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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR020Tr	-	RFQ	2637	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SISH625DN-T1-GE3	0.6300	RFQ	8685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	17.3a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
irfbg20pbf	1.8300	RFQ	3338	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbg20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SIA811ADJ-T1-GE3	0.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	116mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	345 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.8W（ta），6.5W（TC）
SQJQ160E-T1_GE3	3.5600	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	602a（TC）	10V	0.85MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	16070 pf @ 25 V	-	600W（TC）
IRF644NPBF	-	RFQ	6534	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHG22N60S-E3	-	RFQ	9881	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		5620 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SIRA32DP-T1-RE3	1.0600	RFQ	5641	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira32	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	83 NC @ 10 V	+16V，-12V	4450 pf @ 10 V	-	65.7W（TC）
SI7143DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	173	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7143	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 16.1a，10V	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	4.2W（TA），35.7W（tc）
IRLR110TRPBF	0.9300	RFQ	23	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIR610DP-T1-RE3	1.8800	RFQ	4446	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir610	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	35.4a（TC）	7.5V，10V	31.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI5461EDC-T1-GE3	-	RFQ	7798	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5461	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIHH14N65E-T1-GE3	5.2700	RFQ	3557	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1712 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI2305CDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	1501	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2305CDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	4.4a（ta），5.8a tc）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±8V	960 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
IRL3102L	-	RFQ	6155	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL3102	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3102L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7309DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7309	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	115mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SQ4946EY-T1-E3	-	RFQ	1629年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	4.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI3424DV-T1-GE3	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	28mohm @ 6.7a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRFD420	-	RFQ	2976	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD420	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD420	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	370mA（ta）	10V	3ohm @ 220mA，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SQJ980AEP-T1_GE3	1.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ980	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		75V	17a（TC）		50MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 35V	-
SI4500BDY-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4451DY-T1-E3	1.3041	RFQ	8046	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4451	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	8.25mohm @ 14A，4.5V	800mv @ 850µA	120 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SUM110N04-03-E3	-	RFQ	3985	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
IRF644N	-	RFQ	2838	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFP460LCPBF	5.3900	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP460LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI3474DV-T1-GE3	0.4400	RFQ	5694	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3474	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.8A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	3.6W（TC）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI7454DP-T1-E3	2.0000	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7454	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5A（5A）	6V，10V	34mohm @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRL640S	-	RFQ	5588	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL640S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²