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离散半导体产品（（5717）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IRF620 Vishay Siliconix IRF620 -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -65°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF620 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 5.2A（TC） 10V 800MOHM @ 3.1A，10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 260 pf @ 25 V - 50W（TC）
IRF734L Vishay Siliconix IRF734L -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA IRF734 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） *IRF734L Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 4.9A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.9a，10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 680 pf @ 25 V - -
IRF830LPBF Vishay Siliconix IRF830LPBF 1.1708
RFQ
 ECAD 1636年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA IRF830 MOSFET （金属 o化物） TO-262-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRF830LPBF Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 4.5A（TC） 10V 1.5OHM @ 2.7a，10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 25 V - 3.1W（ta），74W（tc）
SIHP23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP23N60E-GE3 3.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 SIHP23 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 23A（TC） 10V 158mohm @ 12a，10v 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±30V 2418 PF @ 100 V - 227W（TC）
SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4946 MOSFET （金属 o化物） 3.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6.5a 41MOHM @ 5.3A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 840pf @ 30V 逻辑级别门
IRF734 Vishay Siliconix IRF734 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF734 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） *IRF734 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 4.9A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.9a，10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 680 pf @ 25 V - 74W（TC）
SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1922EEH-T1_GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SQ1922 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 840ma（tc） 350MOHM @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 50pf @ 10V -
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7149ADP-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7149 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 50A（TC） 4.5V，10V 5.2MOHM @ 15A，10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±25V 5125 pf @ 15 V - 5W（5W），48W（（（（（
SI3442BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-BE3 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP 下载 （1 （无限） 742-SI3442BDV-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 57MOHM @ 4A，4.5V 1.8V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V ±12V 295 pf @ 10 V - 860MW（TA）
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7858 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 12 v 20A（TA） 2.5V，4.5V 2.6mohm @ 29a，4.5V 1.5V @ 250µA 80 NC @ 4.5 V ±8V 5700 PF @ 6 V - 1.9W（TA）
IRF734PBF Vishay Siliconix IRF734PBF -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF734 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF734PBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 4.9A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.9a，10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 680 pf @ 25 V - 74W（TC）
IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix IRFZ48RSPBF 3.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRFZ48 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRFZ48RSPBF Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 50A（TC） 10V 18mohm @ 43a，10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 190w（TC）
IRF614L Vishay Siliconix IRF614L -
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA IRF614 MOSFET （金属 o化物） TO-262 - Rohs不合规 （1 （无限） *IRF614L Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 2.7A（TC） 10V 2ohm @ 1.6A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - -
SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-E3 1.3041
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4451 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 12 v 10a（10a） 1.8V，4.5V 8.25mohm @ 14A，4.5V 800mv @ 850µA 120 NC @ 4.5 V ±8V - 1.5W（TA）
IRFP9140PBF Vishay Siliconix IRFP9140pbf 2.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP9140 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRFP9140PBF Ear99 8541.29.0095 25 P通道 100 v 21a（TC） 10V 200mohm @ 13a，10v 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 180W（TC）
IRF730PBF Vishay Siliconix IRF730pbf 1.5700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF730 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRF730pbf Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 5.5A（TC） 10V 1欧姆 @ 3.3a，10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 74W（TC）
IRF740A Vishay Siliconix IRF740A -
RFQ
 ECAD 6797 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF740 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF740A Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 10A（TC） 10V 550MOHM @ 6A，10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1030 pf @ 25 V - 125W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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