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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1)
UF5407 Diotec Semiconductor UF5407 0.1341
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ECAD 5701 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 标准 DO-201 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2796-UF5407TR 8541.10.0000 1,700 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.7V@3A 75纳秒 800V时为5μA -50℃~175℃ 3A -
ZPD7.5 Diotec Semiconductor ZPD7.5 0.0211
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ECAD 15 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPD7.5TR 8541.10.0000 10,000 5V时为100nA 7.5V 4欧姆
Z3SMC100 Diotec Semiconductor Z3SMC100 0.2393
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ECAD 9770 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AB、SMC 3W SMC (DO-214AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-Z3SMC100TR 8541.10.0000 3,000 50V时为1μA 100伏 60欧姆
BAV100 Diotec Semiconductor 巴夫100 0.0528
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ECAD 7345 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BAV100TR 8541.10.0000 2,500人 小信号=< 200mA (Io),任意速度 50V 1.25V@200mA 50纳秒 5μA@50V -50℃~175℃ 200毫安 -
BAS40-AQ Diotec Semiconductor BAS40-AQ 0.0350
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ECAD 6629 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BAS40-AQTR 8541.10.0000 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 40V 1V@40mA 5纳秒 200nA@30V -50℃~150℃ 200毫安 5pF @ 0V、1MHz
ES2J-AQ Diotec Semiconductor ES2J-AQ 0.1984
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ECAD 7222 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ES2J-AQTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.7V@2A 35纳秒 5μA@600V -50℃~150℃ 2A -
SK12 Diotec Semiconductor SK12 0.0512
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ECAD 135 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 肖特基 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-SK12TR 8541.10.0000 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 500毫伏@1安 20V时为500μA -50℃~150℃ 1A -
Z1SMA20-AQ Diotec Semiconductor Z1SMA20-AQ 0.1081
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ECAD 7 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AC、SMA 1W DO-214AC (SMA) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-Z1SMA20-AQTR 8541.10.0000 7,500 1V@200mA 1μA@15V 20V 20欧姆
MMFTN20 Diotec Semiconductor MMFTN20 0.0602
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ECAD 7066 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MMFTN20TR 8541.21.0000 3,000 N沟道 50V 100mA(塔) 2.5V、10V 15欧姆@100mA,10V 1.8V@1mA ±20V 15pF@10V - 300毫W(塔)
Z2SMB120 Diotec Semiconductor Z2SMB120 0.2149
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ECAD 2353 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AA、SMB 2W SMB (DO-214AA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-Z2SMB120TR 8541.10.0000 3,000 60V时为1μA 120V 80欧姆
Z2SMB39 Diotec Semiconductor Z2SMB39 0.2149
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ECAD 8221 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AA、SMB 2W SMB (DO-214AA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-Z2SMB39TR 8541.10.0000 3,000 1μA@20V 39伏 20欧姆
DI040P04D1-AQ Diotec Semiconductor DI040P04D1-AQ 0.9588
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ECAD 5207 0.00000000 德欧泰克半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 DI040P04 MOSFET(金属O化物) TO-252-3(DPAK) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-DI040P04D1-AQTR 8541.21.0000 20万 P沟道 40V 40A(温度) 4.5V、10V 15毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 59nC@10V ±20V 3538pF@20V - 52W(温度)
ZPD6.2 Diotec Semiconductor ZPD6.2 0.0211
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ECAD 30 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-ZPD6.2TR 8541.10.0000 10,000 100nA@2V 6.2V 5欧姆
UST1G Diotec Semiconductor UST1G 0.0331
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ECAD 6579 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-UST1GTR 8541.10.0000 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.25V@1A 50纳秒 5μA@400V -50℃~150℃ 1A -
RGL34J Diotec Semiconductor RGL34J 0.0645
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ECAD 2176 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AA 标准 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 2796-RGL34JTR 8541.10.0000 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.3V@500mA 250纳秒 5μA@600V -50℃~175℃ 500毫安 -
BZX84B12 Diotec Semiconductor BZX84B12 0.0355
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ECAD 6179 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BZX84B12TR 8541.10.0000 3,000 8V时为100nA 12V 25欧姆
BC860B Diotec Semiconductor BC860B 0.0244
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ECAD 30 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BC860BTR 8541.21.0000 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 100兆赫兹
MMFT8472DW Diotec Semiconductor MMFT8472DW 0.4808
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ECAD 2961 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 MMFT8472 MOSFET(金属O化物) 200毫W(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 不适用 可根据要求提供REACH信息 2721-MMFT8472DWTR 8541.21.0000 750 N 和 P 沟道 60V、50V 115mA(Ta)、130mA(Ta) 10欧姆@130mA,10V 2.5V@250μA - 50pF@25V -
MM5Z20 Diotec Semiconductor MM5Z20 0.0333
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ECAD 7888 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 200毫W SOD-523 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-MM5Z20TR 8541.10.0000 4,000 14V时为50nA 20V 55欧姆
S2G-AQ Diotec Semiconductor S2G-AQ 0.0791
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ECAD 7665 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-S2G-AQTR 8541.10.0000 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.15V@2A 1.5微秒 5μA@400V -50℃~150℃ 2A -
ZMD62B Diotec Semiconductor ZMD62B 0.1011
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ECAD 2 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AA 1W DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ZMD62BTR 8541.10.0000 2,500人 500nA@41V 62V 80欧姆
FX20K150 Diotec Semiconductor FX20K150 2.4702
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ECAD 2303 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 P600,屁股 标准 P600 下载 符合ROHS3标准 不适用 可根据要求提供REACH信息 2721-FX20K150TR 8541.10.0000 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 150伏 940 毫伏 @ 20 安 300纳秒 150V时为5μA -50℃~175℃ 20A -
BZX84B18 Diotec Semiconductor BZX84B18 0.0355
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ECAD 7411 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-BZX84B18TR 8541.10.0000 3,000 12.6V时为50nA 18V 45欧姆
MMFTN138-AQ Diotec Semiconductor MMFTN138-AQ -
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ECAD 6525 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236) 下载 不适用 不适用 供应商未定义 2796-MMFTN138-AQTR EAR99 8541.21.0000 1 N沟道 50V 220mA(塔) 4.5V、10V 3.5欧姆@220mA,10V 1.6V@1mA ±20V 60pF@25V - 360毫W(塔)
GBI35A Diotec Semiconductor GBI35A 1.3377
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ECAD 500 0.00000000 德欧泰克半导体 - 盒子 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBI 标准 GBI 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-GBI35A 8541.10.0000 500 1.1V@17.5A 5μA@50V 5A 单相 50V
3EZ51 Diotec Semiconductor 3EZ51 0.0995
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ECAD 3098 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-204AC、DO-15、极性 3W DO15/DO204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-3EZ51TR 8541.10.0000 4,000 1μA@24V 51V 25欧姆
MMBTRC113SS Diotec Semiconductor MMBTRC113SS 0.0298
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ECAD 1750 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBTRC113 200毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-MMBTRC113SSTR 8541.21.0000 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN - 预偏置 300mV@500μA,10mA 120@1mA,5V 250兆赫 22欧姆
ER1M-AQ Diotec Semiconductor ER1M-AQ 0.0913
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ECAD 2624 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC、SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-ER1M-AQTR 8541.10.0000 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.7V@1A 75纳秒 1000V时为5μA -50℃~150℃ 1A -
MM3Z16 Diotec Semiconductor MM3Z16 0.0304
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ECAD 390 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F 300毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM3Z16TR 8541.10.0000 3,000 1V@10mA 12V时为100nA 16V 40欧姆
SD103AW-AQ Diotec Semiconductor SD103AW-AQ 0.0415
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ECAD 2301 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F 肖特基 SOD-123F 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 2796-SD103AW-AQTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 32V 600 毫伏 @ 200 毫安 10纳秒 30V时为5μA -55℃~125℃ 350毫安 50pF@0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库