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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2328DS-T1-GE3	0.8600	RFQ	5940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2328	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	1.15A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V		-	730MW（TA）
SIHB12N65E-GE3	2.9300	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
IRFD9113	-	RFQ	7221	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9113	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	600mA（TA）		1.6ohm @ 300mA，10v	-	15 NC @ 15 V		250 pf @ 25 V	-	-
SQS850EN-T1_GE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS850	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	21.5mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2021 PF @ 30 V	-	33W（TC）
IRFU9110	-	RFQ	5198	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9110	Ear99	8541.29.0095	75	P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF640STRR	-	RFQ	5661	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SI6433BDQ-T1-E3	-	RFQ	5047	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6433	MOSFET （金属 o化物）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	40MOHM @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.05W（TA）
IRF624L	-	RFQ	7640	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF624	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF624L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	-
SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFP448PBF	3.4860	RFQ	4195	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP448	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP448PBF	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF720SPBF	1.8000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF720SPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
irlr110trl	-	RFQ	5776	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4322DY-T1-E3	-	RFQ	7011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4322	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），5.4W（TC）
irfr9310pbf	1.6900	RFQ	2904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRL530STRR	-	RFQ	5589	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI3447BDV-T1-GE3	-	RFQ	5935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRFR9210pbf	1.3500	RFQ	526	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQD50P06-15L_T4GE3	1.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SQD50P06-15L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15.5mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIHF6N65E-GE3	1.2028	RFQ	5949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	31W（TC）
SI7421DN-T1-E3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7421	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 9.8a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIR624DP-T1-GE3	1.2000	RFQ	5356	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir624	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	200 v	18.6a（TC）	7.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 7.5 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	52W（TC）
IRFIBF30G	-	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF30G	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFPG30pbf	3.5400	RFQ	161	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG30PBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFP064PBF	5.3400	RFQ	452	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP064	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP064PBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	60 V	70A（TC）	10V	9mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SIHA22N60E-GE3	3.9000	RFQ	997	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI7120DN-T1-GE3	-	RFQ	1466	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®1212-8	SI7120	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	6.3a（ta）		19mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V			-
SIHA150N60E-GE3	3.6100	RFQ	9374	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha150	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	9A（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHH100N60E-T1-GE3	3.6787	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH100	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	28a（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 100 V	-	174W（TC）
SI5459DU-T1-GE3	0.6100	RFQ	901	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5459	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 6.7a，4.5V	1.4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±12V	665 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），10.9W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²