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离散半导体产品（（3563）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N5400	0.0783	RFQ	15	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-1N5400TR		8541.10.0000	1,700	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		1.2 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50°C〜175°C	3a	-
1N5378B	0.2073	RFQ	39	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-201aa，do-27，轴向			5 w	DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-1N5378BTR		8541.10.0000	1,700																		500 NA @ 76 V									100 v	90欧姆
MMBTA44	0.0491	RFQ	36	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MMBTA44TR		8541.21.0000	3,000																						400 v	300 MA			100NA（ICBO）			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	50MHz
MB6S	0.1114	RFQ	395	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop		标准		TO-269AA Minidil Slim	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MB6STR		8541.10.0000	5,000																1 V @ 400 MA		5 µA @ 600 V		500 MA				单相	600 v
BAS16-AQ	0.0257	RFQ	5727	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.10.0000	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	215ma	2pf @ 0v，1MHz
BZX84C33	0.0301	RFQ	213	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BZX84C33TR		8541.10.0000	3,000																		50 NA @ 23.1 V									33 V	80欧姆
SD103CW	0.0360	RFQ	6464	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-SD103CWTR		8541.10.0000	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													16 V		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	350mA	50pf @ 0v，1MHz
RGL34D	0.0572	RFQ	6708	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa，迷你甲	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-RGL34DTR		8541.10.0000	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.3 V @ 500 mA	150 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	500mA	-
BAV756DW	0.0707	RFQ	7240	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV756	标准		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.10.0000	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													90 v	150mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	-55°C〜150°C
RGP30M	-	RFQ	9115	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-RGP30MTR		8541.10.0000	1,700	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.2 V @ 3 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	3a	-
BAV70W	0.0314	RFQ	1	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV70	标准		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.10.0000	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	75 v	175ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）
DIT120N08	1.3886	RFQ	9	diotec半导体	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-DIT120N08		8541.21.0000	50		n通道	80 V	120A（TC）	10V	6mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	163 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	220W（TC）
PX1500B	0.5905	RFQ	3996	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向		标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-PX1500BTR		8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1 V @ 15 A	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-50°C〜175°C	15a	-
DBI20-08B	7.3441	RFQ	7061	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	5-sip		标准		DBI-B	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-DBI20-08B		8541.10.0000	15																1.3 V @ 20 A		10 µA @ 800 V		3 a				三期	800 v
BC556BBK	0.0241	RFQ	470	diotec半导体	-	盒子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BC556BBK		8541.21.0000	5,000																						65 v	100 ma			15NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
gbu6k-t	0.3371	RFQ	5157	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBU6K-T		8541.10.0000	1,000																1 V @ 6 A		5 µA @ 800 V		4.2 a				单相	800 v
FX2000A	0.7322	RFQ	2	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向		标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-FX2000ATR		8541.10.0000	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		940 mv @ 20 a	200 ns	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	20a	-
SB250	0.1051	RFQ	7880	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		肖特基		do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-SB250TR		8541.10.0000	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		700 mv @ 2 a		500 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	-
gbuk8d	2.1428	RFQ	1028	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBUK8D		8541.10.0000	1,000																900 mv @ 8 a		5 µA @ 190 V		8 a				单相	190 v
SB5200	-	RFQ	7039	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-SB5200TR		8541.10.0000	1,700	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		900 mv @ 5 a		100 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	5a	-
GBI35A	1.3377	RFQ	500	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI		标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBI35A		8541.10.0000	500																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 50 V		5 a				单相	50 V
GBU12D	1.5875	RFQ	47	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBU12D		8541.10.0000	1,000																1 V @ 12 A		5 µA @ 200 V		8.4 a				单相	200 v
KBPC10/15/2506fp	2.4357	RFQ	6	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方，KBPC		标准		KBPC	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC10/15/2506fp		8541.10.0000	240																1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		25 a				单相	600 v
P1000K	0.4775	RFQ	35	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向		标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-p1000ktr		8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v		1.05 V @ 10 A	1.5 µs	10 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	10a	-
ZPY27	0.0986	RFQ	9610	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-41，轴向			1.3 w	DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-ZPY27TR		8541.10.0000	5,000																		1 µA @ 14 V									27 V	7欧姆
KYW25A6	2.2009	RFQ	400	diotec半导体	-	盒子	积极的			通过洞	DO-208AA		标准		DO-208	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-KYW25A6		8541.10.0000	400	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.1 V @ 25 A	1.5 µs	100 µA @ 600 V	-50°C〜175°C	25a	-
DB25-14	5.0182	RFQ	1	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5平方英尺，DB-35		标准		DB	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-DB25-14	Ear99	8541.10.0080	50																1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 1400 V		25 a				三期	1.4 kV
HV2	0.0873	RFQ	120	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-41，轴向		标准		DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-HV2TR		8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2000 v		3 V @ 500 MA	400 ns	3 µA @ 2000 V	-50°C〜150°C	500mA	-
3EZ130	0.0995	RFQ	7077	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			3 W	do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-3EZ130TR		8541.10.0000	4,000																		1 µA @ 60 V									130 v	90欧姆
P2500D	0.8070	RFQ	2891	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向	P2500	标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-P2500DTR		8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.1 V @ 25 A	1.5 µs	10 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	25a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（3563）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²