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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4134DY-T1-GE3	0.7900	RFQ	3775	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4134	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	846 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI1469DH-T1-GE3	0.6300	RFQ	6496	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	2.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SIHB15N60E-GE3	3.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB15N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	180W（TC）
SI4906DY-T1-GE3	-	RFQ	8687	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4906	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	6.6a		39mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10V		625pf @ 20V	-
SI7540DP-T1-GE3	-	RFQ	8016	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7540	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	7.6a，5.7a		17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA461DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	9838	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	3.4W（TA），17.9W（tc）
SQ9945AEY-T1-E3	-	RFQ	1369	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9945	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	3.7a		80Mohm @ 3.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF840ASTRLPBF	2.5500	RFQ	2809	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI5515DC-T1-E3	-	RFQ	8862	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5515	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4.4a，3a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI2303BDS-T1	-	RFQ	6326	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.49a（ta）	4.5V，10V	200mohm @ 1.7A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
SI4914DY-T1-E3	-	RFQ	6056	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4914	MOSFET （金属 o化物）	1.1W，1.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.5a，5.7a		23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQ2364EES-T1_GE3	0.6700	RFQ	17	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2364	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2A（TC）	1.5V，4.5V	240MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 25 V	-	3W（TC）
SI7194DP-T1-GE3	-	RFQ	4426	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7194	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6590 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI5448DU-T1-GE3	0.6200	RFQ	9560	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5448	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	25A（TC）	4.5V，10V	7.75mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	1765 PF @ 20 V	-	31W（TC）
SIS452DN-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS452	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	4.5V，10V	3.25MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIR668DP-T1-RE3	2.3800	RFQ	1761年	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir668	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	95A（TC）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	83 NC @ 7.5 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	104W（TC）
SQD100N04-3M6L_GE3	1.6100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SQJ407EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	6300	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ407	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SQD40030E_GE3	0.7297	RFQ	2938	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40030	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	100A（TC）	10V	-	-	65 NC @ 10 V	-		-	-
SI1958DH-T1-E3	-	RFQ	8468	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1958	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		205mohm @ 1.3A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		105pf @ 10V	逻辑级别门
SQJ423EP-T1_GE3	1.1200	RFQ	7995	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ423	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	55A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SQ4949EY-T1_GE3	1.6100	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4949	MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	7.5A（TC）		35mohm @ 5.9a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1020pf @ 25V	-
IRFD310pbf	1.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SIHD7N60E-GE3	2.0100	RFQ	165	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHD7N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIS890ADN-T1-GE3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS890	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.6a（ta），24.7a tc）		25.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 50 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
IRF744L	-	RFQ	9534	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF744	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF744L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630mohm @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	-
SI4421DY-T1-E3	2.1000	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4421	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	8.75MOHM @ 14a，4.5V	800mv @ 850µA	125 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	7825	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-sqs482en-t1_be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI4925BDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	1623年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4925	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5.3a		25mohm @ 7.1a，10v	3V @ 250µA	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI2327DS-T1-GE3	-	RFQ	6148	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2327	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	200 v	380mA（ta）	6V，10V	2.35ohm @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²