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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3465DV-T1-GE3 | - |  | 2979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3A（3A） | 4.5V，10V | 80mohm @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 5.5 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.14W（TA） | |||||
| SI3805DV-T1-E3 | - | | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3805 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.3A（TC） | 2.5V，10V | 84mohm @ 3a，10v | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±12V | 330 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.1W（1.1W），1.4W（TC） | ||||
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| SI4944DY-T1-GE3 | - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4944 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 9.3a | 9.5MOHM @ 12.2a，10V | 3V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
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 | SI5406DC-T1-GE3 | - | | 7272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5406 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 6.9a（ta） | 2.5V，4.5V | 20mohm @ 6.9a，4.5V | 600mv @ 1.2mA （最小） | 20 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5414DC-T1-GE3 | - | | 9131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5414 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A（TC） | 2.5V，4.5V | 17mohm @ 9.9a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±12V | 1500 pf @ 10 V | - | 2.5W（ta），6.3W（TC） | |||
| SI5445BDC-T1-GE3 | - | | 1786年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5445 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 5.2a（ta） | 1.8V，4.5V | 33MOHM @ 5.2A，4.5V | 1V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W（TA） | ||||
 | SI5480DU-T1-GE3 | - | | 7563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5480 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12A（TC） | 4.5V，10V | 16mohm @ 7.2a，10v | 3V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W（TA），31W（（（（（（ | |||
| SI5515CDC-T1-E3 | 0.8300 | | 6506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5515 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4A（TC） | 36mohm @ 6a，4.5V | 800MV @ 250µA | 11.3nc @ 5V | 632pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
 | SI5857DU-T1-GE3 | - | | 7076 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5857 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 6A（TC） | 2.5V，4.5V | 58MOHM @ 3.6A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±12V | 480 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 2.3W（TA），10.4W（TC） | |||
| SI5902BDC-T1-E3 | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5902 | MOSFET （金属 o化物） | 3.12W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4A（TC） | 65mohm @ 3.1a，10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5905DC-T1-GE3 | - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5905 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 8V | 3a | 90MOHM @ 3A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 9NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5915BDC-T1-GE3 | - | | 2103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5915 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 8V | 4a | 70mohm @ 3.3a，4.5V | 1V @ 250µA | 14NC @ 8V | 420pf @ 4V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5944DU-T1-GE3 | - | | 5386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5944 | MOSFET （金属 o化物） | 10W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 6a | 112MOHM @ 3.3A，10V | 3V @ 250µA | 6.6nc @ 10V | 210pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||||
 | SI6404DQ-T1-GE3 | - | | 8129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6404 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8.6a（ta） | 2.5V，10V | 9mohm @ 11a，10v | 600mv @ 250µA（250µA）） | 48 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.08W（TA） | ||||
| SI6413DQ-T1-GE3 | - | | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6413 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 7.2A（ta） | 1.8V，4.5V | 10mohm @ 8.8a，4.5V | 800mv @ 400µA | 105 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.05W（TA） | ||||
| SI6469DQ-T1-E3 | - | | 9531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6469 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 6a（6a） | 1.8V，4.5V | 28mohm @ 6a，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 40 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6966 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI7100DN-T1-GE3 | - | | 2915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7100 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 35A（TC） | 2.5V，4.5V | 3.5MOHM @ 15a，4.5V | 1V @ 250µA | 105 NC @ 8 V | ±8V | 3810 PF @ 4 V | - | 3.8W（TA），52W（TC） | |||
| SI7117DN-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7117 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 2.17A（TC） | 6V，10V | 1.2OHM @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 510 pf @ 25 V | - | 3.2W（TA），12.5W（tc） | ||||
 | SI7149DP-T1-GE3 | 1.5800 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7149 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 50A（TC） | 4.5V，10V | 5.2MOHM @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 147 NC @ 10 V | ±25V | 4590 pf @ 15 V | - | 69W（TC） |
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