RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIR500DP-T1-RE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR500DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	85.9a（TA），350.8A（tc）	4.5V，10V	0.47MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	+16V，-12V	8960 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104.1W（tc）
IRF820LPBF	0.8983	RFQ	4248	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF820LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIZF906BDT-T1-GE3	2.0200	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906	MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF906BDT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（36a）（105a t tc）（63a ta）（257a t c）（TC）		2.1MOHM @ 15a，10v，680µhm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	49nc @ 10v，165nc @ 10V		1630pf @ 15V，5550pf @ 15V	-
IRFBC40LC	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFBC40LC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SIB452DK-T1-GE3	0.8000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB452	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	190 v	1.5A（TC）	1.8V，4.5V	2.4OHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±16V	135 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIHD11N80AE-T1-GE3	1.8000	RFQ	7909	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SQS401EN-T1_BE3	0.9400	RFQ	21	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	21.2 NC @ 4.5 V	±20V	1875 PF @ 20 V	-	62.5W（TC）
SQ3425EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	6117	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3425	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.4A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	10.3 NC @ 4.5 V	±12V	840 pf @ 10 V	-	5W（TC）
IRFR210	-	RFQ	8250	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR210	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQJ858AEP-T1_BE3	1.3700	RFQ	7783	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ858AEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）		6.3MOHM @ 14A，10V	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFL110TRPBF-BE3	0.9300	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF9Z10	-	RFQ	4700	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9Z10	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SQJA02EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA02	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	4.8mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SQS180ENW-T1_GE3	1.0600	RFQ	9668	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	72A（TC）	10V	8.67mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3092 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SIHH24N65E-T1-GE3	6.4800	RFQ	821	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH24	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	23A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±30V	2814 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SQ4410EY-T1_BE3	1.5200	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4410EY-T1_BE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
SI1431DH-T1-GE3	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 2a，10v	3V @ 100µA	4 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
SI1970DH-T1-E3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1970	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	1.3a		225mohm @ 1.2A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		95pf @ 15V	逻辑级别门
SI9435BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.1a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 5.7A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SUM70030E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum70030	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	150a（TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	10870 pf @ 50 V	-	375W（TC）
SI1302DL-T1-E3	0.4400	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	600mA（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
SIHP21N60EF-GE3	4.0000	RFQ	9034	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHP21N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF620STRL	-	RFQ	3842	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
SIHD14N60E-BE3	2.3000	RFQ	9863	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD14	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD14N60E-BE3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SUP70090E-GE3	3.0600	RFQ	56	Vishay Siliconix	Thunderfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70090	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）
SIHA15N80AE-GE3	2.6000	RFQ	7348	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA15N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	6A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1093 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SI3443DDDDV-T1-GE3	0.4300	RFQ	6970	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（4A）（ta），5.3a tc（TC）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±12V	970 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
SIR864DP-T1-GE3	-	RFQ	8959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir864	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2460 pf @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
SIA437DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	2425	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA437	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	29.7A（TC）	1.5V，4.5V	14.5MOHM @ 8A，4.5V	900mv @ 250µA	90 NC @ 8 V	±8V	2340 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SQ2361ES-T1_BE3	0.6300	RFQ	44	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.8A（TC）	4.5V，10V	177MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 30 V	-	2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²