分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SUD25N04-25-T4-E3	-	询价	6074	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SUD25	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	25A（温度）	4.5V、10V	25毫欧@25A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±20V	510pF@25V	-	3W（Ta）、33W（Tc）
IRF830PBF-BE3	1.5800	询价	3	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF830	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF830PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.7A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	610pF@25V	-	74W（温度）
SQJ409EP-T1_BE3	1.4900	询价	第1565章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ409EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	260nC@10V	±20V	11000pF@25V	-	68W（温度）
SISS94DN-T1-GE3	0.9100	询价	7062	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS94	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	5.4A（Ta）、19.5A（Tc）	7.5V、10V	75毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±20V	350 pF @ 100 V	-	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
SI6925ADQ-T1-GE3	-	询价	7456	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	SI6925	MOSFET（金属O化物）	800毫W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	3.3A		45毫欧@3.9A，4.5V	1.8V@250μA	6nC@4.5V		-	逻辑电平门
2N5116JTVL02	-	询价	第1489章	威世硅科	-	管子	的积极	-	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐	2N5116			TO-206AA (TO-18)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	20		-								-
IRFR210TRLPBF	1.1700	询价	5	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR210	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	2.6A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
SIHP186N60EF-GE3	1.8610	询价	8796	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP186	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	18A（温度）	10V	193毫欧@9.5A，10V	5V@250μA	32nC@10V	±30V	1081pF@100V	-	156W（温度）
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6 双	新航929	MOSFET（金属O化物）	7.8W	PowerPAK® SC-70-6 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	4.5A（温度）		64mOhm@3A，10V	1.1V@250μA	21nC@10V		575pF@15V	逻辑电平门
SQP60N06-15_GE3	-	询价	6801	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP60	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	56A（温度）	10V	15毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2480pF@25V	-	107W（温度）
SQP100N04-3M6_GE3	-	询价	7171	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP100	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	100A（温度）	10V	3.6毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	135nC@10V	±20V	7200pF@25V	-	120W（温度）
SI1021R-T1-E3	-	询价	3279	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SI1021	MOSFET（金属O化物）		SC-75A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	60V	190毫安（塔）	4.5V、10V	4欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1.7nC@15V	±20V	23pF@25V	-	250毫W（塔）
SIZ918DT-T1-GE3	1.7200	询价	24	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	SIZ918	MOSFET（金属O化物）	29W、100W	8-PowerPair® (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）		30V	16A、28A		12毫欧@13.8A，10V	2.2V@250μA	21nC@10V		790pF@15V	逻辑电平门
IRFD9123	-	询价	9032	威世硅科	-	管子	过时的	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9123	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	100伏	1A（塔）		600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V		390pF@25V	-	-
SISS10ADN-T1-GE3	0.9600	询价	4	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS10	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	31.7A（Ta）、109A（Tc）	4.5V、10V	2.65毫欧@15A，10V	2.4V@250μA	61nC@10V	+20V，-16V	3030pF@20V	-	4.8W（Ta）、56.8W（Tc）
SI1033X-T1-E3	-	询价	6318	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1033	MOSFET（金属O化物）	250毫W	SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	145毫安		8欧姆@150mA，4.5V	1.2V@250μA	1.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI4831BDY-T1-E3	-	询价	7710	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4831	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	6.6A（温度）	4.5V、10V	42mOhm@5A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	625pF@15V	肖特基分散（隔离）	2W（Ta）、3.3W（Tc）
SIHD6N80AE-GE3	1.3200	询价	2	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SIHD6	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	800V	5A（温度）	10V	950毫欧@2A，10V	4V@250μA	10V时为22.5nC	±30V	422pF@100V	-	62.5W（温度）
SIR124DP-T1-RE3	1.0700	询价	38	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR124	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	16.1A（Ta）、56.8A（Tc）	7.5V、10V	8.4毫欧@10A、10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±20V	1666pF@40V	-	5W（Ta）、62.5W（Tc）
SI7308DN-T1-GE3	1.1800	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7308	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	6A（温度）	4.5V、10V	58毫欧@5.4A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±20V	665pF@15V	-	3.2W（Ta）、19.8W（Tc）
SI1304BDL-T1-E3	-	询价	3486	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SI1304	MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	900mA（温度）	2.5V、4.5V	270毫欧@900mA，4.5V	1.3V@250μA	2.7nC@4.5V	±12V	100pF@15V	-	340mW（Ta）、370mW（Tc）
SISS02DN-T1-GE3	1.5200	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS02	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	51A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	1.2毫欧@15A，10V	2.2V@250μA	83nC@10V	+16V，-12V	4450pF@10V	-	5W（Ta）、65.7W（Tc）
SI3429EDV-T1-GE3	0.4700	询价	2398	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3429	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	8A（Ta）、8A（Tc）	1.8V、4.5V	21毫欧@4A，4.5V	1V@250μA	118nC@10V	±8V	50V时为4085pF	-	4.2W（温度）
SI7818DN-T1-GE3	1.6600	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7818	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	2.2A（塔）	6V、10V	135毫欧@3.4A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V		-	1.5W（塔）
SIHP085N60EF-GE3	5.9900	询价	4348	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP085	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIHP085N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	34A（温度）	10V	84毫欧@17A，10V	5V@250μA	63nC@10V	±30V	100V时为2733pF	-	184W（温度）
SI5440DC-T1-GE3	-	询价	4577	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5440	MOSFET（金属O化物）		1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6A（温度）	4.5V、10V	19毫欧@9.1A，10V	2.5V@250μA	29nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	2.5W（Ta）、6.3W（Tc）
SQJQ112E-T1_GE3	3.6600	询价	8398	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET® Gen IV	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载		1（无限制）		742-SQJQ112E-T1_GE3DKR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100伏	296A（TC）	10V	2.53毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	272nC@10V	±20V	15945pF@25V	-	600W（温度）
SIE802DF-T1-E3	1.8574	询价	5701	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PolarPAK® (L)	SIE802	MOSFET（金属O化物）		10-PolarPAK® (L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	1.9毫欧@23.6A，10V	2.7V@250μA	160nC@10V	±20V	7000pF@15V	-	5.2W（Ta）、125W（Tc）
SI2399DS-T1-GE3	0.5100	询价	4257	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2399	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（温度）	2.5V、10V	34mOhm@5.1A，10V	1.5V@250μA	20nC@4.5V	±12V	10V时为835pF	-	2.5W（温度）
SI4430BDY-T1-E3	1.8500	询价	第889章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4430	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	14A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@20A，10V	3V@250μA	36nC@4.5V	±20V		-	1.6W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²