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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FE3G | 0.2417 | ![]() | 4603 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-FE3GTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@3A | 50纳秒 | 5μA@400V | -50℃~175℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBUK8G | 2.1428 | ![]() | 4957 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | 标准 | GBU | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBUK8G | 8541.10.0000 | 1,000 | 900毫伏@8安 | 380V时为5μA | 8A | 单相 | 380伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI15D | 0.7301 | ![]() | 9965 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBI | 标准 | GBI | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBI15D | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@7.5A | 5μA@200V | 3.2A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY15 | - | ![]() | 6339 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 2W | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZY15TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@10V | 15V | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5X-CT | 1.2516 | ![]() | 9323 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S5X-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1800伏 | 1.1V@5A | 1.5微秒 | 1.8V时为10μA | -50℃~150℃ | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 396年 | 0.0951 | ![]() | 6166 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BY396TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.2V@3A | 500纳秒 | 100V时为5μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546A | 0.0306 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 500毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-BC546ATR | 8541.21.0000 | 4,000 | 65V | 100毫安 | 15纳安 | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 110@2mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858C | 0.0182 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC858CTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16-AQ | 0.0257 | ![]() | 5727 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 75V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | -55℃~150℃ | 215毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC328-25 | 0.2559 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2721-BC328-25 | 30 | 25V | 800毫安 | 100纳安 | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1M-CT | 0.2412 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | S1M | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S1M-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 1V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL101C | 0.0715 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 肖特基 | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-LL101CTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 900毫伏@15毫安 | 1纳秒 | 200nA@40V | -55℃~200℃ | 15毫安 | 2.2pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK35 | 0.1138 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-SK35TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 750 毫伏 @ 3 安 | 50V时为30μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30200CT | 0.9705 | ![]() | 4462 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2796-MBR30200CT | 8541.10.0000 | 1,000 | 200V | 30A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KT20K120 | 0.9247 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-KT20K120 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 120V | 980毫伏@20安 | 300纳秒 | 120V时为5μA | -50℃~175℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR1G | 0.0230 | ![]() | 7966 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-FR1GTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@1A | 150纳秒 | 5μA@400V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GL1J-CT | 0.3955 | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-GL1J-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.3V@1A | 1.5微秒 | 5μA@600V | -50℃~175℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW27-200-CT | 0.4083 | ![]() | 8865 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | BYW27 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-BYW27-200-CT | 8541.10.0000 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.3V@1A | 1.5微秒 | 200nA@200V | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY9.1G | 0.0883 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 1W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMY9.1GTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 500nA@7V | 9.1V | 2欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD3.0 | 0.0211 | ![]() | 9674 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD3.0TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 3V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FT2000AB | 2.5469 | ![]() | 115 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-FT2000AB | 8541.10.0000 | 10 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 960 毫伏 @ 20 安 | 200纳秒 | 100V时为5μA | -50℃~150℃ | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551 | 0.0306 | ![]() | 224 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-2N5551TR | 8541.21.0000 | 4,000 | 160伏 | 600毫安 | 50nA(ICBO) | NPN | 200毫伏@5毫安,50毫安 | 80@10mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY18 | 0.0764 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 1.3W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMY18TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@10V | 18V | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z1SMA7.5 | 0.0919 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z1SMA7.5TR | 8541.10.0000 | 7,500 | 1V@200mA | 1μA@2V | 7.5V | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF600A | 0.3406 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | P600,屁股 | 标准 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-UF600ATR | 8541.10.0000 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@5A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -50℃~175℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10-AQ | 0.0333 | ![]() | 5754 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZX84C10-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 7V时为200nA | 10V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN3422K | 0.1160 | ![]() | 2470 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 8541.21.0000 | 3,000 | N沟道 | 30V | 4.2A(Tj) | 2.5V、10V | 42毫欧@4.2A,10V | 1.2V@250μA | 10V时为14.5nC | ±12V | 387pF@25V | - | 1.25W(塔) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148 | 0.2404 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N414 | 标准 | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2721-1N4148 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 75V | 1V@10mA | 4纳秒 | 5μA@75V | -50℃~175℃ | 200毫安 | 4pF@0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5407K | 0.0897 | ![]() | 4429 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 标准 | DO15/DO204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-1N5407KTR | 8541.10.0000 | 4,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@3A | 800V时为10μA | -50℃~175℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BY4 | 1.3753 | ![]() | 2020年 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | 结合 | 标准 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BY4TR | 8541.10.0000 | 2,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 4000伏 | 4V@1A | 1.5微秒 | 4000V时为1μA | -50℃~150℃ | 1A | - |

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