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离散半导体产品（（5717）
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| SI3459BDV-T1-E3 | 0.8300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3459 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2.9a（TC） | 4.5V，10V | 216mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 30 V | - | 3.3W（TC） | ||||
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| SI3473DV-T1-GE3 | - | | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.9a（ta） | 1.8V，4.5V | 23mohm @ 7.9a，4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.1W（TA） | ||||
| SI3481DV-T1-GE3 | - | | 7240 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3481 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A（ta） | 4.5V，10V | 48mohm @ 5.3a，10v | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W（TA） | ||||
| SI3483CDV-T1-E3 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 8A（TC） | 10V | 34mohm @ 6.1a，10v | 3V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1000 pf @ 15 V | - | 2W（TA），4.2W（TC） | ||||
| SI3495DV-T1-GE3 | - | | 7465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3495 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.3a（ta） | 1.5V，4.5V | 24mohm @ 7A，4.5V | 750mv @ 250µA | 38 NC @ 4.5 V | ±5V | - | 1.1W（TA） | ||||
| SI3529DV-T1-E3 | - | | 2037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | 2.5a，1.95a | 125mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 205pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||||
| SI3529DV-T1-GE3 | - | | 2860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | 2.5a，1.95a | 125mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 205pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||||
| SI3853DV-T1-GE3 | - | | 1430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 200mohm @ 1.8A，4.5V | 500mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | Schottky 二极管（孤立） | 830MW（TA） | ||||
| SI3867DV-T1-GE3 | - | | 6583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.9a（ta） | 2.5V，4.5V | 51MOHM @ 5.1A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.1W（TA） | ||||
| SI3879DV-T1-GE3 | - | | 2837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3879 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A（TC） | 2.5V，4.5V | 70MOHM @ 3.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±12V | 480 pf @ 10 V | - | 2W（TA），3.3W（3.3W）（TC） | |||
| SI3905DV-T1-E3 | - | | 2157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3905 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 8V | - | 125mohm @ 2.5a，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI3909DV-T1-GE3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | - | 200mohm @ 1.8A，4.5V | 500mv @ 250µA（250µA）） | 4NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI4104DY-T1-E3 | - | | 6361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4104 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 4.6A（TC） | 10V | 105MOHM @ 5A，10V | 4.5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 446 pf @ 50 V | - | 2.5W（ta），5W（（（（（（（） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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