分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
IRF9Z30	-	询价	2157	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF9	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF9Z30	EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	50V	18A（温度）	10V	140毫欧@9.3A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±20V	900pF@25V	-	74W（温度）
SIR140DP-T1-RE3	2.1700	询价	11	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR140	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	71.9A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	0.67毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	170nC@10V	+20V，-16V	10V时为8150pF	-	6.25W（Ta）、104W（Tc）
SI3443CDV-T1-BE3	0.5400	询价	2	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）		742-SI3443CDV-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.7A（Ta）、5.97A（Tc）	2.5V、4.5V	60毫欧@4.7A，4.5V	1.5V@250μA	12.4nC@5V	±12V	610pF@10V	-	2W（Ta）、3.2W（Tc）
SIHG64N65E-GE3	13.3400	询价	4732	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG64	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	64A（温度）	10V	47毫欧@32A，10V	4V@250μA	369nC@10V	±30V	100V时为7497pF	-	520W（温度）
SQS482EN-T1_GE3	0.9100	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SQS482	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@16.4A，10V	2.5V@250μA	39nC@10V	±20V	1865pF@25V	-	62W（温度）
SIDR680DP-T1-GE3	2.8900	询价	18	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIDR680	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	32.8A（Ta）、100A（Tc）	7.5V、10V	2.9毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	105nC@10V	±20V	5150pF@40V	-	6.25W（Ta）、125W（Tc）
SIHG33N65E-GE3	4.4659	询价	3198	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG33	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	32.4A（温度）	10V	105毫欧@16.5A，10V	4V@250μA	173nC@10V	±30V	4040pF@100V	-	313W（温度）
SIZF916DT-T1-GE3	1.6400	询价	1	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	SIZF916	MOSFET（金属O化物）	3.4W（Ta）、26.6W（Tc）、4W（Ta）、60W（Tc）	8-PowerPair® (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	23A（Ta）、40A（Tc）		4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V	2.4V@250μA，2.2V@250μA	22nC@10V，95nC@10V		1060pF@15V，4320pF@15V	-
SI1553DL-T1-GE3	-	询价	7147	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1553	MOSFET（金属O化物）	270毫W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	660毫安、410毫安		385毫欧@660mA，4.5V	600mV @ 250μA（极低）	1.2nC@4.5V		-	逻辑电平门
SQJ403BEEP-T1_GE3	1.6000	询价	7688	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ403	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	164nC@10V	±20V		-	68W（温度）
SQA446CEJW-T1_GE3	0.6200	询价	38	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	6电源VDFN		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®SC-70W-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQA446CEJW-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	9A（温度）	2.5V、4.5V	17.5毫欧@4.5A，4.5V	1.3V@250μA	10nC@4.5V	±12V	910pF@10V	-	13.6W（温度）
SUM110N03-04P-E3	-	询价	5275	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	110A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@20A，10V	3V@250μA	60nC@4.5V	±20V	5100pF@25V	-	3.75W（Ta）、120W（Tc）
SIR186LDP-T1-RE3	1.0000	询价	7	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIR186LDP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	23.8A（Ta）、80.3A（Tc）	4.5V、10V	4.4毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	48nC@10V	±20V	1980pF@30V	-	5W（Ta）、57W（Tc）
SQJ148EP-T1_GE3	0.6900	询价	8962	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ148	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	15A（温度）	4.5V、10V	33毫欧@7A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	600pF@25V	-	45W（温度）
SIHP080N60E-GE3	4.3900	询价	958	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	不适用		742-SIHP080N60E-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	35A（温度）	10V	80毫欧@17A，10V	5V@250μA	63nC@10V	±30V	100V时为2557pF	-	227W（温度）
SQJ443EP-T1_BE3	1.4100	询价	4778	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ443EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	40A（温度）	4.5V、10V	29毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	57nC@10V	±20V	2030pF@20V	-	83W（温度）
SI1039X-T1-E3	-	询价	4580	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1039	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	12V	870mA（塔）	1.8V、4.5V	165毫欧@870mA，4.5V	450mV @ 250μA（极低）	6nC@4.5V	±8V		-	170毫W（塔）
SIHP21N60EF-BE3	2.9200	询价	4159	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP21	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	176毫欧@11A，10V	4V@250μA	84nC@10V	±30V	2030pF@100V	-	227W（温度）
SUD70090E-GE3	1.5800	询价	7571	威世硅科	ThunderFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SUD70090	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100V	50A（温度）	7.5V、10V	8.9毫欧@20A，10V	4V@250μA	50nC@10V	±20V	1950pF@50V	-	125W（温度）
SI2302CDS-T1-BE3	0.4100	询价	2031	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	2.6A（塔）	2.5V、4.5V	57毫欧@3.6A，4.5V	850mV@250μA	5.5nC@4.5V	±8V		-	710毫W（塔）
SQ3419EV-T1_BE3	0.6900	询价	2	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	6.9A（温度）	4.5V、10V	58毫欧@2.5A，10V	2.5V@250μA	11.3nC@4.5V	±20V	990pF@20V	-	5W（温度）
SIJH5100E-T1-GE3	6.0000	询价	8964	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100V	28A（Ta）、277A（Tc）	7.5V、10V	1.89毫欧@20A，10V	4V@250μA	128nC@10V	±20V	6900pF@50V	-	3.3W（Ta）、333W（Tc）
IRFD310PBF	1.6300	询价	2	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD310	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	400V	350mA（塔）	10V	3.6欧姆@210mA，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	1W（塔）
SIR158DP-T1-GE3	1.8900	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR158	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	130nC@10V	±20V	4980pF@15V	-	5.4W（Ta）、83W（Tc）
SI3460DDV-T1-GE3	0.4100	询价	3	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3460	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	7.9A（温度）	1.8V、4.5V	28毫欧@5.1A，4.5V	1V@250μA	18nC@8V	±8V	666pF@10V	-	1.7W（Ta）、2.7W（Tc）
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	询价	18	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SQ3495	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQ3495EV-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	8A（温度）	2.5V、10V	21毫欧@5A，4.5V	1.4V@250μA	41nC@4.5V	±12V	3950pF@20V	-	5W（温度）
SUM110N06-3M4L-E3	-	询价	9202	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	110A（温度）	4.5V、10V	3.4毫欧@30A，10V	3V@250μA	300nC@10V	±20V	12900pF@25V	-	3.75W（Ta）、375W（Tc）
SIB4316EDK-T1-GE3	0.4300	询价	12	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-75-6		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-75-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	4.5A（Ta）、6A（Tc）	2.5V、10V	57毫欧@4A，10V	1.4V@250μA	12nC@10V	±12V		-	1.9W（Ta）、10W（Tc）
IRFL210TRPBF-BE3	0.8800	询价	2	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外荧光灯210	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载		1（无限制）		742-IRFL210TRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	200V	960mA（温度）		1.5欧姆@580mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
SI4436DY-T1-E3	0.9400	询价	29	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4436	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	8A（温度）	4.5V、10V	36毫欧@4.6A，10V	2.5V@250μA	32nC@10V	±20V	1100pF@30V	-	2.5W（Ta）、5W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²