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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DB35-01 | 4.3940 | ![]() | 3346 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-01 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 a | 三期 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYP25A05 | 1.0184 | ![]() | 2314 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BYP25A05TR | 8541.10.0000 | 300 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 25 A | 1.5 µs | 100 µA @ 50 V | -50°C〜215°C | 25a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY3.6G | 0.0883 | ![]() | 4332 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-ZMY3.6GTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ3C56 | 0.1133 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 3 W | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-SZ3C56TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 28 V | 56 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3501FP | 2.4927 | ![]() | 8785 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,KBPC35 | 标准 | KBPC35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC3501FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 100 V | 35 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | B500C5000A | 1.7642 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B500C5000A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | gbu8a-t | 0.4087 | ![]() | 1658年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU8A-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 50 V | 5.6 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3504I | 3.5642 | ![]() | 1689年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBPC | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC3504I | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DB15-14 | 5.0182 | ![]() | 6192 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB15-14 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1400 V | 25 a | 三期 | 1.4 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR20DAD2 | 0.8542 | ![]() | 6798 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-FR20DAD2 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 960 mv @ 20 a | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GBI35G | 4.4779 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GBI35G | 8541.10.0000 | 30 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 5 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | DB15-06 | 28.7580 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-DB15-06 | 8541.10.0000 | 25 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 三期 | 600 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | DI068N03PQ-AQ | 0.3802 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | diotec半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | DI068N03 | MOSFET (金属 o化物) | 8-qfn(5x6) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-DI068N03PQ-AQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | n通道 | 30 V | 68A(TC) | 4mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 79 NC @ 10 V | ±20V | 3650 pf @ 15 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | KBPC2508I | 3.2932 | ![]() | 8543 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC25 | 标准 | KBPC25 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC2508I | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | B380C5000A | 1.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | 标准 | 4-Sil | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | DB25-08 | 15.6200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-DB25-08 | 8541.10.0000 | 30 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 a | 三期 | 800 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C6V8-AQ | 0.0480 | ![]() | 9563 | 0.00000000 | diotec半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-2BZX84C6V8-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1对公共阳极 | 6.8 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C22-AQ | 0.3683 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | diotec半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 500兆 | SOD-123F | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-BZT52C22-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100 na @ 17 V | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI25K | 0.9675 | ![]() | 4203 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI25K | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 4.2 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI35K | 1.4770 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI35K | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 5 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2510fp | 2.6314 | ![]() | 8 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,kbpc fp | 标准 | KBPC FP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||
![]() | B80C7000A | 1.4962 | ![]() | 4 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B80C7000A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 160 V | 4.8 a | 单相 | 160 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | gbu10k-t | 1.4897 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU10K-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 7 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR1M-AQ | 0.0672 | ![]() | 7624 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | do-214ac,SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-fr1m-aqtr | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | DB15-01 | 28.7580 | ![]() | 150 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-DB15-01 | 8541.10.0000 | 25 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 35 a | 三期 | 100 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | DBI20-12B | 7.3441 | ![]() | 9667 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 5-sip | 标准 | DBI-B | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DBI20-12B | 8541.10.0000 | 15 | 1.3 V @ 20 A | 10 µA @ 1200 V | 20 a | 三期 | 1.2 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DB25-18 | 8.9598 | ![]() | 1226 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 标准 | DB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 供应商不确定 | 2796-DB25-18 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1800 V | 25 a | 三期 | 1.8 kV | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Zy7.5 | 0.0986 | ![]() | 8283 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-Zy7.5tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 2 V | 7.5 v | 1欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DB15-16 | 5.0182 | ![]() | 3125 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB15-16 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1600 V | 25 a | 三期 | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI10B | 0.6209 | ![]() | 9 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI10B | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 100 V | 3 a | 单相 | 100 v |
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