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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1023 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350mA，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI1065X-T1-GE3 | - | | 8934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1065 | MOSFET （金属 o化物） | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 1.18A（TA） | 1.8V，4.5V | 156mohm @ 1.18a，4.5V | 950mv @ 250µA | 10.8 NC @ 5 V | ±8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW（TA） | |||
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 | SI2306BDS-T1-GE3 | 0.6000 | | 6988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2306 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.16a（ta） | 4.5V，10V | 47MOHM @ 3.5A，10V | 3V @ 250µA | 4.5 NC @ 5 V | ±20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW（TA） | |||
 | SI4401BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 9135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4401 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 40 V | 8.7a（ta） | 4.5V，10V | 14mohm @ 10.5a，10v | 3V @ 250µA | 55 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI4430BDY-T1-GE3 | 1.8500 | | 9321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4430 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 14A（TA） | 4.5V，10V | 4.5MOHM @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4686DY-T1-GE3 | 1.5600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®，WFET® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4686 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 18.2a（TC） | 4.5V，10V | 9.5MOHM @ 13.8A，10V | 3V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1220 pf @ 15 V | - | 3W（3），5.2W（5.2W）（TC） | ||||
 | SI6423DQ-T1-GE3 | 1.7700 | | 191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6423 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 8.2a（ta） | 1.8V，4.5V | 8.5MOHM @ 9.5A，4.5V | 800mv @ 400µA | 110 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.05W（TA） | ||||
| SI6925ADQ-T1-GE3 | - | | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6925 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a，4.5V | 1.8V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6926ADQ-T1-GE3 | 0.9700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6926 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 10.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6963BDQ-T1-GE3 | - | | 6140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6963 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3.9a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI7113DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 7356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7113 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 100 v | 13.2A（TC） | 4.5V，10V | 134mohm @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 1480 pf @ 50 V | - | 3.7W（TA），52W（TC） | ||||
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 | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 7698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7216 | MOSFET （金属 o化物） | 20.8W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 6a | 32MOHM @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19nc @ 10V | 670pf @ 20V | - | ||||||
| SI7308DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7308 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 6A（TC） | 4.5V，10V | 58MOHM @ 5.4A，10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 665 pf @ 15 V | - | 3.2W（TA），19.8W（tc） | ||||
| SI7411DN-T1-GE3 | - | | 7676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7411 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 7.5A（ta） | 1.8V，4.5V | 19mohm @ 11.4a，4.5V | 1V @ 300µA | 41 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI7414DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 7568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7414 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 5.6a（ta） | 4.5V，10V | 25mohm @ 8.7a，10v | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
 | SI7450DP-T1-GE3 | 2.9000 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7450 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 3.2A（ta） | 6V，10V | 80mohm @ 4A，10V | 4.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W（TA） | |||||
| SI7465DP-T1-GE3 | 1.3200 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7465 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.2A（ta） | 4.5V，10V | 64mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
 | SI7540DP-T1-GE3 | - | | 8016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7540 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 12V | 7.6a，5.7a | 17mohm @ 11.8a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7818 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 2.2A（ta） | 6V，10V | 135mohm @ 3.4a，10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7892BDP-T1-GE3 | 1.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7892 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 15A（TA） | 4.5V，10V | 4.2MOHM @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | 3775 pf @ 15 V | - | 1.8W（TA） | ||||
| SI7942DP-T1-GE3 | 2.9100 | | 4729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7942 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 3.8a | 49mohm @ 5.9a，10v | 4V @ 250µA | 24NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | SIA411DJ-T1-GE3 | - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA411 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Sc-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12A（TC） | 1.5V，4.5V | 30mohm @ 5.9a，4.5V | 1V @ 250µA | 38 NC @ 8 V | ±8V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.5W（TA），19W（tc） | |||
| SI7485DP-T1-GE3 | - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7485 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12.5A（TA） | 7.3mohm @ 20a，4.5V | 900mv @ 1mA | 150 NC @ 5 V | - | ||||||||
| SI7844DP-T1-GE3 | - | | 6195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7844 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a，10v | 2.4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | SUM110N06-3M4L-E3 | - | | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | sum110 | MOSFET （金属 o化物） | TO-263（D²Pak） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 110A（TC） | 4.5V，10V | 3.4mohm @ 30a，10v | 3V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ±20V | 12900 PF @ 25 V | - | 3.75W（TA），375W（tc） | |||
| SUM50N06-16L-E3 | - | | 8922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | sum50 | MOSFET （金属 o化物） | TO-263（D²Pak） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 50A（TC） | 16mohm @ 20a，10v | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | 1325 PF @ 25 V | - | 3.7W（ta），93w（tc） | |||||
| SUM85N15-19-E3 | 5.8400 | | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | sum85 | MOSFET （金属 o化物） | TO-263（D²Pak） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 150 v | 85A（TC） | 10V | 19mohm @ 30a，10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 4750 PF @ 25 V | - | 3.75W（TA），375W（tc） | ||||
| 2N7002K-T1-E3 | 0.2900 | | 986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA（TA） | 4.5V，10V | 2ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ±20V | 30 pf @ 25 V | - | 350MW（TA） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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