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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PPS5150 | 0.3770 | ![]() | 2933 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | 肖特基 | TO-277-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-PPS5150TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 850毫伏@5安 | 15μA@150V | -50℃~150℃ | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386B | 0.2073 | ![]() | 4504 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 5W | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-1N5386BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 137V时为500nA | 180伏 | 430欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK55SMC | 0.1431 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK55SMCTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 680 毫伏 @ 5 安 | 50V时为150μA | -50℃~150℃ | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4007 | 0.0228 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 8541.10.0000 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 1000V时为5μA | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Z2SMB62 | 0.2149 | ![]() | 7493 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 2W | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-Z2SMB62TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1μA@28V | 62V | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN138-AQ | - | ![]() | 6525 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 (TO-236) | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商未定义 | 2796-MMFTN138-AQTR | EAR99 | 8541.21.0000 | 1 | N沟道 | 50V | 220mA(塔) | 4.5V、10V | 3.5欧姆@220mA,10V | 1.6V@1mA | ±20V | 60pF@25V | - | 360毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z16 | 0.0304 | ![]() | 390 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 300毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MM3Z16TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1V@10mA | 12V时为100nA | 16V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ER1M-AQ | 0.0913 | ![]() | 2624 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ER1M-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.7V@1A | 75纳秒 | 1000V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KYW25A3 | 1.9341 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-KYW25A3 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.1V@25A | 1.5微秒 | 100μA@300V | -50℃~175℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3508I | 3.5642 | ![]() | 6454 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPC | 标准 | 4-SIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2721-KBPC3508I | 8541.10.0000 | 240 | 1.1V@17.5A | 800V时为10μA | 35A | 单相 | 800V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信190 | 0.1201 | ![]() | 5571 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-短信190TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 790 毫伏 @ 1 安 | 90V时为500μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY8.2 | 0.0986 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 2W | DO-41/DO-204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZY8.2TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@3.5V | 8.2V | 1欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC860C | 0.0244 | ![]() | 第1343章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC860CTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD1200 | - | ![]() | 7163 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | 结合 | 标准 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-DD1200TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 12000伏 | 40V@10mA | 150纳秒 | 12000V时为5μA | -50℃~150℃ | 20毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B500C3700A | 1.6111 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP | 标准 | 4-SIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-B500C3700A | 8541.10.0000 | 500 | 1V@3A | 1000V时为5μA | 2.7安 | 单相 | 1kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL101B | 0.0721 | ![]() | 5790 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 肖特基 | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-LL101BTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 50V | 950毫伏@15毫安 | 1纳秒 | 50V时为200nA | -55℃~200℃ | 15毫安 | 2.1pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SM5817 | 0.1057 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SM5817TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 750 毫伏 @ 3 安 | 1毫安@20伏 | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C18-AQ | 0.0371 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZT52C18-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100nA@13V | 18V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C47 | 0.3605 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2721-2BZX84C47 | 30 | 1对共阳极 | 32.9V时为50nA | 47V | 170欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-04 | 0.0314 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 巴斯夫70 | 肖特基 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BAS70-04TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 70V | 70毫安 | 1V@15mA | 5纳秒 | 50V时为100nA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBCT1030 | 0.6450 | ![]() | 2193 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SBCT1030 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 5A | 550毫伏@5安 | 30V时为300μA | -50℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40 | 0.0271 | ![]() | 第432章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BAS40TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 1V@40mA | 5纳秒 | 200nA@30V | -50℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI025N06PT-AQ | 0.2434 | ![]() | 3208 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-QFN (3x3) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-DI025N06PT-AQTR | 8541.29.0000 | 5,000 | N沟道 | 65V | 25A(温度) | 4.5V、10V | 20毫欧@8A,10V | 2.5V@250μA | ±20V | 406pF@30V | - | 25W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK26-AQ | 0.1249 | ![]() | 8203 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | SMB/DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 2796-SK26-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 500μA@60V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z24 | 0.0333 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 200毫W | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MM5Z24TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 16.8V时为50nA | 24V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SA155 | 0.0618 | ![]() | 8614 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 标准 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SA155TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@1A | 300纳秒 | 100V时为5μA | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 拉尔1J | 0.0799 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-RAL1JTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@1A | 250纳秒 | 600V时为3μA | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI017N06PQ-AQ | 0.3144 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 电源QFN 5x6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI017N06PQ-AQTR | 8541.29.0000 | 5,000 | N沟道 | 17A | 21W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857C-AQ | 0.0236 | ![]() | 6655 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BC857 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC857C-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UST1A | 0.0331 | ![]() | 8493 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-UST1ATR | 8541.10.0000 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@1A | 50纳秒 | 5μA@50V | -50℃~150℃ | 1A | - |

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