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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFD220	-	RFQ	3137	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD220	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD220	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	800mA（ta）	10V	800MOHM @ 480mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI7617DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	241	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7617	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	12.3mohm @ 13.9a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4464DY-T1-E3	1.4100	RFQ	4829	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4464	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQ4282EY-T1_BE3	1.5100	RFQ	92	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4282	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4282EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8A（TC）		12.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	47NC @ 10V		2367pf @ 15V	-
IRF510STRRPBF	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI4923DY-T1-E3	-	RFQ	2788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4923	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	6.2a		21mohm @ 8.3a，10v	3V @ 250µA	70NC @ 10V		-	逻辑级别门
V30432-T1-GE3	-	RFQ	3590	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30432				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
IRL620	-	RFQ	7203	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL620	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	4V，10V	800MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI7872DP-T1-GE3	-	RFQ	2380	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7872	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	6.4a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHB120N60E-T1-GE3	5.2400	RFQ	760	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	25A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1562 PF @ 100 V	-	179W（TC）
2N5116JAN02	-	RFQ	1064	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5116			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SI5441DC-T1-E3	-	RFQ	4826	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5441	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIR680ADP-T1-RE3	2.3400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir680	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7A（TA），125A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SUM85N15-19-E3	5.8400	RFQ	2708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum85	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	85A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
SIA911EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8750	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		101MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 8V		-	逻辑级别门
SIZ256DT-T1-GE3	1.3100	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ256	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）		742-SIZ256DT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		70V	11.5A（TA），31.8A （TC）		17.6mohm @ 7A，4.5V	1.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1060pf @ 35V	-
SI7119DN-T1-E3	1.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7119	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	3.8A（TC）	6V，10V	1.05OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	666 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFL110TRPBF	0.9400	RFQ	3321	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI4116DY-T1-E3	1.2500	RFQ	3658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4116	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	18A（TC）	2.5V，10V	8.6mohm @ 10a，10v	1.4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±12V	1925 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IRF9620	-	RFQ	3893	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9620S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
SI1031R-T1-GE3	0.5200	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	140mA（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
2N4860JTX02	-	RFQ	7381	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI2311ds-T1-GE3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2311	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 3.5A，4.5V	800MV @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V	970 pf @ 4 V	-	710MW（TA）
SI2316BDS-T1-BE3	0.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2316BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.9a（ta），4.5a tc）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
SI1470DH-T1-E3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.1A（TC）	2.5V，4.5V	66mohm @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	7.5 NC @ 5 V	±12V	510 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
IRFR9220	-	RFQ	7120	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9220	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUD50N03-12P-E3	-	RFQ	6246	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	17.5A（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	6.5W（TA），46.8W（tc）
IRFBC20STRL	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SQP120N10-09_GE3	2.8000	RFQ	250	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	120A（TC）	10V	9.5Mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	8645 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SI1065X-T1-GE3	-	RFQ	8934	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1065	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.18A（TA）	1.8V，4.5V	156mohm @ 1.18a，4.5V	950mv @ 250µA	10.8 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²