分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电阻 - RDS(On)
SIHD6N80AE-GE3	1.3200	询价	2	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SIHD6	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	800V	5A（温度）	10V	950毫欧@2A，10V	4V@250μA	10V时为22.5nC	±30V	422pF@100V	-	62.5W（温度）
SQ2310ES-T1_BE3	0.9000	询价	37	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SQ2310	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SQ2310ES-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6A（温度）	1.5V、4.5V	30mOhm@5A，4.5V	1V@250μA	8.5nC@4.5V	±8V	485pF@10V	-	2W（温度）
VQ2001P-2	-	询价	7358	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	14-DIP	VQ2001	MOSFET（金属O化物）	2W	14-DIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	4 P 沟道		30V	600毫安		2欧姆@1A，12V	4.5V@1mA	-		150pF@15V	-
SQJ409EP-T2_GE3	1.4900	询价	7432	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ409EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	260nC@10V	±20V	11000pF@25V	-	68W（温度）
2N4393-E3	-	询价	1646	威世硅科	-	大部分	过时的	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐	2N4393		1.8W	TO-206AA (TO-18)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200		N沟道								14pF@20V			40V	5毫安@20伏	500毫伏@1纳安	100欧姆
SIS452DN-T1-GE3	-	询价	6025	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS452	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	35A（温度）	4.5V、10V	3.25毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	41nC@10V	±20V	1700pF@6V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
SIA436DJ-T4-GE3	0.2467	询价	2153	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航436	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIA436DJ-T4-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	12A（温度）	1.2V、4.5V	9.4毫欧@15.7A，4.5V	800mV@250μA	25.2nC@5V	±5V	1508pF@4V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SI4831BDY-T1-E3	-	询价	7710	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4831	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	6.6A（温度）	4.5V、10V	42mOhm@5A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	625pF@15V	肖特基分散（隔离）	2W（Ta）、3.3W（Tc）
SI1012R-T1-GE3	0.4500	询价	214	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SI1012	MOSFET（金属O化物）		SC-75A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	500mA（塔）	1.8V、4.5V	700毫欧@600毫安，4.5伏	900mV@250μA	0.75nC@4.5V	±6V		-	150毫W（塔）
SI6924AEDQ-T1-GE3	-	询价	9759	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	SI6924	MOSFET（金属O化物）	1W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		28V	4.1A		33毫欧@4.6A，4.5V	1.5V@250μA	10nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI5403DC-T1-GE3	1.0400	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5403	MOSFET（金属O化物）		1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	6A（温度）	4.5V、10V	30毫欧@7.2A，10V	3V@250μA	42nC@10V	±20V	1340pF@15V	-	2.5W（Ta）、6.3W（Tc）
SI2303BDS-T1	-	询价	6326	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2303	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	1.49A（塔）	4.5V、10V	200毫欧@1.7A，10V	3V@250μA	10nC@10V	±20V	180pF@15V	-	700毫W（塔）
IRFB9N60APBF-BE3	3.0800	询价	1	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRFB9	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRFB9N60APBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	9.2A（温度）		750mOhm@5.5A，10V	4V@250μA	49nC@10V	±30V	1400pF@25V	-	170W（温度）
SI7900AEDN-T1-GE3	0.4998	询价	2939	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8 双	SI7900	MOSFET（金属O化物）	1.5W	PowerPAK® 1212-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		20V	6A		26毫欧@8.5A，4.5V	900mV@250μA	16nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI1303DL-T1-GE3	-	询价	1080	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SI1303	MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	670毫安（塔）	2.5V、4.5V	430毫欧@1A，4.5V	1.4V@250μA	2.2nC@4.5V	±12V		-	290毫W（塔）
SIHH150N60E-T1-GE3	5.3800	询价	6149	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	SIHH150	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	19A（TC）	10V	155mOhm@10A，10V	5V@250μA	36nC@10V	±30V	100V时为1514pF	-	156W（温度）
SIRA50DP-T1-RE3	1.6100	询价	1	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	西拉50	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	62.5A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	194nC@10V	+20V，-16V	8445pF@20V	-	6.25W（Ta）、100W（Tc）
SI4090DY-T1-GE3	1.5000	询价	4820	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4090	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	19.7A（温度）	6V、10V	10毫欧@15A，10V	3.3V@250μA	69nC@10V	±20V	2410pF@50V	-	3.5W（Ta）、7.8W（Tc）
SIRS4600DP-T1-RE3	3.7500	询价	50	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	58A（Ta）、334A（Tc）	7.5V、10V	1.2毫欧@20A，10V	4V@250μA	162nC@10V	±20V	7655pF@30V	-	7.4W（Ta）、240W（Tc）
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	询价	7825	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）		742-SQS482EN-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@16.4A，10V	2.5V@250μA	39nC@10V	±20V	1865pF@25V	-	62W（温度）
IRF740AS	-	询价	4466	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF740	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF740AS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	400V	10A（温度）	10V	550mOhm@6A，10V	4V@250μA	36nC@10V	±30V	1030pF@25V	-	3.1W（Ta）、125W（Tc）
SQJA34EP-T1_GE3	1.1100	询价	4562	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJA34	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	75A（温度）	10V	4.3毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2800pF@25V	-	68W（温度）
SI3473DV-T1-GE3	-	询价	2506	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3473	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	5.9A（塔）	1.8V、4.5V	23毫欧@7.9A，4.5V	1V@250μA	33nC@4.5V	±8V		-	1.1W（塔）
SI2367DS-T1-BE3	0.4100	询价	7592	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SI2367DS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	2.8A（Ta）、3.8A（Tc）	1.8V、4.5V	66毫欧@2.5A，4.5V	1V@250μA	8V时为23nC	±8V	561pF@10V	-	960mW（Ta）、1.7W（Tc）
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	询价	1947年	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PolarPAK® (L)	SIE818	MOSFET（金属O化物）		10-PolarPAK® (L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	75V	60A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@16A，10V	3V@250μA	95nC@10V	±20V	3200pF@38V	-	5.2W（Ta）、125W（Tc）
SIR4606DP-T1-GE3	1.2600	询价	14	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	10.5A（Ta）、16A（Tc）	7.5V、10V	18.5毫欧@4A，10V	4V@250μA	13.5nC@10V	±20V	540pF@30V	-	3.7W（Ta）、31.2W（Tc）
SQJ459EP-T1_GE3	1.4600	询价	1721	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ459	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	52A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	108nC@10V	±20V	4586pF@30V	-	83W（温度）
SIA426DJ-T1-GE3	-	询价	第1651章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航426	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	4.5A（温度）	2.5V、10V	23.6毫欧@9.9A，10V	1.5V@250μA	27nC@10V	±12V	10V时为1020pF	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
IRFD9123	-	询价	9032	威世硅科	-	管子	过时的	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9123	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	100伏	1A（塔）		600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V		390pF@25V	-	-
SQP100N04-3M6_GE3	-	询价	7171	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP100	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	100A（温度）	10V	3.6毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	135nC@10V	±20V	7200pF@25V	-	120W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²