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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF840ASTRR	-	RFQ	5202	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI1050x-T1-GE3	0.5100	RFQ	60	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1050	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	1.34a（TA）	1.5V，4.5V	86mohm @ 1.34a，4.5V	900mv @ 250µA	11.6 NC @ 5 V	±5V	585 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
IRF9Z34STRLPBF	2.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHG73N60AE-GE3	11.4800	RFQ	74	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG73	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	60a（TC）	10V	40mohm @ 36.5a，10v	4V @ 250µA	394 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SI5486DU-T1-GE3	-	RFQ	5361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5486	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	15mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 250µA	54 NC @ 8 V	±8V	2100 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFP340pbf	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP340	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIRA52DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	9699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7150 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFBE30STRLPBF	3.5800	RFQ	7632	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF737LCSTRR	-	RFQ	6748	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-
SISH116DN-T1-GE3	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	7.8mohm @ 16.4a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIHG47N60EF-GE3	9.9500	RFQ	492	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	47A（TC）	10V	67MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±30V	4854 PF @ 100 V	-	379W（TC）
SIHD1K4N60E-GE3	1.1600	RFQ	5840	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	4.2A（TC）	10V	1.45ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	172 PF @ 100 V	-	63W（TC）
SQ2310ES-T1_GE3	0.9000	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
IRFP044PBF	-	RFQ	8169	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP044	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP044PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	57A（TC）	10V	28mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRFL210TRPBF	0.8800	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	960ma（tc）	10V	1.5OHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF720	-	RFQ	4275	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF720	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI3443CDV-T1-E3	0.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.97A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	12.4 NC @ 5 V	±12V	610 pf @ 10 V	-	2W（TA），3.2W（TC）
IRFBA22N50APBF	-	RFQ	2342	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	Super-220™	IRFBA22	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBA22N50APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	24A（TC）	10V	230MOHM @ 13.8A，10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	340W（TC）
IRFR110TRLPBF	1.3900	RFQ	3865	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFP9240pbf	3.2300	RFQ	8947	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP9240	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP9240PBF	Ear99	8541.29.0095	25		P通道	200 v	12A（TC）	10V	500MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR9120TRPBF	1.4000	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7868ADP-T1-E3	4.5100	RFQ	6386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7868	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.25MOHM @ 20A，10V	1.6V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	6110 PF @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SQJ420EP-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ420	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1860 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFBE30L	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE30L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI5482DU-T1-E3	-	RFQ	1276	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 7.4a，10v	2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±12V	1610 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRL3302L	-	RFQ	3766	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL3302	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3302L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SQJA06EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	1742年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	57A（TC）	10V	8.7MOHM @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	55W（TC）
SI2343DS-T1-GE3	0.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2343	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	10V	53MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SI7405BDN-T1-GE3	-	RFQ	3273	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7405	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	1.8V，4.5V	13mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	115 NC @ 8 V	±8V	3500 PF @ 6 V	-	3.6W（TA），33W（tc）
SI1016X-T1-E3	-	RFQ	6336	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1016	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	485mA，370mA		700MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²