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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3586DV-T1-E3 | - |  | 8818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3586 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 2.9a，2.1a | 60mohm @ 3.4a，4.5V | 1.1V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI3853DV-T1-E3 | - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 200mohm @ 1.8A，4.5V | 500mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | Schottky 二极管（孤立） | 830MW（TA） | ||||
| SI3993DV-T1-E3 | - | | 8921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | SI4346DY-T1-E3 | - | | 7317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4346 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 5.9a（ta） | 2.5V，10V | 23mohm @ 8a，10v | 2V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.31W（TA） | |||||
| SI4388DY-T1-E3 | - | | 6003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4388 | MOSFET （金属 o化物） | 3.3W，3.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 10.7a，11.3a | 16mohm @ 8a，10v | 3V @ 250µA | 27nc @ 10V | 946pf @ 15V | - | |||||
| SI4398DY-T1-E3 | - | | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4398 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | （19a ta） | 4.5V，10V | 2.8mohm @ 25a，10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 5620 PF @ 10 V | - | 1.6W（TA） | |||
| SI4403BDY-T1-E3 | - | | 1996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4403 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 7.3a（ta） | 1.8V，4.5V | 17mohm @ 9.9a，4.5V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.35W（TA） | ||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4421 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 10a（10a） | 1.8V，4.5V | 8.75MOHM @ 14a，4.5V | 800mv @ 850µA | 125 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | |||||
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| SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | | 889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4430 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 14A（TA） | 4.5V，10V | 4.5MOHM @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4436DY-T1-E3 | 0.9400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4436 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 8A（TC） | 4.5V，10V | 36mohm @ 4.6A，10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 1100 pf @ 30 V | - | 2.5W（ta），5W（（（（（（（） | ||||
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| SI4466DY-T1-E3 | - | | 1693年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4466 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 9.5A（TA） | 2.5V，4.5V | 9MOHM @ 13.5a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI4472DY-T1-E3 | - | | 1495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4472 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 7.7A（TC） | 8V，10V | 45mohm @ 5a，10v | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1735 PF @ 50 V | - | 3.1W（TA），5.9W（TC） | ||||
| SI4488DY-T1-E3 | 2.2500 | | 983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4488 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 3.5A（ta） | 10V | 50mohm @ 5a，10v | 2V @ 250µA（） | 36 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.56W（TA） | |||||
 | SI8407DB-T2-E1 | - | | 5162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8407 | MOSFET （金属 o化物） | 6-micro脚™（2.4x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.8A（ta） | 1.8V，4.5V | 27mohm @ 1A，4.5V | 900MV @ 350µA | 50 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.47W（TA） | ||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | SI8409 | MOSFET （金属 o化物） | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 46mohm @ 1A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.47W（TA） | ||||
| SI8424DB-T1-E1 | - | | 6622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | SI8424 | MOSFET （金属 o化物） | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 12.2A（TC） | 1.2V，4.5V | 31MOHM @ 1A，4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ±5V | 1950 pf @ 4 V | - | 2.78W（ta），6.25W（tc） | |||
| SI8902EDB-T2-E1 | - | | 1454 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8902 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 6-Micro Foot™（2.36x1.56） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 3.9a | - | 1V @ 980µA | - | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI8904EDB-T2-E1 | - | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8904 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 6-Micro Foot™（2.36x1.56） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250µA | - | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI9434BDY-T1-E3 | - | | 9597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI9434 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 4.5A（ta） | 2.5V，4.5V | 40mohm @ 6.3a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0.8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI9435 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 4.1a（ta） | 4.5V，10V | 42MOHM @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W（TA） | |||||
| SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI9933 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SIA810DJ-T1-E3 | - | | 7278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA810 | MOSFET （金属 o化物） | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4.5A（TC） | 1.8V，4.5V | 53MOHM @ 3.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 11.5 NC @ 8 V | ±8V | 400 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.9W（ta），6.5W（TC） | |||
| SIA914DJ-T1-E3 | - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA914 | MOSFET （金属 o化物） | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.5a | 53MOHM @ 3.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
 | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-Polarpak®（l） | SIE802 | MOSFET （金属 o化物） | 10-Polarpak®（l） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 60a（TC） | 4.5V，10V | 1.9mohm @ 23.6a，10v | 2.7V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 7000 PF @ 15 V | - | 5.2W（ta），125W（tc） | ||||
| SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-Polarpak®（l） | SIE812 | MOSFET （金属 o化物） | 10-Polarpak®（l） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a（TC） | 4.5V，10V | 2.6mohm @ 25a，10v | 3V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 8300 PF @ 20 V | - | 5.2W（ta），125W（tc） | ||||
 | SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®2x5 | SIF912 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | PowerPak®（2x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 30V | 7.4a | 19mohm @ 7.4a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SUM110N04-03P-E3 | - | | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | sum110 | MOSFET （金属 o化物） | TO-263（D²Pak） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 110A（TC） | 10V | 3.1MOHM @ 30a，10v | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 6500 PF @ 25 V | - | 3.75W（TA），375W（tc） | ||||
| SUM110N04-05H-E3 | - | | 6719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | sum110 | MOSFET （金属 o化物） | TO-263（D²Pak） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 110A（TC） | 10V | 5.3MOHM @ 30a，10v | 5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 6700 PF @ 25 V | - | 3.75W（TA），150W（tc） |
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