBT1030	0.4829	RFQ	2205	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		肖特基		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-SBT1030	8541.10.0000	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		550 mv @ 10 a		300 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	10a	-
3EZ150	0.0995	RFQ	4	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			3 W	do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-3EZ150TR	8541.10.0000	4,000							1 µA @ 75 V						150 v	100欧姆
B125C1500A	0.9390	RFQ	8539	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip		标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	2721-B125C1500A	8541.10.0000	500					1.1 V @ 2 A		5 µA @ 250 V		1.8 a		单相	250 v
ZPD47	0.0211	RFQ	2427	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-ZPD47TR	8541.10.0000	10,000							100 na @ 33 V						47 V	70欧姆
PX1500K	0.6406	RFQ	1474	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向		标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-PX1500KTR	8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1 V @ 15 A	1.5 µs	10 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	15a	-
B500C5000A	1.7642	RFQ	1	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip		标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-B500C5000A	8541.10.0000	500					1 V @ 5 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
BY2000	0.2943	RFQ	193	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-BY2000TR	8541.10.0000	1,700	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		2000 v		1.1 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 2000 V	-50°C〜150°C	3a	-
GBI10B	0.6209	RFQ	9	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI		标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-GBI10B	8541.10.0000	500					1.1 V @ 5 A		5 µA @ 100 V		3 a		单相	100 v
SBCT1050	0.6450	RFQ	7620	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-SBCT1050	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	5a	700 mv @ 5 a		300 µA @ 50 V	-50°C〜150°C
KBPC3504I	3.5642	RFQ	1689年	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBPC		标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	2721-KBPC3504I	8541.10.0000	240					1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 400 V		35 a		单相	400 v
UFT800B	0.7016	RFQ	1	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-UFT800B	8541.10.0000	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1 V @ 8 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	8a	-
BY1800	0.2499	RFQ	13	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-BY1800TR	8541.10.0000	1,700	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1800 v		1.1 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 1800 V	-50°C〜150°C	3a	-
DB35-10	4.3940	RFQ	1	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5平方英尺，DB-35		标准		DB-35	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-DB35-10	8541.10.0000	50					1.05 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 a		三期	1 kV
gbu8a-t	0.4087	RFQ	1658年	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-GBU8A-T	8541.10.0000	1,000					1 V @ 8 A		5 µA @ 50 V		5.6 a		单相	50 V
GBI25W	1.4068	RFQ	5618	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI		标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-GBI25W	8541.10.0000	500					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1600 V		4.2 a		单相	1.6 kV
B40C1500A	0.9390	RFQ	1	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip		标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	2721-B40C1500A	8541.10.0000	500					1.1 V @ 2 A		5 µA @ 80 V		1.8 a		单相	80 V
30CTQ200	1.1320	RFQ	6968	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	30ctq	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-30CTQ200	8541.10.0000	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	15a	860 mv @ 15 A		50 µA @ 200 V	-50°C〜175°C
ZPD5.6	0.0211	RFQ	135	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-zpd5.6tr	8541.10.0000	10,000							100 na @ 1 V						5.6 v	10欧姆
SBX2540-3G	0.5382	RFQ	1	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		肖特基		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-SBX2540-3GTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 25 A		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	25a	-
ZPY91	0.0986	RFQ	9926	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-ZPY91TR	8541.10.0000	5,000							1 µA @ 41 V						91 v	40欧姆
1N5406K	0.0846	RFQ	8861	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		DO-15（do-204ac）	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-1N5406KTR	8541.10.0000	4,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v				10 µA @ 600 V	-50°C〜175°C	3a	-
zy1	0.2182	RFQ	2769	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-41，轴向			2 w	DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-zy1tr	8541.10.0000	5,000													1 V	0.5欧姆
ZPD36	0.0211	RFQ	35	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	2796-ZPD36TR	8541.10.0000	10,000							100 na @ 26 V						36 V	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（3563）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²