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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRFR020TRR	-	RFQ	4350	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI5475DC-T1-E3	-	RFQ	5330	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5475	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5.5A，4.5V	450mv @ 1ma （最小）	29 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SIHG039N60E-GE3	11.1400	RFQ	392	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG039	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	63A（TC）	10V	39mohm @ 32a，10v	5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±30V	4369 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SQD40031EL_GE3	1.6500	RFQ	3668	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40031	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRLD024	-	RFQ	6236	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLD024	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.5a（ta）	4V，5V	100mohm @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
VQ1004P	-	RFQ	4690	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-		830mA ta）	5V，10V	-	-		±20V		-	-
IRFI644G	-	RFQ	7730	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI644G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	7.9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIA917DJ-T1-GE3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA917	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	9NC @ 10V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SI5517DU-T1-E3	-	RFQ	7282	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5517	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6a		39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		520pf @ 10V	逻辑级别门
SI7456DP-T1-E3	2.1000	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.7A（ta）	6V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SST204-E3	-	RFQ	3203	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST204		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道								4.5pf @ 15V			40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
SI3441BDV-T1-GE3	-	RFQ	4470	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3441	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.45a（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.3A，4.5V	850mv @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±8V		-	860MW（TA）
SIHB12N65E-GE3	2.9300	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
IRFR110TRLPBF	1.3900	RFQ	3865	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SQJQ144AE-T1_GE3	2.7700	RFQ	4319	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ144	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ144AE-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	575a（TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9020 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SQA413CEJW-T1_GE3	0.4300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6	SQA413	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（TC）	2.5V，4.5V	38mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±12V	1350 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
IRF740	-	RFQ	6753	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI1032R-T1-GE3	0.5200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1032	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	140mA（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.2V @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
SI9407BDY-T1-E3	1.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9407	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	120mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	5W（TC）
IRF9540	-	RFQ	6306	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9540	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF614L	-	RFQ	2502	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		TO-262	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF614L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	-
SQM120N04-1M9_GE3	2.1090	RFQ	2922	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.9mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	8790 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SIA4263DJ-T1-GE3	0.6000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA4263DJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（ta），12a（tc）	1.8V，4.5V	22MOHM @ 7.5A，4.5V	1V @ 250µA	52.2 NC @ 8 V	±8V	1825 PF @ 10 V	-	3.29W（TA），15.6W（tc）
SQJ158EP-T1_GE3	0.7300	RFQ	4045	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ158	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	45W（TC）
SQD50N04-09H-GE3	-	RFQ	1451	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50N	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）		9mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V		4240 pf @ 25 V	-
IRFR214pbf	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr214pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFP054PBF	4.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP054	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP054PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFP23N50LPBF	7.5100	RFQ	164	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP23N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	23A（TC）	10V	235mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	370W（TC）
SI1902DL-T1-GE3	0.5200	RFQ	127	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	660mA		385MOHM @ 660mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJA20EP-T1_GE3	1.4700	RFQ	8858	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA20	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	22.5A（TC）	7.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	68W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²