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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFI644GPBF	2.9500	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI644GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	7.9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFU9010PBF	1.5200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9010	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9010pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRF820	-	RFQ	8597	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SUD50P04-23-GE3	-	RFQ	1787年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	8.2a（ta），20a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±16V	1880 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），45.4W（TC）
SI4425BDY-T1-GE3	1.9500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 11.4a，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF510pbf	1.1200	RFQ	55	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF510pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7342	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	8.25mohm @ 15a，10v	1.8V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
SQM40014EM_GE3	2.9800	RFQ	7750	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM40014	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）	10V	1mohm @ 35a，10v	3.5V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15525 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SI1913EDH-T1-E3	-	RFQ	9757	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1913	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	880mA		490MOHM @ 880mA，4.5V	450mv @ 100µA	1.8NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA432DJ-T1-GE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA432	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
IRFS11N50APBF	2.9400	RFQ	445	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SUD50N06-09L-E3	3.4100	RFQ	874	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2650 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IRL520LPBF	0.6856	RFQ	6297	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL520LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF624SPBF	2.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF624SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHG21N65EF-GE3	3.3640	RFQ	8770	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRFL9110TR	-	RFQ	7383	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF630L	-	RFQ	9171	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF630L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	-
IRFU9214	-	RFQ	6779	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9214	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ44STRL	-	RFQ	2206	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SI4340CDY-T1-E3	1.3500	RFQ	612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI4340	MOSFET （金属 o化物）	3W，5.4W	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	14.1a，20a		9.4mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	32NC @ 10V		1300pf @ 10V	逻辑级别门
IRF840ASPBF	2.5500	RFQ	940	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFR9110TRPBF	1.2300	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIA915DJ-T1-GE3	-	RFQ	3323	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA915	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5a		87MOHM @ 2.9a，10V	2.2V @ 250µA	9NC @ 10V		275pf @ 15V	逻辑级别门
SQ3419AEEV-T1_GE3	0.7000	RFQ	5493	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	6.9a（TC）	4.5V，10V	61mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±12V	975 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SI2323DDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.3A（TC）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
IRF644S	-	RFQ	2188	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIHH21N65EF-T1-GE3	6.4800	RFQ	675	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	19.8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	2396 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIE848DF-T1-GE3	-	RFQ	3442	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE848	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI1450DH-T1-GE3	-	RFQ	5032	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1450	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	4.53A（TA），6.04a （TC）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	7.05 NC @ 5 V	±5V	535 pf @ 4 V	-	1.56W（TA），2.78W（tc）
SI4992EY-T1-GE3	-	RFQ	6227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4992	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		75V	3.6a		48mohm @ 4.8A，10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²