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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
FE3G Diotec Semiconductor FE3G 0.2417
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ECAD 4603 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 标准 DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-FE3GTR 8541.10.0000 1,700 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.3V@3A 50纳秒 5μA@400V -50℃~175℃ 3A -
GBUK8G Diotec Semiconductor GBUK8G 2.1428
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ECAD 4957 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBU 标准 GBU 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-GBUK8G 8541.10.0000 1,000 900毫伏@8安 380V时为5μA 8A 单相 380伏
GBI15D Diotec Semiconductor GBI15D 0.7301
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ECAD 9965 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBI 标准 GBI 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-GBI15D 8541.10.0000 500 1.1V@7.5A 5μA@200V 3.2A 单相 200V
ZY15 Diotec Semiconductor ZY15 -
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ECAD 6339 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-204AC、DO-41、极性 2W DO-41/DO-204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZY15TR 8541.10.0000 5,000 1μA@10V 15V 5欧姆
S5X-CT Diotec Semiconductor S5X-CT 1.2516
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ECAD 9323 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 标准 SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-S5X-CT 8541.10.0000 15 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1800伏 1.1V@5A 1.5微秒 1.8V时为10μA -50℃~150℃ 5A -
BY396 Diotec Semiconductor 396年 0.0951
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ECAD 6166 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 标准 DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-BY396TR 8541.10.0000 1,700 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.2V@3A 500纳秒 100V时为5μA -50℃~150℃ 3A -
BC546A Diotec Semiconductor BC546A 0.0306
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ECAD 2927 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 500毫W TO-92 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-BC546ATR 8541.21.0000 4,000 65V 100毫安 15纳安 NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V 300兆赫
BC858C Diotec Semiconductor BC858C 0.0182
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ECAD 48 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-BC858CTR 8541.21.0000 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 100兆赫兹
BAS16-AQ Diotec Semiconductor BAS16-AQ 0.0257
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ECAD 5727 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAS16 标准 SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 75V 1.25V@150mA 4纳秒 75V时为1μA -55℃~150℃ 215毫安 2pF@0V、1MHz
BC328-25 Diotec Semiconductor BC328-25 0.2559
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ECAD 12 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 625毫W TO-92 下载 符合ROHS3标准 2721-BC328-25 30 25V 800毫安 100纳安 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
S1M-CT Diotec Semiconductor S1M-CT 0.2412
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ECAD 5 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA S1M 标准 DO-214AC (SMA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-S1M-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.1V@1A 1.5微秒 1V时为5μA -50℃~150℃ 1A -
LL101C Diotec Semiconductor LL101C 0.0715
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ECAD 150 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 肖特基 SOD-80C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-LL101CTR 8541.10.0000 2,500人 小信号=< 200mA (Io),任意速度 40V 900毫伏@15毫安 1纳秒 200nA@40V -55℃~200℃ 15毫安 2.2pF@0V、1MHz
SK35 Diotec Semiconductor SK35 0.1138
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ECAD 3 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-SK35TR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 750 毫伏 @ 3 安 50V时为30μA -50℃~150℃ 3A -
MBR30200CT Diotec Semiconductor MBR30200CT 0.9705
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ECAD 4462 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 不适用 供应商未定义 2796-MBR30200CT 8541.10.0000 1,000 200V 30A
KT20K120 Diotec Semiconductor KT20K120 0.9247
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ECAD 1 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-KT20K120 8541.10.0000 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 120V 980毫伏@20安 300纳秒 120V时为5μA -50℃~175℃ 20A -
FR1G Diotec Semiconductor FR1G 0.0230
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ECAD 7966 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-FR1GTR 8541.10.0000 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.3V@1A 150纳秒 5μA@400V -50℃~150℃ 1A -
GL1J-CT Diotec Semiconductor GL1J-CT 0.3955
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ECAD 1929年 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-GL1J-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.3V@1A 1.5微秒 5μA@600V -50℃~175℃ 1A -
BYW27-200-CT Diotec Semiconductor BYW27-200-CT 0.4083
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ECAD 8865 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 通孔 DO-204AC、DO-41、极性 BYW27 标准 DO-41/DO-204AC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-BYW27-200-CT 8541.10.0000 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.3V@1A 1.5微秒 200nA@200V -50℃~175℃ 1A -
ZMY9.1G Diotec Semiconductor ZMY9.1G 0.0883
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ECAD 35 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY9.1GTR 8541.10.0000 5,000 500nA@7V 9.1V 2欧姆
ZPD3.0 Diotec Semiconductor ZPD3.0 0.0211
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ECAD 9674 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPD3.0TR 8541.10.0000 10,000 3V 80欧姆
FT2000AB Diotec Semiconductor FT2000AB 2.5469
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ECAD 115 0.00000000 德欧泰克半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 可根据要求提供REACH信息 2721-FT2000AB 8541.10.0000 10 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 960 毫伏 @ 20 安 200纳秒 100V时为5μA -50℃~150℃ 20A -
2N5551 Diotec Semiconductor 2N5551 0.0306
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ECAD 224 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 625毫W TO-92 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-2N5551TR 8541.21.0000 4,000 160伏 600毫安 50nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 80@10mA,5V 300兆赫
ZMY18 Diotec Semiconductor ZMY18 0.0764
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ECAD 6346 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 1.3W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMY18TR 8541.10.0000 5,000 1μA@10V 18V 6欧姆
Z1SMA7.5 Diotec Semiconductor Z1SMA7.5 0.0919
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ECAD 7 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AC、SMA 1W DO-214AC (SMA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-Z1SMA7.5TR 8541.10.0000 7,500 1V@200mA 1μA@2V 7.5V 4欧姆
UF600A Diotec Semiconductor UF600A 0.3406
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ECAD 2 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 P600,屁股 标准 P600 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-UF600ATR 8541.10.0000 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@5A 75纳秒 50V时为10μA -50℃~175℃ 6A -
BZX84C10-AQ Diotec Semiconductor BZX84C10-AQ 0.0333
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ECAD 5754 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BZX84C10-AQTR 8541.10.0000 3,000 7V时为200nA 10V 20欧姆
MMFTN3422K Diotec Semiconductor MMFTN3422K 0.1160
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ECAD 2470 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 (TO-236) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 8541.21.0000 3,000 N沟道 30V 4.2A(Tj) 2.5V、10V 42毫欧@4.2A,10V 1.2V@250μA 10V时为14.5nC ±12V 387pF@25V - 1.25W(塔)
1N4148 Diotec Semiconductor 1N4148 0.2404
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ECAD 29 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N414 标准 DO-35 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2721-1N4148 EAR99 8541.10.0070 5,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 75V 1V@10mA 4纳秒 5μA@75V -50℃~175℃ 200毫安 4pF@0V、1MHz
1N5407K Diotec Semiconductor 1N5407K 0.0897
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ECAD 4429 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-204AC、DO-15、极性 标准 DO15/DO204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-1N5407KTR 8541.10.0000 4,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@3A 800V时为10μA -50℃~175℃ 3A -
BY4 Diotec Semiconductor BY4 1.3753
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ECAD 2020年 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 结合 标准 结合 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-BY4TR 8541.10.0000 2,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 4000伏 4V@1A 1.5微秒 4000V时为1μA -50℃~150℃ 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库