电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SISS66DN-T1-GE3 | 1.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISS66 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 49.1A(TA),178.3A (TC) | 4.5V,10V | 1.38mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 85.5 NC @ 10 V | +20V,-16V | 3327 PF @ 15 V | ((() | 5.1W(TA),65.8W(tc) | |||||
![]() | SIJA22DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SIJA22 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIJA22DP-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 64A(TA),201a (TC) | 0.74MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | +20V,-16V | 6500 PF @ 15 V | - | 4.8W(TA),48W(tc) | |||||
![]() | SIHP22N60S-E3 | - | ![]() | 1043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHP22N60SE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 190mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | 2810 PF @ 25 V | - | ||||||||
![]() | SQD40P10-40L_GE3 | 2.7600 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 100 v | 38A(TC) | 4.5V,10V | 40mohm @ 8.2a,10v | 2.5V @ 250µA | 144 NC @ 10 V | ±20V | 5540 pf @ 15 V | - | 136W(TC) | |||||
![]() | SISS22LDN-T1-GE3 | 1.2100 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISS22 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SISS22LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 25.5A(ta),92.5a tc) | 4.5V,10V | 3.65mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2540 pf @ 30 V | - | 5W(5W),65.7W(TC) | ||||
![]() | IRFL9110TRPBF-BE3 | 0.8800 | ![]() | 1456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRFL9110 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 1.1A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 660mA,10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | ||||||
![]() | SQ2310ES-T1_BE3 | 0.9000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | 742-SQ2310ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A(TC) | 1.5V,4.5V | 30mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ±8V | 485 pf @ 10 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SIHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 800 v | 5A(TC) | 10V | 950MOHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±30V | 422 PF @ 100 V | - | 62.5W(TC) | |||||
![]() | SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | ![]() | 879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHB30N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 29A(TC) | 10V | 125mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 100 V | - | 250W(TC) | ||||
![]() | SIHB22N60S-GE3 | - | ![]() | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | s | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 190mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 2810 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||
![]() | IRFR214TRPBF | 1.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR214 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 250 v | 2.2A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.3A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SI5456DU-T1-GE3 | - | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5456 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 12A(TC) | 4.5V,10V | 10mohm @ 9.3a,10v | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.1W(TA),31W(((((( | ||||
![]() | SIHP14N50D-GE3 | 1.4464 | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 400mohm @ 7a,10v | 5V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±30V | 1144 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | |||||
![]() | SQS482ENW-T1_GE3 | 0.9200 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8W | SQS482 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 16.4a,10V | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 1865 PF @ 25 V | - | 62W(TC) | |||||
![]() | SIDR668DP-T1-RE3 | 2.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SO-8DC | 下载 | (1 (无限) | 742-SIDR668DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 23.2A(ta),95a(tc) | 7.5V,10V | 4.8mohm @ 20a,10v | 3.4V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 50 V | - | 6.25W(TA),125W((((((((((( | ||||||
![]() | SUM110N04-05H-E3 | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 110A(TC) | 10V | 5.3MOHM @ 30a,10v | 5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 6700 PF @ 25 V | - | 3.75W(TA),150W(tc) | ||||
![]() | SUM70090E-GE3 | 1.6600 | ![]() | 1264 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum70090 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 7.5V,10V | 8.9mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 1950 pf @ 50 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | SQJA20EP-T1_BE3 | 1.4700 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJA20EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 22.5A(TC) | 7.5V,10V | 50mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||
![]() | SI5473DC-T1-GE3 | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5473 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.9a(ta) | 1.8V,4.5V | 27mohm @ 5.9a,4.5V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SI1054X-T1-GE3 | - | ![]() | 6435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1054 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 1.32A(TA) | 1.8V,4.5V | 95MOHM @ 1.32a,4.5V | 1V @ 250µA | 8.57 NC @ 5 V | ±8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW(TA) | ||||
![]() | SI1917EDH-T1-E3 | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1917 | MOSFET (金属 o化物) | 570MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 1a | 370MOHM @ 1A,4.5V | 450mv @ 100µA(100µA)) | 2NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | V30433-T1-GE3 | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | V30433 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SQA401EJ-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SQA401 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6单 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.75A(TC) | 2.5V,4.5V | 125mohm @ 2.4a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 330 pf @ 10 V | - | 13.6W(TC) | |||||
![]() | 2N6660-E3 | - | ![]() | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N6660 | MOSFET (金属 o化物) | TO-205AD(TO-39) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 60 V | 990mA(tc) | 5V,10V | 3ohm @ 1a,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | (725MW)(6.25W)TC) | |||||
![]() | SIR4409DP-T1-RE3 | 1.3100 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 17.2A(ta),60.6a tc) | 4.5V,10V | 9mohm @ 15a,10v | 2.3V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 5670 pf @ 20 V | - | 4.8W(ta),59.5W(TC) | ||||||
![]() | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | ![]() | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir826 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 5.5MOHM @ 20A,10V | 2.8V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 40 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | SI4823DY-T1-E3 | - | ![]() | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4823 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 4.1A(TC) | 2.5V,4.5V | 108mohm @ 3.3a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±12V | 660 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.7W(ta),2.8W(TC) | |||||
![]() | SQS482EN-T1_BE3 | 0.9100 | ![]() | 7825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-sqs482en-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 16.4a,10V | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 1865 PF @ 25 V | - | 62W(TC) | ||||||
![]() | SIHK055N60EF-T1GE3 | 9.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerbsfn | SIHK055 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®10x12 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 40a(TC) | 10V | 58mohm @ 16a,10v | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3667 PF @ 100 V | - | 236W(TC) | |||||
![]() | SQJA34EP-T1_GE3 | 1.1100 | ![]() | 4562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJA34 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 4.3mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 25 V | - | 68W(TC) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库