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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4505DY-T1-E3	-	RFQ	4440	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4505	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V，8V	6a，3.8a		18mohm @ 7.8a，10v	1.8V @ 250µA	20nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4214DDY-T1-E3	0.9600	RFQ	4356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		19.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
SI4228DY-T1-E3	-	RFQ	3738	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4228	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		18mohm @ 7a，10v	1.4V @ 250µA	25nc @ 10V		790pf @ 12.5V	逻辑级别门
SI4276DY-T1-E3	-	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
SUD25N15-52-E3	2.5100	RFQ	93	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	6V，10V	52MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SUD45P03-10-E3	-	RFQ	3573	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	（4W）（ta），70w（tc）（TC）
SUD50N024-09P-E3	-	RFQ	2897	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	22 v	49A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
SUD50N03-06AP-E3	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	（10W）（ta），83W（tc）
SUD50N04-05L-E3	-	RFQ	7499	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	115A（TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	136W（TC）
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SUD50N04-37P-T4-E3	-	RFQ	3712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	5.4A（ta），8a tc）	4.5V，10V	37MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 20 V	-	2W（TA），10.8W（TC）
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SUD50N06-08H-E3	-	RFQ	3414	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	93A（TC）	10V	7.8mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SUD50P06-15L-E3	2.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
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SUP40N10-30-GE3	-	RFQ	6307	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	38.5A（TC）	6V，10V	30mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），89W（tc）
SUP40P10-43-GE3	-	RFQ	6733	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		P通道	100 v	36a（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
SUP45N03-13L-E3	-	RFQ	2190	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 45a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±10V	2730 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SUP60N06-12P-GE3	-	RFQ	5090	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	60a（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W（TA），100W（（（（（（（（
SI8497DB-T2-E1	0.2083	RFQ	5512	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8497	MOSFET （金属 o化物）		6微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	13A（TC）	2V，4.5V	53MOHM @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±12V	1320 pf @ 15 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
SQ1421EDH-T1_GE3	0.5300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1421	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.6A（TC）	4.5V，10V	290MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±20V	355 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
SQ3427EEV-T1-GE3	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.5A（TC）	4.5V，10V	82MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1125 PF @ 30 V	-	5W（TC）
SQ1431EH-T1_GE3	0.6000	RFQ	35	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（TC）	4.5V，10V	175MOHM @ 2A，10V	2V @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±20V	205 pf @ 25 V	-	3W（TC）
SIRA00DP-T1-GE3	2.1800	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	+20V，-16V	11700 PF @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4190ADY-T1-GE3	1.8600	RFQ	9392	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	18.4a（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 50 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SIJ482DP-T1-GE3	1.8000	RFQ	1441	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sij482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.7V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2425 PF @ 40 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SIHF8N50D-E3	1.6600	RFQ	1678年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHF5N50D-E3	1.3700	RFQ	9065	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²