RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ886EP-T1_BE3	1.5700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ886EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 15.3a，10v	2.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2922 PF @ 20 V	-	55W（TC）
IRFPF30	-	RFQ	6955	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPF30	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI8407DB-T2-E1	-	RFQ	5162	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-microfoot®csp	SI8407	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（2.4x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.8A（ta）	1.8V，4.5V	27mohm @ 1A，4.5V	900MV @ 350µA	50 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.47W（TA）
irlr024pbf	1.6800	RFQ	6921	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI4390DY-T1-E3	-	RFQ	2263	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4390	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.5a（ta）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 12.5A，10V	2.8V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），420MW（TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1A（1A），1.1A（1A）（TC）		235mohm @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
SIHB20N50E-GE3	3.2800	RFQ	6792	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIRA28BDP-T1-GE3	0.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira28	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A），38a tc（38A）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	+20V，-16V	582 pf @ 15 V	-	3.8W（ta），17W（（（（（（（）
SI4101DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	25.7A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	203 NC @ 10 V	±20V	8190 pf @ 15 V	-	6W（TC）
IRL540pbf	2.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL540pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SIE802DF-T1-GE3	1.8574	RFQ	6635	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE802	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 23.6a，10v	2.7V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI1442DH-T1-GE3	0.4500	RFQ	7631	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1442	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SIDR140DP-T1-RE3	2.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	79A（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.67MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	170 NC @ 10 V	+20V，-16V	8150 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SUD50N04-16P-E3	-	RFQ	6664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	9.8A（TA），20A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1655 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），35.7W（TC）
VQ1001P	-	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1001	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		30V	830mA		1.75OHM @ 200mA，5v	2.5V @ 1mA	-		110pf @ 15V	逻辑级别门
SI2377EDS-T1-GE3	0.4400	RFQ	7653	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2377	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.4A（TC）	1.5V，4.5V	61MOHM @ 3.2a，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 8 V	±8V		-	1.25W（TA），1.8W（tc）
IRFR320	-	RFQ	9221	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR320	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1467DH-T1-E3	0.6700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1467	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SQP60N06-15_GE3	-	RFQ	6801	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	56A（TC）	10V	15mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2480 pf @ 25 V	-	107W（TC）
SIHA15N50E-E3	2.2000	RFQ	7467	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	33W（TC）
IRFZ40pbf	2.7800	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz40pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFPS30N60KPBF	-	RFQ	7510	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS30	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS30N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	30A（TC）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	5870 pf @ 25 V	-	450W（TC）
IRF9610STRL	-	RFQ	5762	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）
SUP90N06-6M0P-E3	3.1400	RFQ	500	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	90A（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SUP60030E-GE3	3.0600	RFQ	374	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60030	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	7.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	7910 PF @ 40 V	-	375W（TC）
SI5440DC-T1-GE3	-	RFQ	4577	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5440	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9.1a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
SIR826ADP-T1-GE3	2.5400	RFQ	9717	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SUP90142E-GE3	3.2700	RFQ	5809	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90142	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	90A（TC）	7.5V，10V	15.2Mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	31200 PF @ 100 V	-	375W（TC）
SI4178DY-T1-GE3	0.6400	RFQ	1733年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4178	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 8.4a，10v	2.8V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	405 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI1036X-T1-GE3	0.4200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1036	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	610ma（ta）		540MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		36pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²