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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFZ14SPBF	1.5200	RFQ	120	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
sum90100e-ge3	4.0100	RFQ	3633	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM90100E-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	150a（TC）	7.5V，10V	11.4mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3930 PF @ 100 V	-	375W（TC）
SQJA86EP-T1_BE3	0.9600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SI2366ds-T1-GE3	0.4600	RFQ	1291	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2366	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.8A（TC）	10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SIZF920DT-T1-GE3	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF920	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	28a（28a），76a （TC），49A（ta（197a t c）（TC）		3.07mohm @ 10a，10v，1.05Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	29nc @ 10v，125nc @ 10V		1300pf @ 15V，5230pf @ 15V	-
SUD08P06-155L-BE3	1.0000	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD08	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SUD08P06-155L-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	8.2A（TC）	4.5V，10V	155MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.7W（TA），20.8W（tc）
SI4842BDY-T1-GE3	2.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4842	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3650 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SI1427EDH-T1-BE3	0.4300	RFQ	9824	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1427	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1427EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2a（2A），2A（tc）		64mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SUD40N10-25-E3	3.1200	RFQ	3256	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	40a（TC）	10V	25mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SI7322DN-T1-E3	1.7200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	-	10V	58MOHM @ 5.5A，10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFZ24STRL	-	RFQ	2509	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIB456DK-T1-GE3	0.5100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	6.3a（TC）	4.5V，10V	185MOHM @ 1.9A，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	130 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIHA21N60EF-E3	2.1183	RFQ	4412	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SIHP17N60D-GE3	1.7493	RFQ	7824	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI4830ADY-T1-E3	-	RFQ	9870	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQ7415AENW-T1_GE3	-	RFQ	3682	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	65MOHM @ 5.7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1385 PF @ 25 V	-	53W（TC）
IRFRC20	-	RFQ	4178	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFRC20	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI8417DB-T2-E1	-	RFQ	6508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-microfoot®csp	SI8417	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	14.5A（TC）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	57 NC @ 5 V	±8V	2220 PF @ 6 V	-	2.9W（TA），6.57W（TC）
SI4190DY-T1-GE3	-	RFQ	5429	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）		8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V		2000 pf @ 50 V	-
SI7114DN-T1-E3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7114	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.7a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 18.3a，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF740A	-	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR9014TRLPBF	1.5200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQD19P06-60L_GE3	1.6000	RFQ	9867	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	55mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	46W（TC）
SI2315BDS-T1-E3	0.5400	RFQ	174	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2315	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3.85a，4.5V	900mv @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	715 PF @ 6 V	-	750MW（TA）
SI5435BDC-T1-E3	-	RFQ	3502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5435	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SI6544BDQ-T1-E3	-	RFQ	4583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6544	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	3.7a，3.8a		43MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		-	逻辑级别门
VQ1004P-E3	-	RFQ	3635	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	VQ1004	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-		830mA ta）	5V，10V	-	-		±20V		-	-
SIHP6N40D-GE3	1.1400	RFQ	63	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SI9407BDY-T1-E3	1.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9407	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	120mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²