RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIS184DN-T1-GE3	1.4900	RFQ	9306	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS184	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	17.4a（TA），65.3a tc）	7.5V，10V	5.8mohm @ 10a，10v	3.4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 30 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRL520pbf	1.4600	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL520pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF710L	-	RFQ	2427	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF710L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	-
SIHK105N60EF-T1GE3	5.8000	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	105mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	2301 PF @ 100 V	-	142W（TC）
SIJ494DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	4587	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij494	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	36.8A（TC）	7.5V，10V	23.2MOHM @ 15A，10V	4.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1070 pf @ 75 V	-	69.4W（TC）
SISS22DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	25a（25A），90.6A（90.6a）TC）	7.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1870 pf @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SI2303CDS-T1-E3	0.5100	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	2.3W（TC）
SIHG25N40D-E3	3.7000	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG25N40DE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	25A（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1707 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SI5903DC-T1-E3	-	RFQ	3675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5903	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.1a		155mohm @ 2.1a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	18	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3495	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ3495EV-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	8A（TC）	2.5V，10V	21MOHM @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	41 NC @ 4.5 V	±12V	3950 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SI1424EDH-T1-GE3	0.4300	RFQ	5506	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1424	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4A（TC）	4.5V	33MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SIS434DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS434	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	35A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 16.2a，10v	2.2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 20 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SQM110P06-8M9L_GE3	3.2300	RFQ	8396	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	110A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7450 pf @ 25 V	-	230W（TC）
SI7617DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	241	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7617	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	12.3mohm @ 13.9a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4464DY-T1-E3	1.4100	RFQ	4829	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4464	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
2N4858JVP02	-	RFQ	2049	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-	-	2N4858			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
SI1410EDH-T1-E3	-	RFQ	4328	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1410	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	2.9a（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 3.7A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1W（ta）
V30419-T1-GE3	-	RFQ	4403	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30419				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SUD08P06-155L-T4E3	-	RFQ	1129	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD08	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	8.4A（TC）	4.5V，10V	155MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.7W（TA），20.8W（tc）
IRF9520	-	RFQ	4694	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9520	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIR170DP-T1-RE3	1.9300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir170	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.2A（ta），95a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	6195 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI7190ADP-T1-RE3	1.8800	RFQ	34	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7190	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	4.3a（TA），14.4a tc）	7.5V，10V	102MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 100 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SIS454DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS454	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIA921EDJ-T1-GE3	0.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA921	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		59mohm @ 3.6A，4.5V	1.4V @ 250µA	23nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI1300BDL-T1-E3	-	RFQ	9245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1300	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	400mA（TC）	2.5V，4.5V	850MOHM @ 250mA，4.5V	1V @ 250µA	0.84 NC @ 4.5 V	±8V	35 pf @ 10 V	-	190MW（TA），200MW（（TC）
irli620g	-	RFQ	4748	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli620g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4A（TC）	4V，5V	800MOHM @ 2.4a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SI4688DY-T1-E3	-	RFQ	3004	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4688	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.9a（ta）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
SQA444CEJW-T1_GE3	0.4800	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIB412DK-T1-GE3	-	RFQ	1362	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 6.6a，4.5V	1V @ 250µA	10.16 NC @ 5 V	±8V	535 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²