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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ4940AEY-T1_GE3	1.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4940	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		24mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	43nc @ 10V		741pf @ 20V	逻辑级别门
SIS4634LDN-T1-GE3	0.7200	RFQ	5669	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4634	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	60 V	7.8A（ta），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SIRS5100DP-T1-GE3	3.3100	RFQ	3510	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS5100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	100 v	39a（ta），225a（tc）	7.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	7.4W（ta），240W（TC）
SIRS5800DP-T1-GE3	3.1900	RFQ	7790	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS5800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	46A（TA），265a （TC）	7.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 40 V	-	7.4W（ta），240W（TC）
SQ2348CES-T1_GE3	0.4300	RFQ	9162	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2348	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SQS181ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	44A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2771 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SQS182ELNW-T1_GE3	0.8500	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	45A（TC）	4.5V，10V	13.2MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2024 PF @ 25 V	-	65W（TC）
SQ2309CES-T1_GE3	-	RFQ	5634	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	370MOHM @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
SIHR080N60E-T1-GE3	6.1300	RFQ	3222	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	51A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	500W（TC）
SQS120ELNW-T1_GE3	1.0300	RFQ	9729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	192a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 25 V	-	119W（TC）
SIZF4800LDT-T1-GE3	1.5500	RFQ	8706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™		MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），56.8W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		80V	10a（10a），36a （TC）		19mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	23nc @ 10V		950pf @ 40V	标准
SISH472DN-T1-GE3	0.6500	RFQ	437	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（15A）（TA），20A （TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	997 PF @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
SQ2310CES-T1_GE3	-	RFQ	9585	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件			742-SQ2310CES-T1_GE3TR			1		n通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	590 pf @ 10 V	-	2W（TC）
IRFIB5N50LPBF	-	RFQ	6961	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB5N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.7A（TC）	10V	800MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SUP85N10-10P-GE3	-	RFQ	6079	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	85A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4660 pf @ 50 V	-	3.75W（ta），227W（tc）
SQRS140ELP-T1_GE3	2.6800	RFQ	8072	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8SW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	504a（TC）	4.5V，10V	600µhm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	294 NC @ 10 V	±20V	15398 PF @ 25 V	-	266W（TC）
SQS140ELNW-T1_GE3	1.1400	RFQ	4697	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	153a（TC）	4.5V，10V	2.53mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4051 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SQS142ELNW-T1_GE3	0.9700	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	86A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2442 PF @ 25 V	-	70W（TC）
SI4752DY-T1-GE3	-	RFQ	8028	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4752	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	（（（）	（3W（ta），6.25W（TC）
SIZ902DT-T1-GE3	1.4900	RFQ	6870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ902	MOSFET （金属 o化物）	29W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a		12mohm @ 13.8a，10v	2.2V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 15V	逻辑级别门
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1926DL-T1-E3	0.4100	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	370mA		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	逻辑级别门
IRF634NPBF	-	RFQ	2506	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF634NPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8A（TC）	10V	435MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），88W（TC）
IRFR9214PBF	1.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr9214pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFIB7N50APBF	3.1400	RFQ	838	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIB7N50APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.6A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	60W（TC）
irfbe30strl	-	RFQ	6929	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIRA20BDP-T1-GE3	1.6500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira20	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIRA20BDP-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	82a（ta），335a（tc）		0.58MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	186 NC @ 10 V	+16V，-12V	9950 PF @ 15 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
IRFIZ48GPBF	3.0500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ48	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ48GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	37A（TC）	10V	18mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	50W（TC）
SI4200DY-T1-GE3	-	RFQ	5117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4200	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		25mohm @ 7.3a，10v	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		415pf @ 13V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²