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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfr014pbf-be3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr014pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	7.7A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1926DL-T1-BE3	0.4100	RFQ	3457	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），510MW（TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1926DL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	340mA ta（370mA to）TC）		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	-
IRFBC40PBF-BE3	2.4100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC40PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）		1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR120TRRPBF-BE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr120trrpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）		270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR110PBF-BE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr110pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1965DH-T1-BE3	0.5100	RFQ	9846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1965	MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	1.14A（ta），1.3a （TC）		390MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8V		120pf @ 6V	-
SQW61N65EF-GE3	12.3100	RFQ	380	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，e	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SQW61	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载		（1 （无限）		742-SQW61N65EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	62A（TC）		52MOHM @ 32A，10V	4V @ 250µA	344 NC @ 10 V	±30V	7379 PF @ 100 V	-	625W（TC）
SUM70030M-GE3	3.5300	RFQ	3959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	sum70030	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	150a（TC）		3.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	10870 pf @ 50 V	-	375W（TC）
SQJ136ELP-T1_GE3	1.6800	RFQ	8946	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ136	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ136ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	350a（TC）		1.12MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8015 PF @ 25 V	-	500W（TC）
SIHA24N80AE-GE3	3.4600	RFQ	794	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	-		（1 （无限）		742-SIHA24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	9A（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SIS176LDN-T1-GE3	0.9400	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	70 v	12.9a（ta），42.3a （TC）	3.3V，4.5V	10.9MOHM @ 10a，4.5V	1.6V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1660 pf @ 35 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIHF080N60E-GE3	4.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHF080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	14A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SQS414CENW-T1_GE3	0.6800	RFQ	3013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 2.4a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SIR5607DP-T1-RE3	2.7500	RFQ	5017	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	22.2a（ta），90.9a（tc）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIRS4400DP-T1-RE3	4.2200	RFQ	5057	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	77A（ta），440A （TC）	4.5V，10V	0.69mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	295 NC @ 10 V	±20V	13730 PF @ 20 V	-	7.4W（ta），240W（TC）
SISS4410DN-T1-GE3	0.8000	RFQ	6235	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	（14a）（TA），36a （TC）	7.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	+20V，-16V	850 pf @ 20 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SISD5300DN-T1-GE3	1.6100	RFQ	8063	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-F		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	62A（TA），198a （TC）	4.5V，10V	0.87MOHM @ 15A，10V	2V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+16V，-12V	5030 pf @ 15 V	-	5.4W（57W），57W（tc）
SIJ4819DP-T1-GE3	2.2100	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	11.5A（TA），44.4a （TC）	4.5V，10V	20.7MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 40 V	-	5W（5W），73.5W（TC）
SIHF074N65E-GE3	7.5700	RFQ	9394	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF074N65E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	14A（TC）	10V	79mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2904 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SIJ4106DP-T1-GE3	1.6900	RFQ	1999	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.8A（TA），59A （TC）	7.5V，10V	8.3mohm @ 15a，10v	3.8V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 50 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SQA300CEJW-T1_GE3	0.5300	RFQ	2728	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	30 V	5.63a（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	365 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
IRFP264NPBF	-	RFQ	4745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP264NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	44A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3860 pf @ 25 V	-	380W（TC）
SIR166DP-T1-GE3	1.5000	RFQ	6182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir166	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3340 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
IRF9Z24	-	RFQ	1992	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z24	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFI614GPBF	1.5500	RFQ	9983	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI614	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI614GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.1A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	23W（TC）
IRFD020PBF	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	2.4A（TC）	10V	100mohm @ 1.4a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRFB9N65APBF	2.8500	RFQ	956	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB9N65APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SI3483DV-T1-GE3	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3483	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6.2a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRF9640LPBF	1.8213	RFQ	3806	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SI8487DB-T1-E1	0.6900	RFQ	3066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8487	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.9a（ta）	2.5V，10V	31MOHM @ 2A，10V	1.2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±12V	2240 pf @ 15 V	-	1.1W（ta），2.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²