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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
SKL13 Diotec Semiconductor SKL13 0.0615
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ECAD 9205 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F 肖特基 SOD-123F(单模) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SKL13TR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 550毫伏@1安 30V时为200μA -50℃~150℃ 1A -
FR20DKD2 Diotec Semiconductor FR20DKD2 0.8542
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ECAD 1623 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 标准 TO-263AB (D²PAK) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-FR20DKD2 8541.10.0000 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 960 毫伏 @ 20 安 200纳秒 5μA@200V -50℃~150℃ 20A -
MM5Z15 Diotec Semiconductor MM5Z15 0.0333
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ECAD 7078 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 200毫W SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM5Z15TR 8541.10.0000 4,000 10.5V时为50nA 15V 30欧姆
P2000GTL Diotec Semiconductor P2000GTL 1.0352
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ECAD 5012 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 P600,屁股 标准 P600 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-P2000GTLTR 8541.10.0000 1,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.1V@20A 1.5微秒 400V时为10μA -50℃~175℃ 20A -
MMSZ5254B-AQ Diotec Semiconductor MMSZ5254B-AQ 0.0407
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ECAD 6178 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% 表面贴装 500毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 2796-MMSZ5254B-AQTR 8541.10.0000 3,000 27V 41欧姆
DI110N15PQ-AQ Diotec Semiconductor DI110N15PQ-AQ 3.5376
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ECAD 7560 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-QFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-DI110N15PQ-AQTR 8541.29.0000 5,000 N沟道 150伏 55A(温度) 4.5V、10V 11.5毫欧@20A,10V 3V@250μA 51nC@10V ±20V 3700pF@75V - 62.5W(温度)
ZMY5.6G Diotec Semiconductor ZMY5.6G 0.0883
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ECAD 300 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY5.6GTR 8541.10.0000 5,000 500nA@2V 5.6V 1欧姆
BAV23SE Diotec Semiconductor BAV23SE 0.0491
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ECAD 7212 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAV23 标准 SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对中央 200V 225毫安 1.25V@200mA 50纳秒 100nA@200V -55℃~150℃
LS4448 Diotec Semiconductor LS4448 0.0176
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ECAD 3032 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 LS4448 标准 SOD-80C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 8541.10.0000 2,500人 小信号=< 200mA (Io),任意速度 75V 1V@100mA 4纳秒 5μA@75V -55℃~175℃ 150毫安 4pF@0V、1MHz
PPH10100 Diotec Semiconductor PPH10100 0.4341
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ECAD 6304 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-277,3-PowerDFN 肖特基 TO-277 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-PPH10100TR 8541.10.0000 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 680 毫伏 @ 10 安 100V时为150μA -50℃~175℃ 10A -
ZMY51 Diotec Semiconductor ZMY51 0.0764
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ECAD 6596 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY51TR 8541.10.0000 5,000 1μA@24V 51V 25欧姆
MM1Z4694 Diotec Semiconductor MM1Z4694 0.0404
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ECAD 4068 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 500毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM1Z4694TR 8541.10.0000 24,000 900毫伏@10毫安 6.2V时为1μA 8.2V
AL1K-CT Diotec Semiconductor AL1K-CT 0.4645
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ECAD 4035 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-213AA 雪崩 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-AL1K-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.3V@1A 1.5微秒 800V时为3μA -50℃~175℃ 1A -
DI025N06PT Diotec Semiconductor DI025N06PT 0.1919
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ECAD 4858 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 电源QFN 3x3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 2796-DI025N06PTTR 8541.29.0000 5,000 N沟道 25A 25W
BAS21W-AQ Diotec Semiconductor BAS21W-AQ 0.0404
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ECAD 4342 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 BAS21 标准 SOT-323 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-BAS21W-AQTR 8541.10.0000 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 200V 1.25V@200nA 50纳秒 100毫安@200伏 -55℃~150℃ 200毫安 5pF @ 0V、1MHz
UF5401 Diotec Semiconductor UF5401 0.1214
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ECAD 2705 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 标准 DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-UF5401TR 8541.10.0000 1,700 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@3A 50纳秒 100V时为5μA -50℃~175℃ 3A -
1N5359B Diotec Semiconductor 1N5359B 0.2073
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ECAD 3 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 5W DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-1N5359BTR 8541.10.0000 1,700 18.2V时为500nA 24V 3.5欧姆
RAL1G Diotec Semiconductor 拉尔1G 0.0705
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ECAD 5258 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-RAL1GTR 8541.10.0000 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.3V@1A 150纳秒 400V时为3μA -50℃~175℃ 1A -
BZX84C22 Diotec Semiconductor BZX84C22 0.0301
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ECAD 1946年 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-BZX84C22TR 8541.10.0000 3,000 15.4V时为50nA 22V 70欧姆
SUF4002 Diotec Semiconductor SUF4002 0.0631
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ECAD 3083 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 标准 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2721-SUF4002TR2 8541.10.0000 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@1A 50纳秒 100V时为5μA -50℃~175℃ 1A -
BZT52B20 Diotec Semiconductor BZT52B20 0.0355
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ECAD 2619 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 500毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BZT52B20TR 8541.10.0000 12,000 100nA@13V 20V 85欧姆
1N5062 Diotec Semiconductor 1N5062 0.0331
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ECAD 第440章 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-204AC、DO-15、极性 标准 DO15/DO204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-1N5062TR 8541.10.0000 4,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@2A 1.5微秒 800V时为5μA -50℃~150℃ 2A -
GL1M Diotec Semiconductor GL1M 0.0542
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ECAD 第257章 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-GL1MTR 8541.10.0000 2,500人 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.3V@1A 1.5微秒 1000V时为5μA -50℃~175℃ 1A -
BC849A-AQ Diotec Semiconductor BC849A-AQ 0.0236
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ECAD 5218 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BC849A-AQTR 8541.21.0000 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V 300兆赫
ZPD5.6 Diotec Semiconductor ZPD5.6 0.0211
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ECAD 135 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPD5.6TR 8541.10.0000 10,000 100nA@1V 5.6V 10欧姆
RGL1JR13 Diotec Semiconductor RGL1JR13 0.0810
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ECAD 30 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-RGL1JR13TR 8541.10.0000 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.3V@1A 250纳秒 5μA@600V -50℃~175℃ 1A -
DI050N04PT-AQ Diotec Semiconductor DI050N04PT-AQ 0.5621
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ECAD 4905 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerWDFN DI050N04 MOSFET(金属O化物) 8-QFN (3x3) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-DI050N04PT-AQTR 8541.21.0000 5,000 N沟道 40V 50A(温度) 4.5V、10V 6.5毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 59nC@10V ±20V 3255pF@25V - 37W(温度)
2N7002KPW Diotec Semiconductor 2N7002KPW 0.0347
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ECAD 8478 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-2N7002KPWTR 8541.21.0000 3,000 N沟道 60V 310mA(塔) 5V、10V 1.6欧姆@500mA,10V 2.1V@250μA 1.1nC@10V ±20V 10V时为31pF - 275毫W(塔)
SB860 Diotec Semiconductor SB860 0.2499
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ECAD 22 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 肖特基 DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-SB860TR 8541.10.0000 1,250人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 680 毫伏 @ 8 安 500μA@60V -50℃~150℃ 8A -
SBCT10100 Diotec Semiconductor SBCT10100 0.6450
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ECAD 9500 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 肖特基 TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-SBCT10100 8541.10.0000 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 5A 920毫伏@10安 100V时为300μA -50℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库