分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
IRF730SPBF	1.1708	询价	4448	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF730	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF730SPBF	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	700pF@25V	-	3.1W（Ta）、74W（Tc）
SIHFRC20TR-GE3	0.9400	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）		742-SIHFRC20TR-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	350pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SIHA6N80E-GE3	2.5100	询价	6318	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHA6	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	5.4A（温度）	10V	940毫欧@3A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±30V	100V时为827pF	-	31W（温度）
SI1012R-T1-GE3	0.4500	询价	214	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SI1012	MOSFET（金属O化物）		SC-75A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	500mA（塔）	1.8V、4.5V	700毫欧@600毫安，4.5伏	900mV@250μA	0.75nC@4.5V	±6V		-	150毫W（塔）
SI4894BDY-T1-E3	1.3200	询价	11	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4894	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	8.9A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@12A，10V	3V@250μA	38nC@10V	±20V	1580pF@15V	-	1.4W（塔）
SI4116DY-T1-GE3	1.2500	询价	2837	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4116	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	18A（温度）	2.5V、10V	8.6毫欧@10A、10V	1.4V@250μA	56nC@10V	±12V	1925pF@15V	-	2.5W（Ta）、5W（Tc）
IRFR120TRLPBF-BE3	1.5900	询价	3	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR120	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）		742-IRFR120TRLPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	7.7A（温度）		270毫欧@4.6A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI4829DY-T1-E3	-	询价	7105	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4829	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	20V	2A（温度）	2.5V、4.5V	215毫欧@2.5A，4.5V	1.5V@250μA	8nC@10V	±12V	10V时为210pF	肖特基分散（隔离）	2W（Ta）、3.1W（Tc）
SIA436DJ-T4-GE3	0.2467	询价	2153	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航436	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIA436DJ-T4-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	12A（温度）	1.2V、4.5V	9.4毫欧@15.7A，4.5V	800mV@250μA	25.2nC@5V	±5V	1508pF@4V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SIJ462ADP-T1-GE3	1.4600	询价	11	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIJ462	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIJ462ADP-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	15.8A（Ta）、39.3A（Tc）	4.5V、10V	7.2毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1235pF@30V	-	3.6W（Ta）、22.3W（Tc）
SIS888DN-T1-GE3	1.6400	询价	2	威世硅科	ThunderFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃（TA）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SIS888	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	20.2A（温度）	7.5V、10V	58毫欧@10A、10V	4.2V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	420 pF @ 75 V	-	52W（温度）
IRFP21N60L	-	询价	9884	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFP21	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	320毫欧@13A，10V	5V@250μA	150nC@10V	±30V	4000pF@25V	-	330W（温度）
SI2333DS-T1-E3	0.8600	询价	78	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2333	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	12V	4.1A（塔）	1.8V、4.5V	32毫欧@5.3A，4.5V	1V@250μA	18nC@4.5V	±8V	1100pF@6V	-	750毫W（塔）
SI5456DU-T1-GE3	-	询价	8269	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® ChipFET™ 单	SI5456	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® ChipFET™ 单	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	12A（温度）	4.5V、10V	10毫欧@9.3A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	3.1W（Ta）、31W（Tc）
SIDR668DP-T1-RE3	2.9700	询价	3	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载		1（无限制）		742-SIDR668DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	23.2A（Ta）、95A（Tc）	7.5V、10V	4.8毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	108nC@10V	±20V	5400pF@50V	-	6.25W（Ta）、125W（Tc）
IRF830PBF-BE3	1.5800	询价	3	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF830	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF830PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.7A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	610pF@25V	-	74W（温度）
SQJ409EP-T1_BE3	1.4900	询价	第1565章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ409EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	260nC@10V	±20V	11000pF@25V	-	68W（温度）
SISS94DN-T1-GE3	0.9100	询价	7062	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS94	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	5.4A（Ta）、19.5A（Tc）	7.5V、10V	75毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±20V	350 pF @ 100 V	-	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
SI6925ADQ-T1-GE3	-	询价	7456	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	SI6925	MOSFET（金属O化物）	800毫W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	3.3A		45毫欧@3.9A，4.5V	1.8V@250μA	6nC@4.5V		-	逻辑电平门
2N5116JTVL02	-	询价	第1489章	威世硅科	-	管子	的积极	-	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐	2N5116			TO-206AA (TO-18)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	20		-								-
IRFR210TRLPBF	1.1700	询价	5	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR210	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	2.6A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
SIHP186N60EF-GE3	1.8610	询价	8796	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP186	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	18A（温度）	10V	193毫欧@9.5A，10V	5V@250μA	32nC@10V	±30V	1081pF@100V	-	156W（温度）
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6 双	新航929	MOSFET（金属O化物）	7.8W	PowerPAK® SC-70-6 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	4.5A（温度）		64mOhm@3A，10V	1.1V@250μA	21nC@10V		575pF@15V	逻辑电平门
SQP60N06-15_GE3	-	询价	6801	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP60	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	56A（温度）	10V	15毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2480pF@25V	-	107W（温度）
SQP100N04-3M6_GE3	-	询价	7171	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP100	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	100A（温度）	10V	3.6毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	135nC@10V	±20V	7200pF@25V	-	120W（温度）
SI1021R-T1-E3	-	询价	3279	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SI1021	MOSFET（金属O化物）		SC-75A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	60V	190毫安（塔）	4.5V、10V	4欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1.7nC@15V	±20V	23pF@25V	-	250毫W（塔）
IRFD9123	-	询价	9032	威世硅科	-	管子	过时的	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9123	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	100伏	1A（塔）		600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V		390pF@25V	-	-
SISS10ADN-T1-GE3	0.9600	询价	4	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS10	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	31.7A（Ta）、109A（Tc）	4.5V、10V	2.65毫欧@15A，10V	2.4V@250μA	61nC@10V	+20V，-16V	3030pF@20V	-	4.8W（Ta）、56.8W（Tc）
SI1033X-T1-E3	-	询价	6318	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1033	MOSFET（金属O化物）	250毫W	SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	145毫安		8欧姆@150mA，4.5V	1.2V@250μA	1.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI4831BDY-T1-E3	-	询价	7710	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4831	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	6.6A（温度）	4.5V、10V	42mOhm@5A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	625pF@15V	肖特基分散（隔离）	2W（Ta）、3.3W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²