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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLZ34S | - | ![]() | 6206 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IRLZ34 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRLZ34S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 4V,5V | 50mohm @ 18a,5v | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 V | ±10V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),88W(TC) | |||
![]() | SI5441BDC-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 6324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5441 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.4a(ta) | 2.5V,4.5V | 45MOHM @ 4.4A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W(TA) | |||||
3N164 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | - | MOSFET (金属 o化物) | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P通道 | 30 V | 50mA(TA) | 20V | 300ohm @ 100µA,20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW(TA) | ||||||
IRF744pbf | - | ![]() | 8552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF744 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF744PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 8.8A(TC) | 10V | 630MOHM @ 5.3A,10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||
![]() | IRFP460LC | - | ![]() | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP460 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | *IRFP460LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 270MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 3600 PF @ 25 V | - | 280W(TC) | ||||
![]() | SI5424DC-T1-GE3 | 0.8600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5424 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 4.8A,10V | 2.3V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±25V | 950 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),6.25W(TC) | ||||
![]() | SIHD3N50DT4-GE3 | 0.3563 | ![]() | 8362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | d | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 500 v | 3A(TC) | 10V | 3.2OHM @ 1.5A,10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W(TC) | |||||
SUP70040E-GE3 | 3.0600 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP70040 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 7.5V,10V | 4mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 50 V | - | 375W(TC) | ||||||
![]() | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | 93W(TC) | POWERPAK®SO-8L双bwl | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 123A(TC) | 3.4mohm @ 7a,10v | 3.5V @ 250µA | 56nc @ 10V | 3143pf @ 25V | 标准 | ||||||||||
![]() | SI3456DDV-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.3a(TC) | 4.5V,10V | 40mohm @ 5a,10v | 3V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ±20V | 325 pf @ 15 V | - | 1.7W(ta),2.7W(TC) | |||||
![]() | IRFP350LC | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP350 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP350LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 400 v | 16A(TC) | 10V | 300MOHM @ 9.6A,10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±30V | 2200 PF @ 25 V | - | 190w(TC) | |||
![]() | SI1905DL-T1-E3 | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1905 | MOSFET (金属 o化物) | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 8V | 570mA | 600MOHM @ 570mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 2.3nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SISA96DN-T1-GE3 | 0.4400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA96 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 8.8mohm @ 10a,10v | 2.2V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | +20V,-16V | 1385 pf @ 15 V | - | 26.5W(TC) | |||||
![]() | SI8904EDB-T2-E1 | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8904 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 6-Micro Foot™(2.36x1.56) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRF9630S | - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IRF9630 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF9630S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 200 v | 6.5A(TC) | 10V | 800MOHM @ 3.9A,10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | (3W(ta),74w tc(TC) | |||
![]() | SI4176DY-T1-E3 | - | ![]() | 1880年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4176 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 20mohm @ 8.3a,10v | 2.2V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 490 pf @ 15 V | - | 2.4W(ta),5W(((((((( | |||||
![]() | SI3853DV-T1-E3 | - | ![]() | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 200mohm @ 1.8A,4.5V | 500mv @ 250µA(250µA)) | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | Schottky 二极管(孤立) | 830MW(TA) | |||||
![]() | SI7344DP-T1-E3 | - | ![]() | 9320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7344 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8mohm @ 17a,10v | 2.1V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SIS476DN-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS476 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 2.5MOHM @ 15A,10V | 2.3V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | +20V,-16V | 3595 pf @ 15 V | - | 3.7W(TA),52W(TC) | |||||
![]() | IRFR420TRRPBF | 0.7513 | ![]() | 7666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR420 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 500 v | 2.4A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.4A,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | SISA66DN-T1-GE3 | 0.3959 | ![]() | 1728年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA66 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 2.3MOHM @ 15A,10V | 2.2V @ 1mA | 66 NC @ 10 V | +20V,-16V | 3014 pf @ 15 V | - | 52W(TC) | ||||||
![]() | IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 7.7A(TC) | 10V | 270MOHM @ 4.6A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||||
![]() | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1023 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7784DP-T1-GE3 | - | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7784 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 35A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 15 V | - | 5W(5W),27.7W(TC) | ||||
![]() | SI7946DP-T1-E3 | - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7946 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a,10v | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
IRF540 | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 28a(TC) | 10V | 77mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | IRF620 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IRF620 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 5.2A(TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1A,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 pf @ 25 V | - | (3w(ta),50W(TC) | |||
![]() | IRFR214TRRPBF | 0.6159 | ![]() | 5566 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR214 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 250 v | 2.2A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.3A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SUM90220E-GE3 | 2.7200 | ![]() | 9349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | SUM90220 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 64A(TC) | 7.5V,10V | 21.6mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 1950 pf @ 100 V | - | 230W(TC) | |||||
![]() | SI2333DS-T1-E3 | 0.8600 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 4.1a(ta) | 1.8V,4.5V | 32MOHM @ 5.3A,4.5V | 1V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±8V | 1100 pf @ 6 V | - | 750MW(TA) |
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