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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2302ADS-T1-GE3	-	RFQ	2961	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 50µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SI4562DY-T1-E3	-	RFQ	3507	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4562	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	-		25mohm @ 7.1a，4.5V	1.6V @ 250µA	50nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF9Z24SPBF	2.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFIZ44GPBF	1.4312	RFQ	2238	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ44GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	28mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SI5858DU-T1-GE3	-	RFQ	9214	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16 NC @ 8 V	±8V	520 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2.3W（ta），8.3W（TC）
IRF740LCl	-	RFQ	7398	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF740LCL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-
SIHH26N60E-T1-GE3	5.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	135mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±30V	2815 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI7463ADP-T1-GE3	1.2600	RFQ	7442	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7463	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	46A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 20 V	-	5W（5W），39W（tc）
SIR826DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI7116DN-T1-GE3	2.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	7.8mohm @ 16.4a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI3905DV-T1-GE3	-	RFQ	4086	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3905	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	-		125mohm @ 2.5a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP23N60E-GE3	3.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF744	-	RFQ	9080	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHA17N80E-GE3	4.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA17N80E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	6A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI7272DP-T1-GE3	1.4900	RFQ	4163	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7272	MOSFET （金属 o化物）	22W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	25a		9.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
IRFIBF30GPBF	1.9110	RFQ	5659	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBF30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRF540pbf	2.1500	RFQ	40	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF540pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR9014TRPBF	1.1100	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irfr014pbf	1.4600	RFQ	8836	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1024X-T1-GE3	0.5500	RFQ	132	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1024	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	485mA		700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF730STRRPBF	1.4130	RFQ	4329	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRL620PBF-BE3	1.8000	RFQ	980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl620pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）		800MOHM @ 3.1a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI7425DN-T1-GE3	-	RFQ	2675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8.3a（ta）	1.8V，4.5V	16mohm @ 12.6a，4.5V	1V @ 300µA	39 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRFR9020Tr	-	RFQ	6211	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI4186DY-T1-GE3	1.2100	RFQ	69	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4186	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	35.8A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3630 PF @ 10 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI3454CDV-T1-GE3	-	RFQ	8358	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.5W（tc）
SI5482DU-T1-E3	-	RFQ	1276	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 7.4a，10v	2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±12V	1610 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIHP4N80E-BE3	2.0800	RFQ	7542	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP4N80E-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI4896DY-T1-E3	1.9500	RFQ	1853年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4896	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	6.7a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SIHD1K4N60E-GE3	1.1600	RFQ	5840	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	4.2A（TC）	10V	1.45ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	172 PF @ 100 V	-	63W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²