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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4158DY-T1-GE3	-	RFQ	6438	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4158	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	36.5A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±16V	5710 PF @ 10 V	-	（3w（ta），6w（tc）
irlr024tr	-	RFQ	9144	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），420MW（TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1A（1A），1.1A（1A）（TC）		235mohm @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
SIHB20N50E-GE3	3.2800	RFQ	6792	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SI4860DY-T1-GE3	-	RFQ	6131	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4860	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 16a，10v	1V @ 250µA（250µA）	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SUP90N06-6M0P-E3	3.1400	RFQ	500	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	90A（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
IRFL214TRPBF	1.4000	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF634L	-	RFQ	6831	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF634L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	-
IRFD9110	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9110	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI4501BDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	53	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4501	MOSFET （金属 o化物）	4.5W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V，8V	12a，8a		17mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	25nc @ 10V		805pf @ 15V	逻辑级别门
SIS862DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	8472	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	40a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1320 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI3433CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	2156	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3433	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	38mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），3.3W（tc）
IRFB9N30A	-	RFQ	5932	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N30A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	9.3A（TC）	10V	450MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	96W（TC）
sum90n06-5m5p-e3	-	RFQ	6559	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	5.5MOHM @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SI5513DC-T1-GE3	-	RFQ	7782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	3.1a，2.1a		75MOHM @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3127DV-T1-GE3	0.4800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3127	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.5A（TA），13A （TC）	4.5V，10V	89mohm @ 1.5A，4.5V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	833 PF @ 20 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
SUM50N06-16L-E3	-	RFQ	8922	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）		16mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V		1325 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），93w（tc）
SIS472ADN-T1-GE3	0.1714	RFQ	7351	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1515 PF @ 15 V	-	28W（TC）
SUM75N06-09L-E3	-	RFQ	4104	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum75	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）		9.3mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	75 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-
IRFR310	-	RFQ	3591	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR310	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9024TRPBF	1.2900	RFQ	16	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfr214trr	-	RFQ	5918	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4840BDY-T1-E3	1.6600	RFQ	69	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	19a（tc）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.4a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
SQ2351ES-T1_BE3	0.6000	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2351ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（TC）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	2W（TC）
SI5442DU-T1-GE3	0.6300	RFQ	9052	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5442	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	10mohm @ 8a，4.5V	900mv @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1700 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SQP100P06-9M3L_GE3	-	RFQ	5131	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	9.3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12010 PF @ 25 V	-	187W（TC）
IRFP244pbf	5.3100	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP244	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP244PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI7956DP-T1-E3	3.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7956	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	2.6a		105MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	26NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFR320TRRPBF	0.8122	RFQ	3149	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFPS38N60LPBF	-	RFQ	1847年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS38	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS38N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	38A（TC）	10V	150MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±30V	7990 pf @ 25 V	-	540W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²