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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电压 - 阳极 - 阳极 (Vak)(最大) | 稳压器电流(最大) | 电压 - 限制(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GL1D-CT | 0.2420 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-GL1D-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@1A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~175℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ER3M | 0.1997 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ER3MTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.7V@3A | 75纳秒 | 1000V时为5μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5404 | 0.0794 | ![]() | 1012 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-1N5404TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.2V@3A | 1.5微秒 | 5μA@400V | -50℃~175℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM6.2 | 0.0257 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM6.2TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 100nA@2V | 6.2V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P600B-CT | 5.0000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 通孔 | P600,屁股 | P600B | 标准 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-P600B-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@6A | 1.5微秒 | 10μA@100V | -50℃~175℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CL40M35-AQ | 0.1902 | ![]() | 8005 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 电池充电器、LED驱动器 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | CL40 | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 8541.10.0000 | 7,500 | 90V | 46毫安 | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI5A7N65D1K-AQ | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252AA(DPAK) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-DI5A7N65D1K-AQTR | 8541.29.0000 | 1 | N沟道 | 650伏 | 5.7A(温度) | 10V | 430毫欧@4A,10V | 4V@250μA | 18.4nC@10V | ±30V | 722pF@325V | - | 36W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B33 | 0.0355 | ![]() | 5325 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZT52B33TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 100nA@23V | 33V | 250欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF5407 | 0.1341 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-UF5407TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@3A | 75纳秒 | 800V时为5μA | -50℃~175℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD7.5 | 0.0211 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD7.5TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 5V时为100nA | 7.5V | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z3SMC100 | 0.2393 | ![]() | 9770 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 3W | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z3SMC100TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 50V时为1μA | 100伏 | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 巴夫100 | 0.0528 | ![]() | 7345 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BAV100TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 50V | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 5μA@50V | -50℃~175℃ | 200毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-AQ | 0.0350 | ![]() | 6629 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BAS40-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 1V@40mA | 5纳秒 | 200nA@30V | -50℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2J-AQ | 0.1984 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ES2J-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 35纳秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK12 | 0.0512 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-SK12TR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 500毫伏@1安 | 20V时为500μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z1SMA20-AQ | 0.1081 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-Z1SMA20-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 1V@200mA | 1μA@15V | 20V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN20 | 0.0602 | ![]() | 7066 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MMFTN20TR | 8541.21.0000 | 3,000 | N沟道 | 50V | 100mA(塔) | 2.5V、10V | 15欧姆@100mA,10V | 1.8V@1mA | ±20V | 15pF@10V | - | 300毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C7V5 | 0.0304 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZT52C7V5TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 500nA@4V | 7.5V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB120 | 0.2149 | ![]() | 2353 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB120TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 60V时为1μA | 120V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB39 | 0.2149 | ![]() | 8221 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB39TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@20V | 39伏 | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI040P04D1-AQ | 0.9588 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | DI040P04 | MOSFET(金属O化物) | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI040P04D1-AQTR | 8541.21.0000 | 20万 | P沟道 | 40V | 40A(温度) | 4.5V、10V | 15毫欧@10A,10V | 2.5V@250μA | 59nC@10V | ±20V | 3538pF@20V | - | 52W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD6.2 | 0.0211 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD6.2TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100nA@2V | 6.2V | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UST1G | 0.0331 | ![]() | 6579 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-UST1GTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@1A | 50纳秒 | 5μA@400V | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGL34J | 0.0645 | ![]() | 2176 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-RGL34JTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@500mA | 250纳秒 | 5μA@600V | -50℃~175℃ | 500毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B12 | 0.0355 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZX84B12TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 8V时为100nA | 12V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC860B | 0.0244 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC860BTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 220@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFT8472DW | 0.4808 | ![]() | 2961 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | MMFT8472 | MOSFET(金属O化物) | 200毫W(塔) | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-MMFT8472DWTR | 8541.21.0000 | 750 | N 和 P 沟道 | 60V、50V | 115mA(Ta)、130mA(Ta) | 10欧姆@130mA,10V | 2.5V@250μA | - | 50pF@25V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z20 | 0.0333 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 200毫W | SOD-523 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-MM5Z20TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 14V时为50nA | 20V | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2G-AQ | 0.0791 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-S2G-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.15V@2A | 1.5微秒 | 5μA@400V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMD62B | 0.1011 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 1W | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMD62BTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 500nA@41V | 62V | 80欧姆 |

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