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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SI4618DY-T1-GE3	-	RFQ	1471	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
SISA34DN-T1-GE3	0.5500	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA34	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	+20V，-16V	1100 pf @ 15 V	-	20.8W（TC）
SIHA11N80E-GE3	3.5400	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	RFQ	574	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7540	-	3.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	12a，9a		28mohm @ 12a，10v	1.4V @ 250µA	48nc @ 10V		1310pf @ 10V	-
SIE726DF-T1-GE3	-	RFQ	8611	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE726	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7400 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI3483CDV-T1-E3	1.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3483	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	8A（TC）	10V	34mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
SQJ403BEEP-T1_BE3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V		-	68W（TC）
SI4435DDY-T1-GE3	0.7500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11.4A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 9.1a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI7322DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18A（TC）	10V	58MOHM @ 5.5A，10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SUM110P08-11-E3	-	RFQ	5642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	110A（TC）	10V	11.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 40 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
SIJ188DP-T1-GE3	1.5600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJ188	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	25.5A（ta），92.4a （TC）	7.5V，10V	3.85mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1920 PF @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHA12N60E-GE3	2.5300	RFQ	1575年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N60E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIDR5802EP-T1-RE3	2.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR5802	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	34.2A（TA），153a （TC）	7.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 40 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
IRFP150	-	RFQ	7219	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP150	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI1553DL-T1-GE3	-	RFQ	7147	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	660mA，410mA		385MOHM @ 660mA，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4916DY-T1-E3	-	RFQ	8390	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4916	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF610STRLPBF	1.7300	RFQ	677	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
IRF740BPBF	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SQD50P08-28-T4_GE3	0.6985	RFQ	7852	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD50P08-28-T4_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	80 V	48A（TC）	10V	28mohm @ 12.5a，10v	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6035 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SIRC16DP-T1-RE3	1.3600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIRC16DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	57A（ta），60a tc（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	105 NC @ 10 V	+20V，-16V	5150 pf @ 10 V	（（（）	5W（5W），54.3W（TC）
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	3561	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7611	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	18A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
SI7232DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	8529	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7232	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	25a		16.4mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	32nc @ 8V		1220pf @ 10V	逻辑级别门
SI4488DY-T1-E3	2.2500	RFQ	983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4488	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	3.5A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA（）	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI7138DP-T1-E3	-	RFQ	6191	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	6V，10V	7.8mohm @ 19.7a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 30 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
IRFR430ATRRPBF	-	RFQ	7783	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI3911DV-T1-E3	-	RFQ	5753	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3911	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	1.8a		145mohm @ 2.2a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1028X-T1-GE3	-	RFQ	3803	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1028	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	-		650MOHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	2NC @ 10V		16pf @ 15V	逻辑级别门
SST5462-T1-E3	-	RFQ	8004	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5462		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道								7pf @ 15V			40 V	4 mA @ 15 V	1.8 V @ 1 µA
SI1033X-T1-GE3	-	RFQ	9858	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1033	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	145mA		8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJB00EP-T1_BE3	1.3100	RFQ	5243	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJB00	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJB00EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35nc @ 10V		1700pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²