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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SB120S | 0.0463 | ![]() | 3555 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 肖特基 | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SB120STR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 500毫伏@1安 | 1毫安@20伏 | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2G-AQ-CT | 0.4570 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | S2G | 标准 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S2G-AQ-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.15V@2A | 1.5微秒 | 5μA@400V | -50℃~150℃ | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PT800J-CT | 1.2230 | ![]() | 7370 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | PT800J | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-PT800J-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@8A | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK26-AQ | 0.1249 | ![]() | 8203 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | SMB/DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 2796-SK26-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 500μA@60V | -50℃~150℃ | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN3479KW | - | ![]() | 第1468章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | MOSFET(金属O化物) | SOT-323 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMFTN3479KWTR | 8541.21.0000 | 1 | N沟道 | 20V | 3.5A(塔) | 2.5V、4.5V | 64毫欧@1.5A,4.5V | 1.3V@250μA | 2.8nC@4.5V | ±12V | 260pF@10V | - | 900毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMC62 | 0.0580 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | 500毫W | 微型MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMC62TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 47V时为100nA | 62V | 150欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z5B6-AQ | 0.0374 | ![]() | 8767 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 300毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MM3Z5B6-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@2.5V | 5.6V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC849B-AQ | 0.0236 | ![]() | 6862 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC849B-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR1B | 0.0230 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-FR1BTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@1A | 150纳秒 | 100V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB68 | 0.2149 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB68TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@34V | 68V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI100N04D1 | - | ![]() | 3670 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-DI100N04D1TR | 8541.29.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z1SMA10 | 0.0919 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z1SMA10TR | 8541.10.0000 | 7,500 | 1V@200mA | 5V时为1μA | 10V | 5.2欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY12 | 0.0986 | ![]() | 130 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 2W | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZY12TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 7V时为1μA | 12V | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT1040-3G | 0.6127 | ![]() | 5449 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SBT1040-3G | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@10安 | 40V时为120μA | -55℃~150℃ | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST1K | 0.0195 | ![]() | 8799 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ST1KTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 800V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUF4006-CT | 0.2800 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | SUF4006 | 标准 | DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-SUF4006-CT | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@1A | 75纳秒 | 800V时为5μA | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3512WP | 2.9607 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC WP | 标准 | KBPCWP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2721-KBPC3512WP | 8541.10.0000 | 160 | 1.1V@17.5A | 10μA@1200V | 35A | 单相 | 1.2kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI080N06PQ-AQ | 1.8349 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | DI080N06 | MOSFET(金属O化物) | 8-QFN (5x6) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI080N06PQ-AQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | N沟道 | 65V | 80A(温度) | 4.5V、10V | 4mOhm@30A,10V | 3V@250μA | 56nC@10V | ±20V | 4128pF@30V | - | 80W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | M2-CT | 0.2404 | ![]() | 第533章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-M2-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 100V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM56 | 0.0385 | ![]() | 4709 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM56TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 43V时为100nA | 56V | 135欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z3SMC91 | 0.2393 | ![]() | 9543 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 3W | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z3SMC91TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 41V时为1μA | 91V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2012年 | 2.3604 | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | 结合 | 标准 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BY12TR | 8541.10.0000 | 2,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 12000伏 | 10V@500mA | 1.5微秒 | 1μA@12000V | -50℃~150℃ | 500毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B5V1 | 0.0355 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZX84B5V1TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 2V时为2μA | 5.1V | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN138K-AQ | - | ![]() | 3570 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 (TO-236) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMFTN138K-AQTR | 8541.21.0000 | 1 | N沟道 | 60V | 360mA(塔) | 2.5V、10V | 1.6欧姆@350mA,10V | 1.6V@250μA | 1.3nC@10V | ±20V | 51.3pF@10V | - | 350毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3D | 0.0705 | ![]() | 7230 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-S3DTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBCT1030 | 0.6450 | ![]() | 2193 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SBCT1030 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 5A | 550毫伏@5安 | 30V时为300μA | -50℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI008N09SQ | 0.5290 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI008N09SQTR | 8541.21.0000 | 4,000 | N沟道 | 8A | 2W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84B3V6 | 0.0436 | ![]() | 9846 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-2BZX84B3V6TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对共阳极 | 1V时为5μA | 3.6V | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 巴特46WS | 0.2300 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 450毫伏@10毫安 | 6纳秒 | 5μA@75V | -55℃~150℃ | 150毫安 | 10pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S16KSD2-CT | 2.3502 | ![]() | 1054 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | S16KSD2 | 标准 | TO-263AB (D2PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S16KSD2-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@8A | 800V时为5μA | -50℃~150℃ |

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