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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIDR626LDP-T1-RE3	3.0400	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR626	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR626LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	45.6A（ta），2.4a tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
IRF730STRL	-	RFQ	1415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIHB24N65E-GE3	5.9300	RFQ	4624	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIZ720DT-T1-GE3	0.6395	RFQ	1017	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ720	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a		8.7MOHM @ 16.8A，10V	2V @ 250µA	23nc @ 10V		825pf @ 10V	逻辑级别门
SI7456DDP-T1-GE3	1.6700	RFQ	9553	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27.8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	900 PF @ 50 V	-	5W（5W），35.7W（TC）
IRF840BPBF	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4511DY-T1-E3	-	RFQ	3529	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4511	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	7.2a，4.6a		14.5MOHM @ 9.6A，10V	1.8V @ 250µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1308	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.4A（TC）	2.5V，10V	132MOHM @ 1.4A，10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±12V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
irfibg20g	-	RFQ	1680年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibg20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*irfibg20g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	-		-	-				-	-
SI2303CDS-T1-GE3	0.4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	1W（TA），2.3W（2.3W）（TC）
SQD100N03-3M4_GE3	1.6100	RFQ	8822	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	7349 PF @ 15 V	-	136W（TC）
SI4876DY-T1-GE3	-	RFQ	9709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4876	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	2.5V，4.5V	5mohm @ 21a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
IRFP340pbf	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP340	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI7900AEDN-T1-E3	1.7000	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7900	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	6a		26mohm @ 8.5a，4.5V	900mv @ 250µA	16nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4830ADY-T1-E3	-	RFQ	9870	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4862	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.3MOHM @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS429	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W（TC）
SQ3419EEV-T1-GE3	-	RFQ	1109	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	7.4A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1065 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SI7112DN-T1-E3	1.7500	RFQ	3205	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.3A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 17.8A，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	2610 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
SI4534DY-T1-GE3	1.4100	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4534	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4534DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	6.2a（ta），8a tc（8a tc），3a ta），4.1a tc（TC）		29mohm @ 5a，10v，120mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	11nc @ 10v，22nc @ 10v		420pf @ 30v，650pf @ 30V	-
SIAA00DJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIAA00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20.1a（ta），40a tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	+16V，-12V	1090 pf @ 12.5 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SIHG28N60EF-GE3	6.6200	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG28	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIA777EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8542	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA777	MOSFET （金属 o化物）	5W，7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V，12V	1.5a，4.5a		225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	2.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI7860ADP-T1-GE3	-	RFQ	1441	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI1050x-T1-GE3	0.5100	RFQ	60	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1050	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	1.34a（TA）	1.5V，4.5V	86mohm @ 1.34a，4.5V	900mv @ 250µA	11.6 NC @ 5 V	±5V	585 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
SI8465DB-T2-E1	0.4500	RFQ	90	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8465	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	104mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±12V	450 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
IRFRC20TRRPBF	0.8236	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHFL110TR-BE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）		742-SIHFL110TR-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）		540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIRA52ADP-T1-RE3	1.4400	RFQ	380	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
IRFL31N20D	-	RFQ	7631	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFL31	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL31N20D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	31a（ta）		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²