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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR9220Trl	-	RFQ	6528	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIRS4401DP-T1-GE3	3.2900	RFQ	8939	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	46.8A（TA），198a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	588 NC @ 10 V	±20V	21850 pf @ 20 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
IRF730a	-	RFQ	9673	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF730a	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
irlr014tr	-	RFQ	1152	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQS401ENW-T1_GE3	-	RFQ	7211	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	21.2 NC @ 4.5 V	±20V	1875 PF @ 20 V	-	62.5W（TC）
SI4408DY-T1-GE3	1.6758	RFQ	8886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI2311ds-T1-E3	-	RFQ	5828	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2311	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 3.5A，4.5V	800MV @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V	970 pf @ 4 V	-	710MW（TA）
SQD40031EL_GE3	1.6500	RFQ	3668	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40031	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SI7409ADN-T1-GE3	-	RFQ	6828	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7409	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SI3481DV-T1-E3	-	RFQ	6926	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3481	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4A（ta）	4.5V，10V	48mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SIR178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir178	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR178DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（100A）（ta），430a tc）（TC）	2.5V，10V	0.4mohm @ 30a，10v	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	+12V，-8V	12430 PF @ 10 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
SIHK045N60E-T1-GE3	9.9700	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHK045N60E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	48A（TC）	10V	49mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4013 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SUD50N02-09P-E3	-	RFQ	9366	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	20A（TA）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUP40012EL-GE3	2.3400	RFQ	7391	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40012	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.79MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	10930 PF @ 20 V	-	150W（TC）
IRFZ34	-	RFQ	6877	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IRFU9214	-	RFQ	6779	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9214	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI2334DS-T1-GE3	-	RFQ	6788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2334	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9A（TC）	2.5V，4.5V	44mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 15 V	-	1.3W（TA），1.7W（TC）
SIR426DP-T1-GE3	1.0400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
IRFIB7N50LPBF	-	RFQ	5820	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB7N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.8A（TC）	10V	380MOHM @ 4.1A，10V	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	46W（TC）
IRF9Z14LPBF	0.8663	RFQ	9779	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9Z14	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z14LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI7111EDN-T1-GE3	0.6300	RFQ	3693	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7111	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	2.5V，4.5V	8.55MOHM @ 15a，4.5V	1.6V @ 250µA	46 NC @ 2.5 V	±12V	5860 pf @ 15 V	-	52W（TC）
SI5447DC-T1-GE3	-	RFQ	1002	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5447	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 3.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SI6913DQ-T1-E3	2.1400	RFQ	3095	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6913	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.9a		21MOHM @ 5.8A，4.5V	900MV @ 400µA	28nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJ946EP-T1_GE3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ946	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	15A（TC）		33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		600pf @ 25V	-
IRFZ14L	-	RFQ	8748	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ14L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF840S	-	RFQ	4727	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFU9110PBF	1.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9110	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9110pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHB22N60EL-GE3	2.2344	RFQ	2818	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SI7110DN-T1-E3	1.8500	RFQ	8508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 21.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²