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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBPC2504I | 3.2932 | ![]() | 9664 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC25 | 标准 | KBPC25 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2721-KBPC2504I | 8541.10.0000 | 240 | 1.2V@12.5A | 400V时为10μA | 25A | 单相 | 400V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CW | 0.0317 | ![]() | 第1554章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC847CWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C12 | 0.0363 | ![]() | 2219 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-2BZX84C12TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对共阳极 | 8V时为100nA | 12V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRA103SS | 0.0298 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBTRA103 | 200毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MMBTRA103SSTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | - | 70@10mA,5V | 200兆赫 | 22欧姆 | 22欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846A | 0.0182 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC846ATR | 8541.21.0000 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 110@2mA,5V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI087N03D1-AQ | - | ![]() | 9192 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252AA(DPAK) | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商未定义 | 2796-DI087N03D1-AQTR | EAR99 | 8541.29.0000 | 1 | N沟道 | 30V | 87A(温度) | 4.5V、10V | 3mOhm@20A,10V | 2.5V@250μA | 39nC@15V | ±20V | 15V时为2486pF | - | 41.67W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001GP-AQ | 0.0417 | ![]() | 5507 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2796-1N4001GP-AQ | 8541.10.0000 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 5μA@50V | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB22 | 0.2149 | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB22TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@12V | 22V | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYP25K2 | 1.0184 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 压接 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BYP25K2TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@25A | 1.5微秒 | 100μA@200V | -50℃~215℃ | 25A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V6 | 0.0304 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZT52C3V6TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1V时为10μA | 3.6V | 130欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMS3Z7B5GW | 0.0333 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 300毫W | SOD-323 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-MMS3Z7B5GWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 5V时为1μA | 7.35V | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT800C | 0.7016 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-UFT800C | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1V@8A | 25纳秒 | 150V时为5μA | -50℃~150℃ | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB36 | 0.2149 | ![]() | 6227 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB36TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 17V时为1μA | 36V | 16欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDB14HS-AQ | 0.0753 | ![]() | 8359 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SDB14HS-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 520 毫伏 @ 700 毫安 | 5V时为40μA | -40℃~125℃ | 1A | 30pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z1SMA18-AQ | 0.1081 | ![]() | 9043 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z1SMA18-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 1V@200mA | 1μA@10V | 18V | 18欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-16 | 0.0266 | ![]() | 4608 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 310毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC807-16TR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45V | 800毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34-AQ | 0.1943 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SK34 | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK34-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@3安 | 40V时为500μA | -50℃~150℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK1840D2 | 0.6385 | ![]() | 5029 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK1840D2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 580毫伏@18安 | 40V时为500μA | -50℃~150℃ | 18A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGL34D | 0.0604 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-EGL34DTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.25V@500mA | 50纳秒 | 5μA@200V | -50℃~175℃ | 500毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GL1A | 0.0347 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-GL1ATR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.2V@1A | 1.5微秒 | 5μA@50V | -50℃~175℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMS3Z12BGW | 0.0333 | ![]() | 4727 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 300毫W | SOD-323 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 分段阅读_第2796章 | 8541.10.0000 | 3,000 | 8V时为100nA | 11.76V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C22GW | 0.0244 | ![]() | 9702 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | 表面贴装 | 350毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-BZT52C22GWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 22V | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRC110SS | 0.0298 | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBTRC110 | 200毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MMBTRC110SSTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 120@1mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3JSMB-CT | 0.4037 | ![]() | 3648 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | S3J | 标准 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S3JSMB-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@3A | 1.5微秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM4B3 | 0.0312 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM4B3TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 1μA@1V | 4V | 75欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556步步高 | 0.0241 | ![]() | 第470章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 500毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BC556步步高 | 8541.21.0000 | 5,000 | 65V | 100毫安 | 15纳安 | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 200@2mA,5V | 150兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21-AQ | 0.0333 | ![]() | 5200 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS21 | 标准 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 200V | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@200V | -55℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB100 | 0.2149 | ![]() | 9035 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB100TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 50V时为1μA | 100伏 | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z1SMA6.2 | 0.0919 | ![]() | 22号 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z1SMA6.2TR | 8541.10.0000 | 7,500 | 1V@200mA | 1μA@1.5V | 6.2V | 4.8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-40 | 0.0328 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-BC337-40TR | EAR99 | 8541.21.0000 | 4,000 | 45V | 800毫安 | 100纳安 | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 250@100mA,1V | 100兆赫兹 |

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