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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7156DP-T1-E3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7156	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7164DP-T1-GE3	2.9100	RFQ	984	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	6.25mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2830 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4825	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.9a（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±25V	2550 pf @ 15 V	-	2.7W（ta），5W（tc）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
SI3993CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	9869	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3993	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	2.9a		111MOHM @ 2.5A，10V	2.2V @ 250µA	8NC @ 10V		210pf @ 15V	-
SI7113DN-T1-GE3	1.6800	RFQ	7356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7113	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	13.2A（TC）	4.5V，10V	134mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI7892BDP-T1-GE3	1.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
SUP50020E-GE3	2.9300	RFQ	4691	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50020	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	120A（TC）	7.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V		-	375W（TC）
SI4816DY-T1-GE3	-	RFQ	9991	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
SQJQ186ER-T1_GE3	2.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	SQJQ186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	329a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SI4058DY-T1-GE3	0.6200	RFQ	3764	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4058	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	690 pf @ 50 V	-	5.6W（TC）
SIHP28N65E-GE3	2.8195	RFQ	4982	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	29A（TC）	10V	112mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3405 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI9434BDY-T1-GE3	-	RFQ	8281	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9434	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SIS402DN-T1-GE3	1.8900	RFQ	2651	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	RFQ	558	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.7W（TA）
SI4946BEY-T1-E3	1.4800	RFQ	27	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4946	MOSFET （金属 o化物）	3.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6.5a		41MOHM @ 5.3A，10V	3V @ 250µA	25nc @ 10V		840pf @ 30V	逻辑级别门
SIHA12N50E-GE3	1.8700	RFQ	950	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	32W（TC）
irfd320pbf	1.8600	RFQ	469	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD320	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfd320pbf	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	400 v	490mA ta）	10V	1.8OHM @ 210mA，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI2342DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	3935	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2342DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	6a（6a），6A（6A （TC）	1.2V，4.5V	17MOHM @ 7.2A，4.5V	800MV @ 250µA	15.8 NC @ 4.5 V	±5V	1070 pf @ 4 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SQ1539EH-T1_GE3	0.7600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SQ1539	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	850mA（TC）		280MOHM @ 1A，10V，940MOHM @ 500mA，10V	2.6V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V，1.6NC @ 4.5V		48pf @ 15V，50pf @ 15V	-
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	RFQ	657	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfz20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIA483DJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	118	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA483	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIR820DP-T1-GE3	0.6350	RFQ	3781	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir820	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3512 PF @ 15 V	-	37.8W（TC）
SIR500DP-T1-RE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR500DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	85.9a（TA），350.8A（tc）	4.5V，10V	0.47MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	+16V，-12V	8960 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104.1W（tc）
SI7942DP-T1-E3	2.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7942	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	3.8a		49mohm @ 5.9a，10v	4V @ 250µA	24NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIHD240N60E-GE3	2.5500	RFQ	3	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD240	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	240MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	783 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SQJQ184E-T1_GE3	3.5500	RFQ	3708	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	430a（TC）	10V	1.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	272 NC @ 10 V	±20V	16010 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SI5513CDC-T1-GE3	0.6200	RFQ	7886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a，3.7a		55mohm @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.2nc @ 5V		285pf @ 10V	逻辑级别门
SI7409ADN-T1-E3	-	RFQ	6256	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7409	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²