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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRLU110	-	RFQ	4617	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU110	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*irlu110	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRLZ44L	-	RFQ	2094	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ44L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	-
irfr9010pbf	1.0600	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SQJ872EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	3649	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ872	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	24.5A（TC）	7.5V，10V	35.5mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1045 PF @ 25 V	-	55W（TC）
IRFSL31N20DTRL	-	RFQ	5464	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL31	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
IRF730AS	-	RFQ	1464	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF730AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRLI630GPBF	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLI630GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	6.2A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 3.7A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IRFR210TR	-	RFQ	5022	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHB22N65E-GE3	2.5431	RFQ	5246	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	22a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2415 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	RFQ	3794	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				SI7450				下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000				3.2a（ta），19.8a tc）
SI4403BDY-T1-E3	-	RFQ	1996	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1V @ 350µA	50 NC @ 5 V	±8V		-	1.35W（TA）
SI1330EDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1330	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1330EDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）		2.5Ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V		-	280MW（TA）
SQJ401EP-T1_GE3	2.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	32A（TC）	2.5V，4.5V	6mohm @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	164 NC @ 4.5 V	±8V	10015 pf @ 6 V	-	83W（TC）
2N7002K-T1-E3	0.2900	RFQ	986	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
SIJ470DP-T1-GE3	1.6300	RFQ	1561年	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij470	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	58.8A（TC）	7.5V，10V	9.1mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 50 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SIHG33N60E-E3	4.1309	RFQ	3921	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHG30N60E-E3	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG30N60EE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
SI3433BDV-T1-E3	-	RFQ	5654	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3433	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 5.6A，4.5V	850mv @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SIHB150N60E-GE3	3.8500	RFQ	9880	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	158mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI7104DN-T1-E3	0.9923	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SQJ456EP-T2_GE3	1.1340	RFQ	7725	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ456EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	6V，10V	26mohm @ 9.3a，10v	3.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3342 PF @ 25 V	-	83W（TC）
SQJQ906E-T1_GE3	2.6800	RFQ	3221	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ906	MOSFET （金属 o化物）	50W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	95A（TC）		3.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	42NC @ 10V		3600pf @ 20V	-
SI4933DY-T1-E3	-	RFQ	3964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4933	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	7.4a		14mohm @ 9.8a，4.5V	1V @ 500µA	70NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI2343CDS-T1-GE3	0.6200	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2343	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5.9a（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 4.2A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIHD7N60E-GE3	2.0100	RFQ	165	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHD7N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SI5484DU-T1-E3	-	RFQ	2765	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16mohm @ 7.6A，4.5V	2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±12V	1600 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFPS37N50A	-	RFQ	1868年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS37	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS37N50A	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	36a（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	5579 PF @ 25 V	-	446W（TC）
SQW44N65EF-GE3	7.6600	RFQ	509	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，e	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQW44N65EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	480		n通道	650 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	266 NC @ 10 V	±30V	5858 PF @ 100 V	-	500W（TC）
IRFD9220PBF	2.7600	RFQ	2009	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9220	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100		P通道	200 v	560ma（ta）	10V	1.5OHM @ 340mA，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²