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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRF9Z20	-	RFQ	2062	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9Z20	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	50 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFR9110TRLPBF	1.5900	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7848DP-T1-E3	-	RFQ	5191	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	10.4a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±20V		-	1.83W（TA）
SIHP186N60EF-GE3	1.8610	RFQ	8796	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP186	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	18A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4823DY-T1-GE3	-	RFQ	4938	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4823	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	4.1A（TC）	2.5V，4.5V	108mohm @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（ta），2.8W（TC）
SI7620DN-T1-GE3	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7620	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	13A（TC）	10V	126mohm @ 3.6A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	3.8W（TA），5.2W（TC）
IRF520STRR	-	RFQ	4252	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIDR570EP-T1-RE3	3.0300	RFQ	8461	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	30.8A（TA），90.9A （TC）	7.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 75 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SIHG21N60EF-GE3	4.4700	RFQ	6532	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIHB22N60ET1-GE3	3.5600	RFQ	9622	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIS606BDN-T1-GE3	1.4900	RFQ	7649	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS606	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	9.4a（TA），35.3a （TC）	7.5V，10V	17.4mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI3495DV-T1-GE3	-	RFQ	7465	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3495	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	24mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
SUM110P06-08L-E3	4.4500	RFQ	9491	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	60 V	110A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SIHB21N65EF-GE3	5.0800	RFQ	351	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB21	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHA14N60E-GE3	2.3700	RFQ	6111	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA14N60E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRF840STRRPBF	2.8500	RFQ	415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF630STRL	-	RFQ	2493	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIRC06DP-T1-GE3	0.3733	RFQ	8732	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	32A（TA），60a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 250µA	58 NC @ 10 V	+20V，-16V	2455 pf @ 15 V	（（（）	5W（5W），50W（50W）TC）
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（SH）	SIE836	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（SH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	200 v	18.3a（TC）	10V	130MOHM @ 4.1A，10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
IRFBC20STRR	-	RFQ	2867	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHG25N50E-GE3	3.8600	RFQ	4359	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	RFQ	2231	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS698	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	6.9a（TC）	6V，10V	195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 50 V	-	19.8W（TC）
2N4117A-2	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4117		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20	n通道								3pf @ 10V			40 V	30 µA @ 10 V	600 mv @ 1 na
SI1072X-T1-E3	-	RFQ	7584	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1072	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	93MOHM @ 1.3A，10V	3V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SI4800BDY-T1-E3	0.9200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4800	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.3W（TA）
SIR5623DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	4432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	10.5A（TA），37.1A （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 30 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS436	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	16A（TC）	4.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	855 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6473	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	12.5MOHM @ 9.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 5 V	±8V		-	1.08W（TA）
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
SI7772DP-T1-GE3	0.8100	RFQ	2998	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7772	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²