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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC859B | 0.0182 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC859BTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 220@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRA103SS | 0.0298 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBTRA103 | 200毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MMBTRA103SSTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | - | 70@10mA,5V | 200兆赫 | 22欧姆 | 22欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DIT050N06 | 1.9759 | ![]() | 2698 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | DIT050N | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2721-DIT050N06 | 10 | N沟道 | 60V | 50A(温度) | 10V | 20毫欧@20A,10V | 2.5V@250μA | 50nC@10V | ±20V | 2050pF@30V | - | 85W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M1-CT | 0.1462 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-M1-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 5μA@50V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V3 | 0.0301 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BZX84C4 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BZX84C4V3TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1V时为3μA | 4.3V | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB22 | 0.2149 | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB22TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@12V | 22V | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRC116SS | 0.0298 | ![]() | 1399 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBTRC116 | 200毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MMBTRC116SSTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | - | 33@10mA,5V | 250兆赫 | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ11 | 0.0995 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 3W | DO15/DO204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-3EZ11TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 5V时为1μA | 11伏 | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK510SMA-3G | 0.1745 | ![]() | 8643 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SK510SMA-3GTR | 8541.10.0000 | 7,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DIT150N03 | 1.0233 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-DIT150N03 | 8541.21.0000 | 50 | N沟道 | 30V | 150A(温度) | 4.5V、10V | 3mOhm@20A,10V | 2.5V@250μA | 38nC@10V | ±20V | 5000pF@25V | - | 130W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP208G | 0.1477 | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBP | KBP208 | 标准 | 钾BP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-KBP208G | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@2A | 800V时为5μA | 1.2A | 单相 | 800V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z3SMC18 | 0.2393 | ![]() | 第2251章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 3W | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z3SMC18TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@10V | 18V | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYP60A6 | 1.2263 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BYP60A6TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@60A | 1.5微秒 | 100 µA @ 600 V | -50℃~200℃ | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMC3.0 | 0.0442 | ![]() | 4179 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | 500毫W | 微型MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMC3.0TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 1V时为4μA | 3V | 85欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B80FS | 0.1851 | ![]() | 5154 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-269AA,4-BESOP | 标准 | 4-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-B80FSTR | 8541.10.0000 | 1,500人 | 1.3V@1A | 160V时为5μA | 1A | 单相 | 160伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF600J | 1.4705 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | P600,屁股 | 标准 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-UF600JTR | 8541.10.0000 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@5A | 100纳秒 | 600V时为10μA | -50℃~175℃ | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556ABK | 0.0241 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 500毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BC556ABK | 8541.21.0000 | 5,000 | 65V | 100毫安 | 15纳安 | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 110@2mA,5V | 150兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C6V8 | 0.0363 | ![]() | 6841 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-2BZX84C6V8TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对共阳极 | 2μA@4V | 6.8V | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PPL5150 | 0.4217 | ![]() | 7555 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | 肖特基 | TO-277-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-PPL5150TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 760 毫伏 @ 5 安 | 150V时为300μA | -50℃~150℃ | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C43 | 0.0363 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-2BZX84C43TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对共阳极 | 30.1V时为50nA | 43V | 150欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI35A | 1.3377 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBI | 标准 | GBI | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBI35A | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@17.5A | 5μA@50V | 5A | 单相 | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRC113SS | 0.0298 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBTRC113 | 200毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-MMBTRC113SSTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 120@1mA,5V | 250兆赫 | 22欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3040CD2R | 0.7322 | ![]() | 8425 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SK3040 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK3040CD2RTR | 8541.10.0000 | 24,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 15A | 550毫伏@15安 | 40V时为500μA | -50℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK23 | 0.0648 | ![]() | 7422 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK23TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 500毫伏@2安 | 30V时为500μA | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 高压V6 | 0.4087 | ![]() | 174 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 标准 | DO-15 (DO-204AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-HV6TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 6000伏 | 6V@200mA | 400纳秒 | 6000V时为3μA | -50℃~150℃ | 200毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S16KSD2-CT | 2.3502 | ![]() | 1054 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | S16KSD2 | 标准 | TO-263AB (D2PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S16KSD2-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@8A | 800V时为5μA | -50℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMZ51 | 0.0772 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 2W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SMZ51TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@24V | 51V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-16-AQ | 0.1455 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 1.3W | SOT-223 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-BCP56-16-AQTR | 8541.21.0000 | 4,000 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 100@150mA,2V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PT800J | 1.2230 | ![]() | 第1277章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-PT800J | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@8A | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD51 | 0.0447 | ![]() | 5120 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD51TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100nA@36V | 51V | 80欧姆 |

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