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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI8413DB-T1-E1	1.3900	RFQ	7806	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8413	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.8A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.47W（TA）
IRF510	-	RFQ	2862	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF510	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SISS40DN-T1-GE3	0.5292	RFQ	3401	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS40	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	36.5A（TC）	6V，10V	21mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	845 PF @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SQ4064EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	7	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SI6981DQ-T1-GE3	-	RFQ	2405	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6981	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.1a		31MOHM @ 4.8A，4.5V	900MV @ 300µA	25nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4153DY-T1-GE3	0.7100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4153DY-T1-GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.3A（TA），19.3A （TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SI3445ADV-T1-GE3	-	RFQ	8634	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3445	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	4.4a（ta）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 5.8A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRFI624G	-	RFQ	8475	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI624	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI624G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	3.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SIJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SI7844DP-T1-GE3	-	RFQ	6195	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7844	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6.4a		22mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF840SPBF	2.1000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI5913DC-T1-GE3	-	RFQ	5112	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5913	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	2.5V，10V	84MOHM @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	330 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA），3.1W（TC）
SQJ443EP-T1_BE3	1.4100	RFQ	4778	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ443EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 20 V	-	83W（TC）
SIA4265EDJ-T1-GE3	0.4200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA4265EDJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.8a（ta），9a（tc）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V	1180 pf @ 0 V	-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SIHP8N50D-E3	1.7300	RFQ	6384	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	156W（TC）
IRFL9014PBF	-	RFQ	6170	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQJB48EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB48	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		5.2MOHM @ 8A，10V	3.3V @ 250µA	40NC @ 10V		2350pf @ 25V	-
SI2318CDS-T1-GE3	0.4600	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	5.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
IRF540STRL	-	RFQ	6577	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFP448	-	RFQ	7656	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP448	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP448	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF9520L	-	RFQ	6547	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9520L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	-
SI4908DY-T1-GE3	-	RFQ	2840	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4908	MOSFET （金属 o化物）	2.75W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	5a		60mohm @ 4.1A，10V	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		355pf @ 20V	-
IRFP22N50A	-	RFQ	2680	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP22N50A	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	22a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3450 pf @ 25 V	-	277W（TC）
SI7772DP-T1-GE3	0.8100	RFQ	2998	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7772	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）
IRF9520STRR	-	RFQ	5832	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFI9610GPBF	2.0800	RFQ	9855	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	2A（TC）	10V	3ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SQ4005EY-T1_BE3	1.0100	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4005	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4005EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	15A（TC）	2.5V，4.5V	22mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3600 PF @ 6 V	-	6W（TC）
IRFL210	-	RFQ	4066	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL210	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	200 v	960ma（tc）	10V	1.5OHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI6544BDQ-T1-GE3	-	RFQ	9899	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6544	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	3.7a，3.8a		43MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		-	逻辑级别门
SIR150DP-T1-RE3	0.8800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir150	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	30.9a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	2.71MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	4000 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²