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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI3442BDV-T1-BE3	0.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3442BDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.8V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±12V	295 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
IRFP9140pbf	2.9600	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP9140	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP9140PBF	Ear99	8541.29.0095	25	P通道	100 v	21a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF730pbf	1.5700	RFQ	32	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF730pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFPE30	-	RFQ	9379	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPE30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPE30	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF734L	-	RFQ	3534	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF734	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	-
IRF830LPBF	1.1708	RFQ	1636年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830	MOSFET （金属 o化物）	TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIHP23N60E-GE3	3.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP23	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF734	-	RFQ	1421	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF734	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFD420	-	RFQ	2976	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD420	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD420	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	500 v	370mA（ta）	10V	3ohm @ 220mA，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF640L	-	RFQ	7480	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF640	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHP24N80AE-GE3	3.3400	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	21a（TC）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRF744	-	RFQ	9080	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF9Z24PBF-BE3	1.9400	RFQ	892	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9Z24PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	60 V	11A（TC）		280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	60W（TC）
irlr024trl	-	RFQ	2113	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFD010PBF	-	RFQ	4496	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD010	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD010PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	50 V	1.7A（TC）	10V	200mohm @ 860mA，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRFR310TRLPBF	1.5300	RFQ	6733	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7446BDP-T1-E3	-	RFQ	1257	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7446	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 19a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	3076 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SI1405BDH-T1-E3	-	RFQ	1758年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
SI5459DU-T1-GE3	0.6100	RFQ	901	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5459	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 6.7a，4.5V	1.4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±12V	665 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），10.9W（TC）
IRF820APBF	1.7300	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF820APBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SUM110N10-09-E3	3.9100	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	110A（TC）	10V	9.5Mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
IRL520	-	RFQ	8266	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL520	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL520	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
irld014pbf	1.5600	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD014	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irld014pbf	Ear99	8541.29.0095	100	n通道	60 V	1.7A（TA）	4V，5V	200mohm @ 1A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
irfu220pbf	1.5200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu220pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIA811ADJ-T1-GE3	0.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	116mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	345 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.8W（ta），6.5W（TC）
SI2316ds-T1-E3	0.8200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 3.4a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	7 NC @ 10 V	±20V	215 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
IRL640	-	RFQ	2666	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7858ADP-T1-E3	2.7500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7858	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	20A（TA）	2.5V，4.5V	2.6mohm @ 29a，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5700 PF @ 6 V	-	1.9W（TA）
IRFIBC20G	-	RFQ	2867	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC20G	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	1.7A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	30W（TC）
irfu214pbf	1.3900	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU214	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu214pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²