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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4330DY-T1-E3	-	RFQ	4591	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4330	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.6a		16.5MOHM @ 8.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFR9214	-	RFQ	9365	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9214	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI1471DH-T1-E3	-	RFQ	2677	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1471	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	2.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	1.6V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V	±12V	445 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SIZ904DT-T1-GE3	0.4969	RFQ	9768	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ904	MOSFET （金属 o化物）	20W，33W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	12a，16a		24mohm @ 7.8a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
IRF2807ZSTRL	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF2807	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SQD40131EL_GE3	1.3500	RFQ	6953	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40131	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI3586DV-T1-GE3	-	RFQ	4225	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3586	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.9a，2.1a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1563DH-T1-E3	-	RFQ	3040	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7964DP-T1-E3	-	RFQ	3245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7964	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.1a		23mohm @ 9.6a，10v	4.5V @ 250µA	65nc @ 10V		-	-
SQJA04EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA04	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	75A（TC）	10V	6.2MOHM @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IRF9540STRL	-	RFQ	7576	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIJ420DP-T1-GE3	-	RFQ	2145	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij420	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3630 PF @ 10 V	-	4.8W（TA），62.5W（tc）
SIHA25N60EFL-E3	2.4990	RFQ	8882	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	39W（TC）
IRFU110	-	RFQ	7158	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU110	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SIHP065N60E-GE3	7.2600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP065	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI1428EDH-T1-GE3	-	RFQ	4855	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1428	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4A（TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.3V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±12V		-	2.8W（TC）
SUD19P06-60-BE3	1.1800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	18.3a（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	2.3W（TA），38.5W（tc）
irfz20pbf	1.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRLR024TRPBF	1.2900	RFQ	709	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUP10250E-GE3	2.8900	RFQ	2400	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	63A（TC）	7.5V，10V		4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V		-	375W（TC）
SI4936ADY-T1-E3	1.9800	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.4a		36mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
2N6660JTXP02	-	RFQ	7376	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SQM120P06-07L_GE3	3.6400	RFQ	2557	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	14280 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SQD50P06-15L_GE3	2.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15.5mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SI2302ADS-T1-E3	-	RFQ	9440	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 50µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SI4559ADY-T1-GE3	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4559	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	5.3a，3.9a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
SQM40031EL_GE3	2.9200	RFQ	8142	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40031	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	800 NC @ 10 V	±20V	39000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRF720STRR	-	RFQ	5118	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI4447ADY-T1-GE3	0.5900	RFQ	6834	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4447	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	7.2A（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 20 V	-	4.2W（TC）
SUP53P06-20-E3	2.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SUP53P0620E3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²