SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SISS66 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 49.1A(TA),178.3A (TC) 4.5V,10V 1.38mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 85.5 NC @ 10 V +20V,-16V 3327 PF @ 15 V ((() 5.1W(TA),65.8W(tc)
SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA22DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SIJA22 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIJA22DP-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 64A(TA),201a (TC) 0.74MOHM @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 125 NC @ 10 V +20V,-16V 6500 PF @ 15 V - 4.8W(TA),48W(tc)
SIHP22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHP22N60S-E3 -
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHP22N60SE3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 22a(TC) 190mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V 2810 PF @ 25 V -
SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3 2.7600
RFQ
ECAD 2748 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SQD40 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 100 v 38A(TC) 4.5V,10V 40mohm @ 8.2a,10v 2.5V @ 250µA 144 NC @ 10 V ±20V 5540 pf @ 15 V - 136W(TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SISS22 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 25.5A(ta),92.5a tc) 4.5V,10V 3.65mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2540 pf @ 30 V - 5W(5W),65.7W(TC)
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL9110TRPBF-BE3 0.8800
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA IRFL9110 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 1.1A(TC) 10V 1.2OHM @ 660mA,10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 V ±20V 200 pf @ 25 V - 2W(TA),3.1W(TC)
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_BE3 0.9000
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2310 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 742-SQ2310ES-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A(TC) 1.5V,4.5V 30mohm @ 5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±8V 485 pf @ 10 V - 2W(TC)
SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N80AE-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIHD6 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 75 n通道 800 v 5A(TC) 10V 950MOHM @ 2A,10V 4V @ 250µA 22.5 NC @ 10 V ±30V 422 PF @ 100 V - 62.5W(TC)
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 6.0700
RFQ
ECAD 879 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHB30N60EGE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 29A(TC) 10V 125mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 100 V - 250W(TC)
SIHB22N60S-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60S-GE3 -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix s 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB22 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 600 v 22a(TC) 10V 190mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 2810 PF @ 25 V - 250W(TC)
IRFR214TRPBF Vishay Siliconix IRFR214TRPBF 1.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR214 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 2.2A(TC) 10V 2ohm @ 1.3A,10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5456DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8269 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Chipfet™ SI5456 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 12A(TC) 4.5V,10V 10mohm @ 9.3a,10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 10 V - 3.1W(TA),31W((((((
SIHP14N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHP14N50D-GE3 1.4464
RFQ
ECAD 6015 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP14 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 14A(TC) 10V 400mohm @ 7a,10v 5V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 1144 PF @ 100 V - 208W(TC)
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS482ENW-T1_GE3 0.9200
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8W SQS482 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A(TC) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 16.4a,10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1865 PF @ 25 V - 62W(TC)
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SO-8DC 下载 (1 (无限) 742-SIDR668DP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 23.2A(ta),95a(tc) 7.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 50 V - 6.25W(TA),125W(((((((((((
SUM110N04-05H-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-05H-E3 -
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 110A(TC) 10V 5.3MOHM @ 30a,10v 5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 6700 PF @ 25 V - 3.75W(TA),150W(tc)
SUM70090E-GE3 Vishay Siliconix SUM70090E-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 1264 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum70090 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 50A(TC) 7.5V,10V 8.9mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 50 V - 125W(TC)
SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA20EP-T1_BE3 1.4700
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) 742-SQJA20EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 22.5A(TC) 7.5V,10V 50mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 68W(TC)
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5473DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5473 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5.9a(ta) 1.8V,4.5V 27mohm @ 5.9a,4.5V 1V @ 250µA 32 NC @ 4.5 V ±8V - 1.3W(TA)
SI1054X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1054X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6435 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1054 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 12 v 1.32A(TA) 1.8V,4.5V 95MOHM @ 1.32a,4.5V 1V @ 250µA 8.57 NC @ 5 V ±8V 480 pf @ 6 V - 236MW(TA)
SI1917EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1917 MOSFET (金属 o化物) 570MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 1a 370MOHM @ 1A,4.5V 450mv @ 100µA(100µA)) 2NC @ 4.5V - 逻辑级别门
V30433-T1-GE3 Vishay Siliconix V30433-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 Vishay Siliconix * 胶带和卷轴((tr) 过时的 V30433 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 3,000
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-70-6 SQA401 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SC-70-6单 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.75A(TC) 2.5V,4.5V 125mohm @ 2.4a,4.5V 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 V ±12V 330 pf @ 10 V - 13.6W(TC)
2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660-E3 -
RFQ
ECAD 7399 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N6660 MOSFET (金属 o化物) TO-205AD(TO-39) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 60 V 990mA(tc) 5V,10V 3ohm @ 1a,10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - (725MW)(6.25W)TC)
SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR4409DP-T1-RE3 1.3100
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 17.2A(ta),60.6a tc) 4.5V,10V 9mohm @ 15a,10v 2.3V @ 250µA 126 NC @ 10 V ±20V 5670 pf @ 20 V - 4.8W(ta),59.5W(TC)
SIR826ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR826ADP-T1-GE3 2.5400
RFQ
ECAD 9717 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir826 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 60a(TC) 4.5V,10V 5.5MOHM @ 20A,10V 2.8V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 40 V - 6.25W(TA),104W(tc)
SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4823 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 20 v 4.1A(TC) 2.5V,4.5V 108mohm @ 3.3a,4.5V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±12V 660 pf @ 10 V Schottky 二极管(孤立) 1.7W(ta),2.8W(TC)
SQS482EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
ECAD 7825 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 (1 (无限) 742-sqs482en-t1_be3tr Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A(TC) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 16.4a,10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1865 PF @ 25 V - 62W(TC)
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK055N60EF-T1GE3 9.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix EF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerbsfn SIHK055 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®10x12 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 40a(TC) 10V 58mohm @ 16a,10v 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3667 PF @ 100 V - 236W(TC)
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA34EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJA34 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 68W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库