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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFBC30ALPBF	0.8678	RFQ	7403	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30ALPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
2N4861JTXL02	-	RFQ	1981	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIHP17N80E-BE3	4.8400	RFQ	3082	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-SIHP17N80E-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
sum90n06-5m5p-e3	-	RFQ	6559	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	5.5MOHM @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SI4948BEY-T1-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4948	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	2.4a		120MOHM @ 3.1A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRF740AL	-	RFQ	3007	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740AL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI1553DL-T1-E3	-	RFQ	4161	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	660mA，410mA		385MOHM @ 660mA，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI6983DQ-T1-E3	-	RFQ	8098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.6a		24mohm @ 5.4a，4.5V	1V @ 400µA	30nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF740LCSTRL	-	RFQ	6703	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-
SI5947DU-T1-GE3	-	RFQ	9649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5947	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	6a		58MOHM @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17NC @ 10V		480pf @ 10V	逻辑级别门
SI7218DN-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7218	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	24a		25mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		700pf @ 15V	-
SIA938DJT-T1-GE3	0.6700	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA938	MOSFET （金属 o化物）	1.9W（ta），7.8W（TC）	POWERPAK®SC-70-6双重	下载		（1 （无限）		742-SIA938DJT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a（ta），4.5a tc）		21.5MOHM @ 5A，10V	1.5V @ 250µA	11.5NC @ 10V		425pf @ 10V	-
SUD50P10-43-E3	-	RFQ	3794	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	38A（TC）	10V	43mohm @ 9.4a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SUP28N15-52-E3	-	RFQ	3391	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	28a（TC）	6V，10V	52MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
SI4431CDY-T1-GE3	0.7300	RFQ	82	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.2W（TC）
SIHP22N60E-E3	2.1315	RFQ	5738	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI2328DS-T1-BE3	0.8600	RFQ	7496	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2328DS-T1-BE3DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	1.15A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V		-	730MW（TA）
SI4501BDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	53	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4501	MOSFET （金属 o化物）	4.5W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V，8V	12a，8a		17mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	25nc @ 10V		805pf @ 15V	逻辑级别门
SIHP12N65E-GE3	2.3700	RFQ	2051	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHB35N60EF-GE3	6.4600	RFQ	12	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB35	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI4953ADY-T1-GE3	-	RFQ	4441	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
SQJ962EP-T1-GE3	-	RFQ	1684年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ962	MOSFET （金属 o化物）	25W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	8a		60mohm @ 4.3a，10v	2.5V @ 250µA	14NC @ 10V		475pf @ 25V	逻辑级别门
SI1958DH-T1-E3	-	RFQ	8468	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1958	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		205mohm @ 1.3A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		105pf @ 10V	逻辑级别门
SI7668ADP-T1-GE3	-	RFQ	2483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7668	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±12V	8820 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIHP22N65E-GE3	2.4402	RFQ	1004	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	22a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2415 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF520pbf	1.1900	RFQ	6891	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF520pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SI7946DP-T1-GE3	-	RFQ	4183	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7946	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	2.1a		150mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SUD50N10-34P-T4-E3	-	RFQ	6384	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5.9a（ta），20a（tc）	6V，10V	34mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），56W（TC）
SUD50P04-23-E3	-	RFQ	1765年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	8.2a（ta），20a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±16V	1880 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），45.4W（TC）
SQS405CENW-T1_GE3	0.7500	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	15mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	81 NC @ 8 V	±8V	3050 pf @ 6 V	-	39W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²