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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SIHB21N65EF-GE3	5.0800	RFQ	351	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB21	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHA14N60E-GE3	2.3700	RFQ	6111	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA14N60E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRF840STRRPBF	2.8500	RFQ	415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF630STRL	-	RFQ	2493	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIRC06DP-T1-GE3	0.3733	RFQ	8732	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	32A（TA），60a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 250µA	58 NC @ 10 V	+20V，-16V	2455 pf @ 15 V	（（（）	5W（5W），50W（50W）TC）
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（SH）	SIE836	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（SH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	18.3a（TC）	10V	130MOHM @ 4.1A，10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIHG25N50E-GE3	3.8600	RFQ	4359	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	RFQ	2231	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS698	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	6.9a（TC）	6V，10V	195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 50 V	-	19.8W（TC）
2N4117A-2	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4117		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		n通道								3pf @ 10V			40 V	30 µA @ 10 V	600 mv @ 1 na
SI1072X-T1-E3	-	RFQ	7584	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1072	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	93MOHM @ 1.3A，10V	3V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SI4800BDY-T1-E3	0.9200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4800	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.3W（TA）
SIR5623DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	4432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	10.5A（TA），37.1A （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 30 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS436	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	16A（TC）	4.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	855 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6473	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	12.5MOHM @ 9.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 5 V	±8V		-	1.08W（TA）
SIDR220DP-T1-GE3	2.8000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR220	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	87.7a（ta），100a tc）	4.5V，10V	5.8mohm @ 20a，10v	2.1V @ 250µA	200 NC @ 10 V	+16V，-12V	1085 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI5905BDC-T1-GE3	-	RFQ	2661	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5905	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	4a		80mohm @ 3.3a，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 8V		350pf @ 4V	逻辑级别门
IRFR210TRLPBF	1.1700	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFU9214PBF	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9214	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9214pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHP085N60EF-GE3	5.9900	RFQ	4348	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP085	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP085N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	34A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SIHP4N80E-GE3	1.0201	RFQ	5949	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SQ4917EY-T1_BE3	1.5500	RFQ	22	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4917	MOSFET （金属 o化物）	5W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		48mohm @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		1910pf @ 30V	-
IRFBC40APBF-BE3	2.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC40APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）		1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI6926ADQ-T1-GE3	0.9700	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6926	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.1a		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70090	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）
SIZ342ADT-T1-GE3	0.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ342	MOSFET （金属 o化物）	3.7W（TA），16.7W（tc）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ342ADT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7A（TA），33.4A （TC）		9.4mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	12.2nc @ 10V		580pf @ 15V	-
SUD50N10-18P-GE3	-	RFQ	8157	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	8.2a（ta），50a（tc）	10V	18.5mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3W（TA），136.4W（TC）
SI4435FDY-T1-GE3	0.4900	RFQ	5590	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	12.6a（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	4.8W（TC）
SIJA58DP-T1-GE3	0.4092	RFQ	3967	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA58	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	3750 pf @ 20 V	-	27.7W（TC）
SI5433BDC-T1-GE3	-	RFQ	1923年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5433	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.8A（ta）	1.8V，4.5V	37MOHM @ 4.8A，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRFBF20STRL	-	RFQ	1014	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²