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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHF18N50C-E3	-	RFQ	9628	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	18A（TC）	10V	270MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	2942 PF @ 25 V	-	38W（TC）
SIHP22N60S-E3	-	RFQ	1043	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60SE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-
SI6544BDQ-T1-GE3	-	RFQ	9899	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6544	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	3.7a，3.8a		43MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI6968BEDQ-T1-GE3	0.7800	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6968	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	5.2a		22mohm @ 6.5a，4.5V	1.6V @ 250µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7431DP-T1-GE3	4.0900	RFQ	1015	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7431	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	2.2A（ta）	6V，10V	174mohm @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7439DP-T1-GE3	3.9800	RFQ	1182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7439	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	3A（3A）	6V，10V	90MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7454DP-T1-GE3	1.0773	RFQ	4952	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7454	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5A（5A）	6V，10V	34mohm @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7913DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7913	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	5a		37MOHM @ 7.4A，4.5V	1V @ 250µA	24nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA811DJ-T1-GE3	-	RFQ	8404	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIB412DK-T1-GE3	-	RFQ	1362	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 6.6a，4.5V	1V @ 250µA	10.16 NC @ 5 V	±8V	535 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI7135DP-T1-GE3	2.2300	RFQ	3236	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7135	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	8650 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI1051X-T1-GE3	-	RFQ	2469	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1051	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	122MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	9.45 NC @ 5 V	±5V	560 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
SI1054X-T1-GE3	-	RFQ	6435	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1054	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.32a，4.5V	1V @ 250µA	8.57 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
SI1069X-T1-GE3	-	RFQ	1073	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1069	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	940mA（ta）	2.5V，4.5V	184mohm @ 940mA，4.5V	1.5V @ 250µA	6.86 NC @ 5 V	±12V	308 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
SI2333CDS-T1-E3	0.6200	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	7.1A（TC）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 5.1A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI5403DC-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5403	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1340 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
SI5410DU-T1-GE3	-	RFQ	1748年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 6.6a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI7160DP-T1-GE3	-	RFQ	7644	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7160	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±16V	2970 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SI7164DP-T1-GE3	2.9100	RFQ	984	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	6.25mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2830 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI7170DP-T1-GE3	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7170	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 15a，10v	2.6V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4355 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SI7172DP-T1-GE3	2.8200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7172	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	25A（TC）	6V，10V	70MOHM @ 5.9A，10V	4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 100 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SI7174DP-T1-GE3	3.1700	RFQ	710	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7174	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	60a（TC）	10V	7mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI7194DP-T1-GE3	-	RFQ	4426	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7194	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6590 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7224DN-T1-GE3	-	RFQ	9964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7224	MOSFET （金属 o化物）	17.8W，23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6a		35mohm @ 6.5a，10v	2.2V @ 250µA	14.5nc @ 10V		570pf @ 15V	逻辑级别门
SI7322DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18A（TC）	10V	58MOHM @ 5.5A，10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	3561	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7611	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	18A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
SI7620DN-T1-GE3	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7620	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	13A（TC）	10V	126mohm @ 3.6A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	3.8W（TA），5.2W（TC）
SI7658ADP-T1-GE3	2.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7658	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7742DP-T1-GE3	0.8647	RFQ	2259	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7742	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7748DP-T1-GE3	-	RFQ	8478	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7748	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 15a，10v	2.7V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±20V	3770 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），56W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²