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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUM50020E-GE3	2.8900	RFQ	4159	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SUM50020	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	7.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	11150 PF @ 30 V	-	375W（TC）
SUM10250E-GE3	2.8900	RFQ	5321	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	63.5A（TC）	7.5V，10V	31mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3002 PF @ 125 V	-	375W（TC）
IRF640STRRPBF	3.0900	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
2N4856JTXV02	-	RFQ	8798	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4856			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-								-
SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SIRB40	MOSFET （金属 o化物）	46.2W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	40a（TC）		3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
SQ4410EY-T1_GE3	1.5200	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
IRF9520STRR	-	RFQ	5832	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
2N5116JAN02	-	RFQ	1064	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5116			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SI4430BDY-T1-E3	1.8500	RFQ	889	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4430	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
IRFR1N60ATRPBF	1.5500	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI4618DY-T1-GE3	-	RFQ	1471	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
IRF630pbf	1.5300	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF630pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIHP054N65E-GE3	8.1800	RFQ	50	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	47A（TC）	10V	58mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±30V	3769 PF @ 100 V	-	312W（TC）
SIR584DP-T1-RE3	1.5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	24.7A（TA），100A（tc）	7.5V，10V	3.9mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	5W（5W），83.3W（TC）
SI1403BDL-T1-E3	0.5300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.4a（ta）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
SQJ457EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6709	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ457	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	36a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	68W（TC）
irlr024trr	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1065X-T1-GE3	-	RFQ	8934	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1065	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.18A（TA）	1.8V，4.5V	156mohm @ 1.18a，4.5V	950mv @ 250µA	10.8 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
IRFP250pbf	3.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP250	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP250pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	30A（TC）	10V	85mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
2N4858JVP02	-	RFQ	2049	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-	-	2N4858			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
SIHG085N60EF-GE3	6.5600	RFQ	2537	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG085	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG085N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	34A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SQD40N06-25L-GE3	-	RFQ	6585	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	-
IRFPG40	-	RFQ	9824	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG40	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	1000 v	4.3A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI4931DY-T1-GE3	1.2300	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4931	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	6.7a		18mohm @ 8.9a，4.5V	1V @ 350µA	52nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4431CDY-T1-E3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 15 V	-	4.2W（TC）
SQA310CEJW-T1_GE3	0.4700	RFQ	9729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	535 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIB404DK-T1-GE3	-	RFQ	3348	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB404	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	9A（TC）	4.5V	19mohm @ 3a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±5V		-	2.5W（TA），13W（tc）
SIHH240N60E-T1-GE3	2.8000	RFQ	38	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH240	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH240N60E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	240MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	783 PF @ 100 V	-	89W（TC）
SIR1309DP-T1-GE3	0.9400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	19.1a（ta），65.7a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SIHD3N50D-E3	0.3563	RFQ	9541	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²