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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4190ADY-T1-GE3	1.8600	RFQ	9392	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	18.4a（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 50 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SIJ482DP-T1-GE3	1.8000	RFQ	1441	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sij482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.7V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2425 PF @ 40 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SIHF8N50D-E3	1.6600	RFQ	1678年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHF5N50D-E3	1.3700	RFQ	9065	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	30W（TC）
SIHG17N60D-E3	2.4665	RFQ	3025	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IRF9610SPBF	1.9500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）
SIHF10N40D-E3	1.7000	RFQ	638	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	SIHF10N40DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	33W（TC）
SIS892ADN-T1-GE3	1.0700	RFQ	2085	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	28a（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIHG14N50D-E3	2.0567	RFQ	2998	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG14	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	SIHG14N50DE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHP14N50D-E3	2.9400	RFQ	3704	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	SIHP14N50DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHA20N50E-E3	2.9400	RFQ	6914	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SIHB33N60EF-GE3	6.5000	RFQ	734	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	33A（TC）	10V	98mohm @ 16.5a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±30V	3454 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SIHP12N50E-GE3	1.8600	RFQ	971	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	114W（TC）
SQ1470AEH-T1_GE3	0.6000	RFQ	272	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	1.7A（TC）	2.5V，4.5V	65mohm @ 4.2A，4.5V	1.6V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	±12V	450 pf @ 15 V	-	3.3W（TC）
SQ3426AEEV-T1_GE3	0.7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	700 pf @ 30 V	-	5W（TC）
SQ2361AEES-T1_GE3	0.6700	RFQ	5979	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.8A（TC）	10V	170MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SQ3427EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	445	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 30 V	-	5W（TC）
SQ1440EH-T1_GE3	0.6000	RFQ	144	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1440	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	120MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	344 pf @ 15 V	-	3.3W（TC）
SQM120N04-1M7_GE3	2.1512	RFQ	7763	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	SQM120N04-1M7-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.7MOHM @ 30a，10V	3.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	±20V	17350 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SQR97N06-6M3L_GE3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQR97	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	97A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	6060 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SQS840EN-T1_GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1031 PF @ 20 V	-	33W（TC）
SIHW70N60EF-GE3	8.2809	RFQ	8568	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW70	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	70A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 100 V	-	520W（TC）
SQD50N04-5M6_GE3	0.7578	RFQ	3969	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）	10V	5.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	71W（TC）
SIHB35N60E-GE3	6.4000	RFQ	229	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB35	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SQ2309ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	3026	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
SI4463CDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	97	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4463	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	13.6A（TA），49A （TC）	2.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	1.4V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±12V	4250 pf @ 15 V	-	2.7W（ta），5W（tc）
SQ2315ES-T1_GE3	0.6000	RFQ	16	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2315	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5A（TC）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3.5A，10V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±8V	870 pf @ 4 V	-	2W（TC）
SQ2303ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	170MOHM @ 1.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.9W（TC）
SIZ342DT-T1-GE3	0.9200	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ342	-	3.6W，4.3W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7a（TA），100A（tc）		11.5MOHM @ 14A，10V	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		650pf @ 15V	-
SQ2351ES-T1_GE3	0.6000	RFQ	21	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（TC）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²