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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1401EDH-T1-GE3	0.4100	RFQ	8266	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1401	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（TC）	1.5V，4.5V	34MOHM @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
SI1036X-T1-GE3	0.4200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1036	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	610ma（ta）		540MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		36pf @ 15V	-
SI5517DU-T1-GE3	1.1800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5517	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6a		39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		520pf @ 10V	逻辑级别门
SIHA22N60E-E3	3.9000	RFQ	4436	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI1442DH-T1-BE3	0.4500	RFQ	4936	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1442	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	4A（ta）		20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W（TA）
SQ2361E-T1_GE3	0.6300	RFQ	7852	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.8A（TC）	10V	177MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SIHG24N80AEF-GE3	4.8700	RFQ	500	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG24N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	20A（TC）	10V	195mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1889 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SQP120N10-3M8_GE3	-	RFQ	5436	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7230 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SIA441DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	103	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA441	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 4.4A，10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 20 V	-	19w（tc）
SIR664DP-T1-GE3	1.1400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	PowerPak®SO-8	Sir664	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）		6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V		1750 pf @ 30 V	-
SI3454ADV-T1-GE3	-	RFQ	2403	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SUP60N10-16L-E3	-	RFQ	9230	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI1051X-T1-GE3	-	RFQ	2469	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1051	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	122MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	9.45 NC @ 5 V	±5V	560 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
SI1553DL-T1-GE3	-	RFQ	7147	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	660mA，410mA		385MOHM @ 660mA，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI6963BDQ-T1-GE3	-	RFQ	6140	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6963	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.4a		45mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
irfr9010pbf	1.0600	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SI5443DC-T1-E3	-	RFQ	9334	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
sihp33n60e-ge3	6.1200	RFQ	700	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	sihp33	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		sihp33n60ege3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SUD50P04-08-E3	-	RFQ	2195	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				SUD50				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000
SIHP25N50E-GE3	3.2100	RFQ	27	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHP25N50E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SQ1912EH-T1_GE3	0.4800	RFQ	31	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1912	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	800mA（TC）		280MOHM @ 1.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.15NC @ 4.5V		75pf @ 10V	-
IRFR320	-	RFQ	9221	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR320	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4116DY-T1-E3	1.2500	RFQ	3658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4116	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	18A（TC）	2.5V，10V	8.6mohm @ 10a，10v	1.4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±12V	1925 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI1488DH-T1-GE3	-	RFQ	6551	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1488	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.1A（TC）	1.8V，4.5V	49MOHM @ 4.6A，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	530 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
SIHD3N50D-BE3	0.9200	RFQ	1899年	Vishay Siliconix	d	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SIHD3N50D-BE3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
SI5404BDC-T1-E3	0.4200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5404	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.4A（ta）	2.5V，4.5V	28mohm @ 5.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIR5112DP-T1-RE3	1.8000	RFQ	7663	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir5112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	12.6a（ta），42.6a（tc）	7.5V，10V	14.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 50 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SISC06DN-T1-GE3	0.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISC06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	27.6a（TA），40a tc）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 250µA	58 NC @ 10 V	+20V，-16V	2455 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），46.3W（tc）
SQ4483BEEY-T1_GE3	1.7500	RFQ	26	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	22a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V		-	7W（TC）
2N4857JTXV02	-	RFQ	8900	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4857			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²