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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
ZMY27 Diotec Semiconductor ZMY27 -
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ECAD 7014 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY27TR 8541.10.0000 5,000 1μA@14V 27V 7欧姆
2BZX84B3V6 Diotec Semiconductor 2BZX84B3V6 0.0436
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ECAD 9846 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-2BZX84B3V6TR 8541.10.0000 3,000 1对共阳极 1V时为5μA 3.6V 90欧姆
BAT54A-AQ Diotec Semiconductor BAT54A-AQ 0.0363
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ECAD 6202 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 电池组54 肖特基 SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BAT54A-AQTR 8541.10.0000 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 1对共阳极 30V 200毫安 1V@100mA 5纳秒 2μA@25V -55℃~150℃
1N5384B Diotec Semiconductor 1N5384B 0.2073
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ECAD 3209 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 5W DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-1N5384BTR 8541.10.0000 1,700 122V时为500nA 160伏 350欧姆
RAL1K Diotec Semiconductor 拉尔1K 0.0829
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ECAD 7 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-RAL1KTR 8541.10.0000 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.3V@1A 500纳秒 800V时为3μA -50℃~175℃ 1A -
BYW27-1000-CT Diotec Semiconductor BYW27-1000-CT 0.4083
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ECAD 1788 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 通孔 DO-204AC、DO-41、极性 BYW27 标准 DO-41/DO-204AC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-BYW27-1000-CT 8541.10.0000 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.3V@1A 1.5微秒 1V时为200nA -50℃~175℃ 1A -
BC859CW Diotec Semiconductor BC859CW 0.0317
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ECAD 4590 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BC859CWTR 8541.21.0000 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 100兆赫兹
DIW120SIC023-AQ Diotec Semiconductor DIW120SIC023-AQ 78.9400
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ECAD 第1384章 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 SiCFET(碳化硅) TO-247 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 4878-DIW120SIC023-AQ 30 N沟道 1200伏 125A(温度) 18V 23毫欧@75A,18V 2.9V@250μA 45nC@18V 6150 pF @ 1000 V - 600W(温度)
Z2SMB68 Diotec Semiconductor Z2SMB68 0.2149
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ECAD 4970 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AA、SMB 2W SMB (DO-214AA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-Z2SMB68TR 8541.10.0000 3,000 1μA@34V 68V 25欧姆
SK86-3G Diotec Semiconductor SK86-3G 0.2886
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ECAD 6070 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SK86-3GTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 550毫伏@8安 50μA@60V -50℃~150℃ 8A -
ZPY82 Diotec Semiconductor ZPY82 0.0986
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ECAD 6651 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-204AC、DO-41、极性 1.3W DO-41/DO-204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPY82TR 8541.10.0000 5,000 41V时为1μA 82V 30欧姆
ZMY43 Diotec Semiconductor ZMY43 0.0764
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ECAD 60 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY43TR 8541.10.0000 5,000 1μA@20V 43V 24欧姆
2N7002PW Diotec Semiconductor 2N7002PW 0.0531
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ECAD 8912 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-2N7002PWTR 8541.21.0000 3,000 N沟道 60V 315mA(塔) 5V、10V 1.6欧姆@500mA,10V 2.4V@250μA 10V时为0.6nC ±20V 30pF@10V - 260毫W(塔)
ZPD33 Diotec Semiconductor ZPD33 0.0211
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ECAD 25 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPD33TR 8541.10.0000 10,000 100nA@24V 33V 40欧姆
RAL1B Diotec Semiconductor 拉尔1B 0.0585
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ECAD 7127 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-RAL1BTR 8541.10.0000 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.3V@1A 150纳秒 100V时为3μA -50℃~175℃ 1A -
SM5062 Diotec Semiconductor SM5062 0.0810
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ECAD 4956 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 标准 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SM5062TR 8541.10.0000 5,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@2A 1.5微秒 800V时为5μA -50℃~175℃ 2A -
SK810 Diotec Semiconductor SK810 0.3038
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ECAD 6176 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SK810TR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 850毫伏@8安 100V时为200μA -50℃~150℃ 8A -
ZMC16 Diotec Semiconductor ZMC16 0.0442
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ECAD 2983 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W SOD-80C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMC16TR 8541.10.0000 2,500人 12V时为100nA 16V 40欧姆
RGL1M Diotec Semiconductor RGL1M 0.0886
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ECAD 第302章 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-RGL1MTR 8541.10.0000 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.3V@1A 500纳秒 1000V时为5μA -50℃~175℃ 1A -
US2M Diotec Semiconductor 美国2M 0.1024
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ECAD 第447章 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-US2MTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.7V@2A 75纳秒 1000V时为5μA -50℃~150℃ 2A -
BAV756DW Diotec Semiconductor BAV756DW 0.0707
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ECAD 7240 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 巴夫756 标准 SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 8541.10.0000 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 90V 150毫安 1.25V@150mA 4纳秒 80V时为500nA -55℃~150℃
MMSZ5254B Diotec Semiconductor 彩信Z5254B 0.0304
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ECAD 1878年 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123F 500毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-MMSZ5254BTR 8541.10.0000 3,000 900毫伏@10毫安 100nA@21V 27V 41欧姆
1N5395 Diotec Semiconductor 1N5395 0.0331
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ECAD 2545 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-204AC、DO-15、极性 标准 DO15/DO204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-1N5395TR 8541.10.0000 4,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.3V@1.5A 1.5微秒 1700V时为5μA -50℃~175℃ 1.5A -
SDB14HS-AQ Diotec Semiconductor SDB14HS-AQ 0.0753
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ECAD 8359 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-90、SOD-323F 肖特基 SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SDB14HS-AQTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 520 毫伏 @ 700 毫安 5V时为40μA -40℃~125℃ 1A 30pF @ 4V、1MHz
DD1800 Diotec Semiconductor DD1800 0.6490
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ECAD 95 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 结合 标准 结合 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-DD1800TR 8541.10.0000 5,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 18000伏 40V@10mA 150纳秒 18000V时为5μA -50℃~150℃ 20毫安 -
L217 Diotec Semiconductor L217 0.1363
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ECAD 7 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 肖特基 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-L217TR 8541.10.0000 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 510毫伏@3安 40V时为50μA -50℃~150℃ 3A -
BC817-25-AQ Diotec Semiconductor BC817-25-AQ 0.0287
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ECAD 6 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC817 310毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BC817-25-AQTR 8541.21.0000 3,000 45V 800毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
MM3BZ18GW Diotec Semiconductor MM3BZ18GW 0.0379
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ECAD 1785 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-76、SOD-323 200毫W SOD-323 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 8541.10.0000 3,000 18V
P2000J Diotec Semiconductor P2000J 0.7469
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ECAD 2975 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 P600,屁股 标准 P600 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-P2000JTR 8541.10.0000 1,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@20A 1.5微秒 600V时为10μA -50℃~150℃ 20A -
ESW6004 Diotec Semiconductor ESW6004 2.3455
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ECAD 690 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 标准 TO-247 下载 符合RoHS标准 不适用 供应商未定义 2796-ESW6004 8541.10.0000 450 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.2V@60A 50纳秒 400V时为50μA -50℃~175℃ 60A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库