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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SIHFR120-GE3	0.7000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQ4425EY-T1_BE3	1.9300	RFQ	639	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4425EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	12MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	3630 PF @ 25 V	-	6.8W（TC）
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SIZF906BDT-T1-GE3	2.0200	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906	MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF906BDT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（36a）（105a t tc）（63a ta）（257a t c）（TC）		2.1MOHM @ 15a，10v，680µhm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	49nc @ 10v，165nc @ 10V		1630pf @ 15V，5550pf @ 15V	-
IRFI9620GPBF	2.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9620GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	30W（TC）
SIHP14N50D-GE3	1.4464	RFQ	6015	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SUM110P08-11-E3	-	RFQ	5642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	110A（TC）	10V	11.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 40 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
IRFPC50LC	-	RFQ	9050	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFP22N50A	-	RFQ	2680	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP22N50A	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	22a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3450 pf @ 25 V	-	277W（TC）
SIS454DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS454	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SQD45P03-12-T4_GE3	0.6597	RFQ	7337	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD45P03-12-T4_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3495 pf @ 15 V	-	71W（TC）
SI4925DDY-T1-GE3	1.0000	RFQ	3956	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4925	MOSFET （金属 o化物）	5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	8a		29MOHM @ 7.3A，10V	3V @ 250µA	50NC @ 10V		1350pf @ 15V	-
SQJ464EP-T1_GE3	1.0100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 7.1a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2086 PF @ 30 V	-	45W（TC）
IRLZ34STRL	-	RFQ	6422	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHP22N60E-GE3	4.0300	RFQ	7870	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF640STRLPBF	2.2000	RFQ	626	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SI1905DL-T1-E3	-	RFQ	7024	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1905	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	570mA		600MOHM @ 570mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	2.3nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA462DJ-T4-GE3	-	RFQ	6987	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHA15N50E-E3	2.2000	RFQ	7467	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	33W（TC）
IRLIZ44GPBF	2.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ44GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	28mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIHD9N60E-GE3	1.9500	RFQ	9189	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD9	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	368mohm @ 4.5A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	778 PF @ 100 V	-	78W（TC）
U430-E3	-	RFQ	1784年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-78-6金属罐	U430		500兆	TO-78-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100		2 n 通道（双）								5pf @ 10V			25 v	12 ma @ 10 V	1 v @ 1 na
SI5513CDC-T1-GE3	0.6200	RFQ	7886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a，3.7a		55mohm @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.2nc @ 5V		285pf @ 10V	逻辑级别门
SIHFR1N60ATR-GE3	0.3410	RFQ	2692	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	sihfr1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
3N164	-	RFQ	4665	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	-	MOSFET （金属 o化物）		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		P通道	30 V	50mA（TA）	20V	300ohm @ 100µA，20V	5V @ 10µA		±30V	3.5 pf @ 15 V	-	375MW（TA）
2N5115JTVL02	-	RFQ	4741	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SIDR402DP-T1-GE3	1.1241	RFQ	5058	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR402	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	64.6A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI2333DS-T1-E3	0.8600	RFQ	78	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SI3460DDV-T1-GE3	0.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	7.9A（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.1a，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	666 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
SIHF35N60EF-GE3	3.3325	RFQ	4348	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF35	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	39W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²