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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB22N60EL-GE3	2.2344	RFQ	2818	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SI7110DN-T1-E3	1.8500	RFQ	8508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 21.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI3424DV-T1-GE3	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	28mohm @ 6.7a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
irll014tr	-	RFQ	2957	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQJ140ELP-T1_GE3	1.3800	RFQ	7822	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ140ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	253A（TC）	4.5V，10V	2.14mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	4665 PF @ 25 V	-	255W（TC）
SI3456CDV-T1-E3	-	RFQ	6050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SQJ420EP-T1_BE3	0.8800	RFQ	1720年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ420EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1860 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIHB068N60EF-GE3	5.5500	RFQ	700	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB068	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI4465ADY-T1-E3	1.9500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4465	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	8 V	13.7a（TA），20A（tc）	1.8V，4.5V	9MOHM @ 14A，4.5V	1V @ 250µA	85 NC @ 4.5 V	±8V		-	（3W）（6.5W（ta）（TC）
2N6661JTVP02	-	RFQ	3800	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SI6404DQ-T1-E3	-	RFQ	8758	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6404	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8.6a（ta）	2.5V，10V	9mohm @ 11a，10v	600mv @ 250µA（250µA））	48 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.08W（TA）
SQJ474EP-T1_BE3	0.9800	RFQ	3488	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ474EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	26a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	45W（TC）
IRFU210	-	RFQ	2611	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU210	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SISS10DN-T1-GE3	1.0200	RFQ	5890	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	3750 pf @ 20 V	-	57W（TC）
IRFB16N50K	-	RFQ	2631	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N50K	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	17a（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2210 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SIRA20BDP-T1-GE3	1.6500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira20	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIRA20BDP-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	82a（ta），335a（tc）		0.58MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	186 NC @ 10 V	+16V，-12V	9950 PF @ 15 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
SUM90N06-4M4P-E3	-	RFQ	3536	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
IRF9Z14STRL	-	RFQ	1946年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFD214pbf	0.5880	RFQ	6004	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD214	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD214PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	450mA（ta）	10V	2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI6463BDQ-T1-E3	-	RFQ	1663年	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6463	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.2a（ta）		15mohm @ 7.4a，4.5V	800MV @ 250µA	60 NC @ 5 V			-
SUP90N06-5M0P-E3	-	RFQ	2525	Vishay Siliconix	Trechfet®	条	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	90A（TC）	10V	5mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
IRF730STRRPBF	1.4130	RFQ	4329	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIHS36N50D-E3	-	RFQ	6634	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	SIHS36	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHS36N50DE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	36a（TC）	10V	130MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±30V	3233 PF @ 100 V	-	446W（TC）
IRFR214pbf	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr214pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4497DY-T1-GE3	1.8800	RFQ	3879	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4497	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	9685 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4561DY-T1-E3	-	RFQ	6668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4561	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.8a，7.2a		35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	逻辑级别门
IRFP23N50LPBF	7.5100	RFQ	164	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP23N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	23A（TC）	10V	235mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	370W（TC）
IRF830ASTRL	-	RFQ	6793	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRF640SPBF	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²