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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4567DY-T1-GE3	-	RFQ	8437	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4567	MOSFET （金属 o化物）	2.75W，2.95W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	5a，4.4a		60mohm @ 4.1A，10V	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		355pf @ 20V	-
SIHK125N60E-T1-GE3	5.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	1811 pf @ 100 V	-	132W（TC）
SI2324DS-T1-BE3	0.6500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2324	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2324DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.6A（ta），2.3a（tc）	4.5V，10V	234mohm @ 1.5A，10V	2.8V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIHP21N60EF-BE3	2.9200	RFQ	4159	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.3a（ta），3.6a（3.6a）TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
SI1539CDL-T1-BE3	0.4300	RFQ	6787	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1539	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA），340MW（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1539CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC）		388MOHM @ 600mA，10v，890MOHM @ 400mA，10V	2.5V @ 250µA	1.5nc @ 10v，3nc @ 10v		28pf @ 15V，34pf @ 15V	-
SI2319CDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	3.1A（ta），4.4a（tc）	4.5V，10V	77MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	595 pf @ 20 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SQJ402EP-T1_BE3	1.5700	RFQ	1993	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ402EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10.7a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2286 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	RFQ	657	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfz20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SQ4064EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	7	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SIB4316EDK-T1-GE3	0.4300	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta），6a （TC）	2.5V，10V	57MOHM @ 4A，10V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V		-	1.9W（TA），10W（tc）
SQJA84EP-T1_BE3	1.2100	RFQ	9608	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJA84EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	46A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	55W（TC）
SQ3426AEEV-T1_BE3	0.7100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	5W（TC）
SQS460CENW-T1_GE3	0.8000	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQS460CENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI1411DH-T1-GE3	0.9000	RFQ	9266	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1411	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	420mA（TA）	10V	2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	6.3 NC @ 10 V	±20V		-	1W（ta）
IRFR1N60APBF-BE3	1.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-IRFR1N60APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	1.4A（TC）		7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFD9024	-	RFQ	5952	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9024	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.6a（ta）	10V	280MOHM @ 960mA，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SIR164DP-T1-GE3	1.4600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
SIHFR024-GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHD14N60E-GE3	2.3000	RFQ	915	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD14	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI7455DP-T1-E3	-	RFQ	9000	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7455	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	28a（TC）	6V，10V	25mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 40 V	-	5.2W（ta），83.3W（tc）
SIHB33N60E-GE3	6.1800	RFQ	7896	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB33N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SQA401CEJW-T1_GE3	0.4500	RFQ	6	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.75A（TC）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	1.3V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SQJA88EP-T1_BE3	0.9600	RFQ	2205	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJA88EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	7MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SQD50P04-13L_T4GE3	1.4600	RFQ	78	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3590 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IRF820APBF-BE3	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF820APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）		3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQJ460AEP-T1_BE3	1.5100	RFQ	3037	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ460AEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 10.7A，10V	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	2654 PF @ 30 V	-	68W（TC）
IRF540pbf-be3	2.1500	RFQ	199	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-IRF540PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI9945BDY-T1-GE3	0.8800	RFQ	4976	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9945	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5.3a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
SI4814BDY-T1-E3	-	RFQ	2310	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²